【技术实现步骤摘要】
化合物氟硼酸锶及氟硼酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途
本专利技术涉及一种化合物氟硼酸锶及氟硼酸锶非线性光学晶体及制备方法和用途。
技术介绍
随着193nm光刻技术、微纳米精细激光加工,以及超高能量分辨率光电子能谱仪和光电子发射显微镜等现代化仪器对深紫外激光源(一般指波长短于200nm)的强烈需求发展全固态深紫外激光光源已经成为国际激光科学界近期研究的一个热点。发展全固态深紫外激光光源,深紫外非线性光学晶体是十分关键的一个元件。目前产业应用的紫外、深紫外非线性光学晶体主要包括LiB3O5(LBO)、CsB3O5(CBO)、CsLiB6O10(CLBO)、BaB2O4(BBO)和KBe2BO3F2(KBBF)晶体。LBO晶体具有宽的透光范围,高的光学均匀性,具有较大的有效倍频系数(3KDP)和高的损伤阈值(18.9GW/cm2)。但是由于其相对较小的双折射(Δn=0.04-0.05),使其不能在深紫外区实现相位匹配,最短倍频波长为276nm。与LBO晶体类似,CBO与CLBO晶体也是由于其相对较小的双折射,限制了在深紫外区的应用。BBO晶体虽然具有较大的倍频系数和双 ...
【技术保护点】
一种化合物氟硼酸锶,其特征在于该化合物的化学式为SrB5O7F3,分子量为310.67,采用固相反应法制备。
【技术特征摘要】
1.一种化合物氟硼酸锶,其特征在于该化合物的化学式为SrB5O7F3,分子量为310.67,采用固相反应法制备。2.根据权利要求1所述的化合物氟硼酸锶制备方法,其特征在于按下列步骤进行:将含Sr化合物为Sr(BF4)2,含B化合物为H3BO3和B2O3,含F化合物为Sr(BF4)2按摩尔比Sr∶B∶F=0.5-2∶5-7∶2-4混合均匀,装入水热釜或石英管中密封,放到电阻炉中,以温度10-30℃/h的速率升温至180-620℃,恒温10-48小时,然后以温度1-10℃/h的速率降至25℃,打开水热釜或石英管,即得到化合物SrB5O7F3。3.一种氟硼酸锶非线性光学晶体,其特征在于该晶体的化学式为SrB5O7F3,分子量为310.67,晶体属正交晶系,空间群Ccm21,晶胞参数为a=10.016(6)Å,b=8.654(6)(4)Å,c=8.103(5)Å,Z=4,V=702.4(8)Å3。4.根据权利要求3所述的氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法,其特征在于采用助熔剂法,坩埚下降法,室温溶液法或溶剂热法生长晶体:所述助溶剂法生长氟硼酸锶非线性光学晶体晶体,具体操作按下列步骤进行:a、将含Sr化合物为Sr(BF4)2,含B化合物为H3BO3和B2O3,含F化合物为Sr(BF4)2按摩尔比Sr∶B∶F=0.5-2∶5-7∶2-4混合均匀,装入水热釜或石英管中密封,放到电阻炉中,以温度10-30℃/h的速率升温至180-620℃,恒温10-48小时,然后以温度1-10℃/h的速率降至25℃,打开水热釜或石英管,即得到化合物SrB5O7F3;b、将得到的化合物SrB5O7F3装入Φ10mm的石英管中,将石英管抽真空,真空度达到1×10−3Pa,用火焰枪真空封装,放入马弗炉中,以温度10-30℃/h的速率升温至200-650℃,恒温12-60小时,然后以温度1-5℃/h的速率降至25℃,打开石英管,得到SrB5O7F3晶体的籽晶;c、将步骤b得到的SrB5O7F3籽晶放在容器为石英管的底部,然后将步骤a得到的化合物SrB5O7F3与助熔剂为NaF、NaBF4、NaF-H3BO3、NaF-B2O3、H3BO3或B2O3按摩尔比1∶1-5混合,放入石英管中,将石英管抽真空,真空度达到1×10−3Pa,用火焰枪真空封装;d、将步骤c中的容器密封或加入10-100mL溶剂为去离子水,无水乙醇,或氢氟酸再密封,放到电阻炉中,以温度20-40℃/h的速率升温至150-650℃,恒温12-60小时,以温度1-3℃/天的速率降温50℃,再以温度1-10℃/h的速率降至25℃,打开容器,即可获得尺寸为1-20mm的SrB5O7F3晶体;所述坩埚下降法生长氟硼酸锶非线性光学晶体晶体,具体操作按下列步骤进行:a、将含Sr化合物为Sr(BF4)2,含B化合物为H3BO3和B2O3,含F化合物为Sr(BF4)2按摩尔比Sr∶B∶F=0.5-2∶5-7∶2-4混合均匀,装入水热釜或石英管中密封,放到电阻炉中,以温度10-30℃/h的速率升温至180-620℃,恒温10-48小时,然后以温度1-10℃/h的速率降至25℃,打开水热釜或石英管,即得到化合物SrB5O7F3;b、将得到的化合物SrB5O7F3装入水热釜中密封,放到干燥箱中,以温度20℃/h的速率升温至200℃,恒温10小时,然后以温度1℃/h的速率降至25℃,打开水热釜,得到SrB5O7F3晶体的籽晶;c、将得到的籽晶放在铱坩埚的底部,然后将得到的化合物SrB5O7F3放入铱坩埚中;d、将铱坩埚密封并置于坩埚下降炉中,升温至300-600℃,...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘世烈,米日丁·穆太力普,张敏,
申请(专利权)人:中国科学院新疆理化技术研究所,
类型:发明
国别省市:新疆,65
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