含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件技术

本发明专利技术涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件，含铋氮化合物的半导体材料组成通式为InN1‑xBix，其中，0<x≤20％，薄膜材料能带覆盖0～0.7电子伏特；所述InN1‑xBix材料具有闪锌矿结构或纤锌矿结构；含有所述的含铋氮化合物的半导体材料的薄膜材料、量子阱、量子点、超晶格、纳米线或异质结材料；所述InN1‑xBix材料或者异质结材料能够实现氮化物家族从紫外到太赫兹波段的全波段覆盖，制备中红外到太赫兹全波段激光器、探测器等光电器件；本发明专利技术的InN1‑xBix材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长。

【技术实现步骤摘要】
含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件
本专利技术涉及半导体光电材料制备的
，特别涉及含铋氮化合物的半导体材料和制备方法及全波段光电器件。
技术介绍
在半导体材料的发展历程中，Ge、Si被称为第一代半导体材料，GaAs、InP、GaP、InAs、AlAs及其多元合金被称为第二代半导体材料，带隙大于2.3eV的宽禁带半导体被称为第三代半导体材料，包括：GaN、SiC、金刚石、AlN等。相较于第一代材料和第二代材料，第三代半导体材料具有大禁带宽度、高电子漂移饱和速度、导热性能良好等特点，在紫外及可见光的发光器件和探测器件、高温高频大功率电子器件中具有良好的应用前景。中村修二及其科研团队采用III-N半导体材料，成功制备出蓝光LED，并获得2014年诺贝尔物理学奖。但也正是由于其宽带隙的特点，使得第三代半导体材料的光谱范围仅限于低于0.54μm的部分可见及紫外波段，严重限制了其在红外及太赫兹波段的应用。红外是波长范围在0.76～1000μm的电磁波。任何物体只要绝对温度不是0K，每时每刻都会向外辐射能量，辐射能量的波长位于0.38～1000μm，且大部分能量集中在0.76本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含铋氮化合物的半导体材料，其特征在于，所述含铋氮化合物半导体材料的组成为InN1‑xBix，其中，0<x≤20％。

【技术特征摘要】
1.一种含铋氮化合物的半导体材料，其特征在于，所述含铋氮化合物半导体材料的组成为InN1-xBix，其中，0&lt;x≤20％。2.根据权利要求1所述的含铋氮化合物的半导体材料，其特征在于，所述含铋氮化合物半导体材料具有闪锌矿结构或纤锌矿结构。3.一种含有权利要求1或2所述的含铋氮化合物的半导体材料的薄膜材料、量子阱、量子点、超晶格、纳米线或异质结材料。4.一种基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王庶民，芦鹏飞，梁丹，张立瑶，
申请(专利权)人：超晶科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11