一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法及声表面波滤波器技术

本发明专利技术涉及一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法及声表面波滤波器，该方法包括：在压电基片表面上制作芯片金属图形；对制作好芯片图形的压电基片表面进行光刻胶匀胶；匀胶后进行烘烤；烘烤后确定最佳曝光焦面；再确定偏离最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面；然后预设定曝光时间对烘烤后的压电基片进行曝光；使用显影液对曝光后的压电基片进行显影；最后使用热板对显影后的压电基片进行烘烤完成光刻胶图形的制作。还涉及一种声表面波滤波器。本发明专利技术通过不需要再重新制作专用的套刻图形掩膜版，不需要重复更换掩膜版，提高了生产效率，减少了掩膜版的磨损。

【技术实现步骤摘要】
一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法及声表面波滤波器
本专利技术属于声表面波滤波器制造
，尤其涉及一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法及声表面波滤波器。
技术介绍
声表面波滤波器是利用材料的压电效应和逆压电效应，当电信号施加于7叉指换能器上时，在材料表面激发出声表面波，通过合理设计材料表面的金属叉指换能器图形结构对声、电信号进行耦合，最终达到对电信号处理的目的。由于其体积小、重量轻、性能好等优点，被广泛应用在智能移动通讯设备射频前端电路、雷达、卫星等需要进行信号滤波处理的领域。声表面波滤波器芯片金属图形采用平面半导体工艺，在压电基片表面通过光刻、镀膜等工艺制作出芯片金属图形，通过引线键合或其他电链接工艺将输入、输出电极引出，最后通过封装工艺将芯片金属图形功能区保护。首先，为了实现声表面波滤波器温度补偿，一种最常用的方式是在制作完成的芯片金属图形芯片上覆盖一层很厚的温度补偿材料，一般是SiO2；其次，为了避免芯片金属图形表面长期直接暴露于空气中对滤波器性能产生影响，往往在芯片金属图形制作完成后采用在芯片金属图形表面制备钝化薄膜，一般为SiO2或SiNx等的方式将芯片金属图形表面覆盖与外界恶劣环境隔离，从而提升器件的可靠性；另外，在某些声表面波滤器制造时，需要在芯片金属图形表面覆盖一层介质薄膜以增加器件的功率耐受能力。在现有技术中，对光刻制作套刻保护用的光刻胶图形时，需要另外制作一块与原芯片金属图形图形相对应的套刻掩膜版，将芯片金属图形的电极区域和其他区域进行区分，在光刻时通过对准标记实现套刻图形和晶圆上的芯片金属图形。该套刻技术需要针对每个芯片金属图形制作一块对应的套刻掩膜版，而高精度的掩膜版价格昂贵，增加了物料成本；另外，实际温补型声表面波滤波器工艺加工时，需要同时使用温补层套刻、钝化薄膜套刻、耐功率薄膜套刻工艺，在实施每一步套刻工艺时，需要将制作芯片金属图形的掩膜版重复换下，重复换上套刻用掩膜版，工序复杂，效率较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：现有的光刻技术成本高、工序复杂，效率较低。为解决上面的技术问题，本专利技术提供了一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法，该方法包括：S1，在压电基片表面上制作芯片金属图形；S2，对制好芯片金属图形的所述压电基片表面进行光刻胶匀胶；S3，对匀胶后的所述压电基片进行烘烤；S4，在烘烤后，确定所述压电基片表面上光刻胶层的最佳曝光焦面DOF0；S5，根据所述最佳曝光焦面DOF0，确定偏离所述最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面DOFa；S6，根据预设定曝光时间和所述曝光焦面DOFa，对烘烤后的所述压电基片进行曝光；S7，使用显影液对曝光后的所述压电基片进行显影直到所述芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去；S8，使用热板对显影后的所述压电基片进行烘烤，得到稳定的光刻胶图形，以完成光刻胶图形的制作。本专利技术的有益效果：通过选取曝光焦面和相应的曝光时间对压电基片曝光，曝光后再使用显影液对曝光后的压电基片进行显影直到芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去，这样就不需要再重新制作专用的套刻图形掩膜版，另外不需要重复更换掩膜版，提高了生产效率，减少了掩膜版的磨损。进一步地，匀胶后所述光刻胶厚度为所述芯片金属图形厚度的1.5～50倍。进一步地，所述S3中在烘烤后，所述光刻胶厚度为所述芯片金属图形厚度的1.5～50倍。进一步地，所述S5中确定偏离所述最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面之前，将原掩膜版与烘烤后的所述压电基片对准，其中所述原掩膜版用于在压电基片表面上制作所述芯片金属图形。进一步地，所述曝光焦面DOFa到所述最佳曝光焦面DOF0的所述预定距离d满足以下关系：5μm≤d≤15μm，或者，-15μm≤d≤-5μm。进一步地，若所述光刻胶为正性光刻胶时，则所述预设曝光时间Ta为所述正性光刻胶正常曝光时间T0的50％～100％；若所述光刻胶为负性光刻胶，则所述预设曝光时间Ta为所述负性光刻胶正常曝光时间T0的200％～300％。进一步地，所述压电基片包括：石英单晶、铌酸锂单晶或钽酸锂单晶，所述芯片金属图形为铝或铝钛复合薄膜。本专利技术还涉及一种声表面波滤波器，该声表面波滤波器采用上述上面任一所述的方法进行刻工制备的。本专利技术的有益效果：通过选取曝光焦面对压电基片，曝光后再使用显影液对曝光后的压电基片进行显影直到芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去，这样就不需要再重新制作专用的套刻图形掩膜版，另外不需要重复更换掩膜版，提高了生产效率，减少了掩膜版的磨损。附图说明图1为本专利技术的一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法的流程图；图2为本专利技术的制作声表面波滤波器芯片金属图形的示意图；图3为本专利技术在声表面波滤波器基片上匀胶的示意图；图4为本专利技术曝光最佳焦面位置的示意图；图5为本专利技术设定曝光焦面向上偏离的示意图；图6为本专利技术设定曝光焦面向下偏离的示意图；附图中：1.压电基片，2.是光刻胶层，3.曝光光线的光路，4.最佳曝光焦面，5.设定曝光焦面向上偏离最佳曝光焦面，6.设定曝光焦面向下偏离最佳曝光焦面，7.芯片金属图形上叉指换能器区域，8.芯片金属图形上电极部分。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本专利技术，并非用于限定本专利技术的范围。如图1所示，在本专利技术实施例1中提供的是一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法，该方法包括：S1，在压电基片表面上制作芯片金属图形；S2，对制好芯片金属图形的所述压电基片表面进行光刻胶匀胶；S3，对匀胶后的所述压电基片进行烘烤；S4，在烘烤后，确定所述压电基片表面上光刻胶层最佳曝光焦面DOF0；S5，根据所述最佳曝光焦面DOF0，确定偏离所述最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面DOFa；S6，根据预设定曝光时间和所述曝光焦面DOFa，对烘烤后的所述压电基片进行曝光；S7，使用显影液对曝光后的所述压电基片进行显影直到所述芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去；S8，使用热板对显影后的所述压电基片进行烘烤，得到稳定的光刻胶图形，以完成光刻胶图形的制作。需要说明的是，在本实施例1中是第一步骤是预先在在压电基片1表面上制作芯片金属图形7、芯片金属图形上电极部分8，如附图2所示芯片金属图形7、8部分；第二步骤是如图3所示，对制好芯片金属图形7的该压电基片1中表面进行光刻胶匀胶，这样可以覆盖之前的光刻胶，常用的光刻胶分为正性光刻胶和负性光刻胶两类，本专利技术中匀胶工艺要求使用的光刻胶性质与制作芯片金属图形7、8时使用的光刻胶性质一致，例如，在芯片金属图形制作时采用的是正性光刻胶，在实施本专利技术套刻匀胶工艺时仍采用正性光刻胶；第三步骤是前烘，即是对匀胶后的该压电基片1进行烘烤，将该压电基片1放置在热板上进行烘烤，去除光刻胶中的部分溶剂，增加光刻胶的感光性；第四步骤是曝光，在烘烤后，确定最佳曝光焦面DOF0；再将使用制作芯片金属图形曝光时的原掩膜版与匀胶、前烘后的待套刻压电基片1进行对准；接着如图4所示，根据该最佳曝光焦面DOF0，确定偏离该最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面DOFa，图4中3是指曝光光线的光路，通过该光线光路进行曝光，使得曝光焦面DOFa较大地偏离最佳曝光焦面DOF04，再接着根据预设定曝光时间和该曝光焦面DOFa，对烘烤后的压电基片1进本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法，其特征在于,该方法包括：S1，在压电基片表面上制作芯片金属图形；S2，对制好芯片金属图形的所述压电基片表面进行光刻胶匀胶；S3，对匀胶后的所述压电基片进行烘烤；S4，在烘烤后，确定所述压电基片表面上光刻胶层的最佳曝光焦面DOF0；S5，根据所述最佳曝光焦面DOF0，确定偏离所述最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面DOFa；S6，根据预设定曝光时间和所述曝光焦面DOFa，对烘烤后的所述压电基片进行曝光；S7，使用显影液对曝光后的所述压电基片进行显影直到所述芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去；S8，使用热板对显影后的所述压电基片进行烘烤，得到稳定的光刻胶图形，以完成光刻胶图形的制作。

【技术特征摘要】
1.一种对声表面波滤波器光刻套刻的方法，其特征在于,该方法包括：S1，在压电基片表面上制作芯片金属图形；S2，对制好芯片金属图形的所述压电基片表面进行光刻胶匀胶；S3，对匀胶后的所述压电基片进行烘烤；S4，在烘烤后，确定所述压电基片表面上光刻胶层的最佳曝光焦面DOF0；S5，根据所述最佳曝光焦面DOF0，确定偏离所述最佳曝光焦面预定距离的曝光焦面DOFa；S6，根据预设定曝光时间和所述曝光焦面DOFa，对烘烤后的所述压电基片进行曝光；S7，使用显影液对曝光后的所述压电基片进行显影直到所述芯片金属图形上叉指换能器区域的光刻胶被除去；S8，使用热板对显影后的所述压电基片进行烘烤，得到稳定的光刻胶图形，以完成光刻胶图形的制作。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，匀胶后所述光刻胶层厚度为所述芯片金属图形厚度的1.5～50倍。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述S3中在烘烤后，所述光刻胶层厚度为所述芯片金属图形厚度的1.5～50倍。4.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺强，段斌，王永安，范佰杰，边旭明，史向龙，苏波，
申请(专利权)人：北京航天微电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11