一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成倒梯形的光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂直；进行各向异性蚀刻，以蚀刻去除所述光刻胶图案侧壁外侧的所述阻挡层；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；去除所述光刻胶图案和所述阻挡层。根据本发明专利技术的制造方法，优化了目标图案的轮廓，提高了目标图案的关键尺寸(CD)的均匀性，且该方法成本低，在线控制容易，进而提高了器件的良率和性能。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着对高容量的半导体存储装置需求的日益增加，半导体存储装置的集成密度受到人们的关注，为了增加半导体存储装置的集成密度，现有技术中采用了许多不同的方法，双图案技术(Double-Patterning，DP)正作为一种解决途径在小于32nm节点的半导体器件制备过程中得到广泛的接受和应用。双图案技术(Double-Patterning，DP)通过节距碎片(pitchfragmentation)克服了K1限制，从而被广泛的用于半导体器件的制备中。目前在双图案技术(Double-Patterning，DP)技术中有自对准双图案(Self-aligneddoublepatterning，SADP)、光刻-蚀刻-光刻-蚀刻(Litho-Etch-Litho-Etch，LELE)以及冻结涂层蚀刻(Litho-Freeze-Litho，LFL)。在器件制备过程中选用哪种技术，需要综合考虑每种技术的灵活性、适用性以及成本的高低进行选择。其中自对准双图案技术(Self-aligneddoublepat本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成倒梯形的光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂直；进行各向异性蚀刻，以蚀刻去除所述光刻胶图案侧壁外侧的所述阻挡层；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；去除所述光刻胶图案和所述阻挡层。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成倒梯形的光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂直；进行各向异性蚀刻，以蚀刻去除所述光刻胶图案侧壁外侧的所述阻挡层；在所述光刻胶图案的侧壁上形成间隙壁；去除所述光刻胶图案和所述阻挡层。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述倒梯形的光刻胶图案的方法包括：在所述半导体衬底上旋涂负性光刻胶；利用明场光罩对所述负性光刻胶进行曝光；将未被曝光的负性光刻胶显影去除，以形成所述倒梯形的光刻胶图案。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述显影使用的显影液包括乙酸正丁酯。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层为低温氧化物层。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，形成所述低温氧化物层的方法包括：在低于200...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈满华，刘畅，周鸣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31