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本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底的表面上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成倒梯形的光刻胶图案；对所述光刻胶图案进行各向同性蚀刻，以使所述光刻胶图案的侧壁与所述半导体衬底的表面垂...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。