半导体存储器装置制造方法及图纸

半导体存储器装置包括：读出放大器，从连接于字线及位线的存储器元件读出数据；第1开关元件，连接于第1电源电压与读出放大器的第1电源中间节点之间；第2开关元件，连接于第2电源电压与读出放大器的第2电源中间节点之间；均衡器电路，使第1及第2电源中间节点均衡成第1电源中间节点的最大值与第2电源中间节点的最小值之间的半值电平；以及电压保持用电容，分别连接第1及第2电源中间节点，将第1及第2电源中间节点实质上保持为第1电源中间节点的最大值与第2电源中间节点的最小值之间的半值电平。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置
本专利技术涉及一种例如同步动态随机存取存储器(SynchronousDynamicRandomAccessMemory，SDRAM)等半导体存储器装置。
技术介绍
图1是表示已知例的SDRAM的存储器电路的结构例的电路图，图2是表示图1的存储器电路的动作的时序图(timingchart)。图1中，已知例的存储器电路具备：存储器胞元(memorycell)MC，存储器规定的数据(data)值；以及读出放大器(senseamplifier)(SA)1，经由一对位线(bitline)BLT、BLB而连接于所述存储器胞元MC，从存储器胞元MC读出数据。存储器胞元MC具备构成存储器元件的存储器电容器(memorycapacitor)Ccell与选择用金属氧化物半导体(MetalOxideSemiconductor，MOS)晶体管(transistor)Q10。存储器电容器Ccell的一端经由存储节点(storagenode)Ns而连接于MOS晶体管Q10的源极(source)，其另一端连接于规定的电压VCP。MOS晶体管Q10的栅极(gate)连接于字线(wordline)W本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器装置，包括：读出放大器，从连接于字线及位线的存储器元件读出数据；第1开关元件，连接于规定的第1电源电压与所述读出放大器的第1电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；第2开关元件，连接于规定的第2电源电压与所述读出放大器的第2电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；均衡器电路，使所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点均衡成所述第1电源中间节点的最大值与所述第2电源中间节点的最小值之间的半值电平；以及电压保持用电容，分别连接于所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点，将所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点实质上保持为所述第1电源中间节点的最大值与所述...

【技术特征摘要】
2016.10.24 JP 2016-2076401.一种半导体存储器装置，包括：读出放大器，从连接于字线及位线的存储器元件读出数据；第1开关元件，连接于规定的第1电源电压与所述读出放大器的第1电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；第2开关元件，连接于规定的第2电源电压与所述读出放大器的第2电源中间节点之间，在所述读出放大器进行驱动时导通；均衡器电路，使所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点均衡成所述第1电源中间节点的最大值与所述第2电源中间节点的最小值之间的半值电平；以及电压保持用电容，分别连接于所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点，将所述第1电源中间节点及所述第2电源中间节点实质上保持为所述第1电源中间节点的最大值与所述第2电源中间节点的最小值之间的所述半值电平。2.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述电压保持用电容包含电容器元件。3.如权利要求1所述的半导体存储器装置，其中所述电压保持用电容包含所述第1电源电压与所述第1电源中间节点之间的电源线的寄生电容以及所述第2电源电压与所述第2电源中间节...

【专利技术属性】
技术研发人员：仓盛文章，
申请(专利权)人：力晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71