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本发明提供一种近红外晶格失配探测器缓冲层，包括依次形成于衬底上的组分渐变层、应力释放层、低温缓冲层和高温缓冲层，针对组分渐变层中由下至上的各个子渐变层，其对应In或As的组分比例逐渐增大，应力释放层与组分渐变层的组分相同，针对所述应力释放层...
该专利属于中电科技集团重庆声光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科技集团重庆声光电有限公司授权不得商用。

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