一种光罩盒位置探测方法技术

本发明专利技术公开了一种光罩盒位置探测方法，其属于半导体加工领域的技术，所述光罩盒底部边缘呈矩形，预先在所述光罩盒底部边缘每一角设置一压力传感器，还包括以下步骤：步骤S1，将所述光罩盒装载于光刻机机台；步骤S2，记录装载过程中每一所述压力传感器的装载压力值；步骤S3，若每一所述压力传感器的所述装载压力值的平稳值处于预设范围内则将所述光罩盒锁定于所述光刻机机台，否则提升所述光罩盒后回到步骤S1。该技术方案的有益效果是：本发明专利技术能够根据光罩盒底部边缘的压力传感器及时检测到光罩盒在装载和卸载过程中的边缘不平，减少了光罩及光罩盒在装载和卸载过程中的损坏风险。

【技术实现步骤摘要】
一种光罩盒位置探测方法
本专利技术涉及的是一种半导体加工领域的技术，具体是一种光罩盒位置探测方法。
技术介绍
光刻法是在半导体应用中处理硅晶片时常常遇到的其中一个工艺步骤。在光刻法中，在沉积有氮化硅的晶片表面上涂覆感光性液体聚合物或光阻剂，并随后使用带有所期望图案的模板使晶片表面选择性地曝光至辐射源。通常，使紫外光照射过掩膜或光罩或从所述掩膜或光罩的表面上反射，以将所期望图案投影至覆盖有光刻胶的晶片上。经过曝光的光刻胶部分会发生化学改性，并在随后使晶片经受化学媒体的作用以移除未曝光的光刻胶时不受影响，从而在晶片上留下恰好呈现掩膜图案形状的改性的光刻胶。通常，使晶片经受蚀刻工艺，以移除被曝光的氮化物层部分，从而在晶片上留下恰好呈现掩膜设计的氮化物图案。制造越来越小及/或逻辑密度越来越高的芯片是行业中的趋势，这就需要在逐渐变大的晶片上具有越来越小的线宽。显然，对光罩表面进行图案化的精细程度以及所述图案可忠实地复制至晶片表面上的程度是影响最终半导体产品的质量的因素。图案可再现于晶片表面上的分辨率取决于在将图案投影至涂有光刻胶的晶片表面上时所用的紫外光的波长。光罩是非常平坦的玻璃板，其包含要本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光罩盒位置探测方法，其特征在于，所述光罩盒底部边缘呈矩形，预先在所述光罩盒底部边缘每一角设置一压力传感器，还包括以下步骤：步骤S1，将所述光罩盒装载于光刻机机台；步骤S2，记录装载过程中每一所述压力传感器的装载压力值；步骤S3，若每一所述压力传感器的所述装载压力值的平稳值处于预设范围内则将所述光罩盒锁定于所述光刻机机台，否则提升所述光罩盒后回到步骤S1。

【技术特征摘要】
1.一种光罩盒位置探测方法，其特征在于，所述光罩盒底部边缘呈矩形，预先在所述光罩盒底部边缘每一角设置一压力传感器，还包括以下步骤：步骤S1，将所述光罩盒装载于光刻机机台；步骤S2，记录装载过程中每一所述压力传感器的装载压力值；步骤S3，若每一所述压力传感器的所述装载压力值的平稳值处于预设范围内则将所述光罩盒锁定于所述光刻机机台，否则提升所述光罩盒后回到步骤S1。2.根据权利要求1所述的光罩盒位置探测方法，其特征是，在所述步骤S3之后还包括卸载过程，所述卸载过程具体包括以下步骤：步骤S31，卸载所述光罩盒；步骤S32，记录每一所述压力传感器的卸载压力值；步骤S33，若每一所述压力传感器的所述卸载压力值的平稳值处于预设范围内则将所述光罩盒于解锁，否则放回所述光罩盒后回到步骤S31。3.根据权利要求2所述的光罩盒位置探测方法，其特征是，在所述步骤S1之前，通过试验测量所述光罩盒的每一所述压力传感器在装载和卸载时的压力值，以绘制每一所述压力传感器的装载参考压力曲线和卸载参考压...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊易斯，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42