一种生长四硼酸铝盐晶体的方法技术

本发明专利技术涉及四硼酸铝盐晶体的生长方法。该方法采用新的NaF‑AlF

【技术实现步骤摘要】
一种生长四硼酸铝盐晶体的方法
本专利技术涉及一种单晶的生长方法，具体的说是涉及四硼酸铝盐晶体的助熔剂法生长。
技术介绍
四硼酸铝盐晶体RAl3(BO3)4具有良好的物理化学性能以及较高的热导率和较小的热膨胀各向异性，耐强酸强碱，不潮解。该类晶体具有较大的非线性光学系数，适中的双折射率以及宽的透光波段，是一种优秀的非线性光学晶体材料。该类晶体中的部分R3+离子格位如果被某些稀土离子(如Nd3+，Yb3+和Er3+等)所占据，在半导体激光泵浦下可实现基波激光，因此也是一种优秀的激光晶体材料；若该晶体沿一定的相位匹配角切割，还可进一步实现自变频激光输出，从而称之为自变频激光晶体材料。由于该类晶体为非同成分熔化，所以必须采用助熔剂法进行生长。目前普遍采用的是以三氧化钼为基础的助熔剂体系，在生长过程中三氧化钼容易挥发，不仅造成晶体生长不稳定，而且Mo3+会进入晶体中成为杂质离子，从而降低所生长晶体的光学质量。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种新的助熔剂体系用于生长四硼酸铝盐单晶。该助熔剂体系能够有效降低高温溶液成分在晶体生长过程中的挥发，提高晶体生长的稳定性，从而获得厘米级尺寸和高光学质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：采用NaF‑AlF

【技术特征摘要】
1.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长四硼酸铝盐晶体RAl3(BO3)4，其中R为Y、Gd、Lu、Er、Yb、Nd、Dy、Tb、Sm元素中某一元素或若干元素的组合；将四硼酸铝盐化合物与NaF-AlF3-B2O3化合物体系按一定比例混合均匀后置于铂坩埚中，加热至1050-1150℃熔化并恒温一定时间，再降至溶液饱和温度点附近进行精确的饱和温度点的测试，获得精确的饱和温度点后，将溶液温度提高到饱和温度点以上5-15℃，再将固定在籽晶杆上的籽晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：林炎富，陈雨金，黄艺东，黄建华，龚兴红，罗遵度，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：福建,35