一种太赫兹探测器结构制造技术

本发明专利技术提供了一种太赫兹探测器结构，包括由下至上依次层叠的衬底、晶体层、非掺杂InP缓冲层、InGaAs沟道层/InAlAs势垒层和GaAs接触层；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气，以此客服了现有滤光片+探测器分立设计的结构复杂和纸杯工艺难度大的问题，降低了北京辐射的影响，提高噪声等效功率。

A structure of terahertz detector

The invention provides a terahertz detector structure, which consists of a underlay, a crystal layer, a non doped InP buffer layer, a InGaAs channel layer /InAlAs barrier layer and a GaAs contact layer, which forms a two-dimensional electron gas between the InGaAs channel layer and the InAlAs barrier layer, so as to serve the existing filter and detector separately. The complexity of the meter and the difficulty of paper cup technology reduce the influence of radiation in Beijing and raise the noise equivalent power.

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹探测器结构
本专利技术涉及一种探测器结构，特别是涉及一种太赫兹探测器结构。
技术介绍
目前，探测太赫兹辐射的方法主要有热辐射探测发、傅里叶变换光谱法和时域光谱法、外差式探测发，其中基于半导体材料的探测器属于窄带探测器，具有响应速度快、工艺成熟、体积小、易于集成等优点。太赫兹辐射属于微弱信号，易受到北京辐射的影响，目前的太赫兹探测器一般采用滤光片和探测器分立方式，以降低背景辐射的影响，这种分立式存在结构复杂和制备工艺难度大的缺点。
技术实现思路
为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本专利技术通过以下技术方案实现：一种太赫兹探测器结构，其特征在于，包括：包括由下至上依次层叠的衬底、晶体层、非掺杂InP缓冲层、InGaAs沟道层/InAlAs势垒层和GaAs接触层、；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气；所述探测器顶部开设电极孔，电极孔深度从所述接触层顶部延伸到势垒层内部，电极孔内放置第一电极，电极顶端设置外侧探测延伸装置；所述晶体层和缓冲层两端开设电极孔，电极孔深度从沟道层延伸至衬底，电极孔内放置第二电极，所述第二电极接地。优选地，所述所述第一电极金属为N本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太赫兹探测器结构，其特征在于，包括：包括由下至上依次层叠的衬底、晶体层、非掺杂InP缓冲层、InGaAs沟道层/InAlAs势垒层和GaAs接触层、；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气；所述探测器顶部开设电极孔，电极孔深度从所述接触层顶部延伸到势垒层内部，电极孔内放置第一电极，电极顶端设置外侧探测延伸装置；所述晶体层和缓冲层两端开设电极孔，电极孔深度从沟道层延伸至衬底，电极孔内放置第二电极，所述第二电极接地。

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹探测器结构，其特征在于，包括：包括由下至上依次层叠的衬底、晶体层、非掺杂InP缓冲层、InGaAs沟道层/InAlAs势垒层和GaAs接触层、；所述InGaAs沟道层和InAlAs势垒层之间形成二维电子气；所述探测器顶部开设电极孔，电极孔深度从所述接触层顶部延伸到势垒层内部，电极孔内放置第一电极，电极顶端设置外侧探测延伸装置；所述晶体层和缓冲层两端开设电极孔，电极孔深度从沟道层延伸至衬底，电极孔内放置第...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐凤，李丽娟，任娇娇，
申请(专利权)人：四川省天月光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51