半导体元件、其制造方法及使用其的传感器技术

本发明专利技术的课题在于提供作为传感器使用时具有高检测敏感度的半导体元件。本发明专利技术涉及半导体元件，其含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层，前述第1电极、前述第2电极及前述半导体层形成于前述有机膜上，前述半导体层被配置于前述第1电极与前述第2电极之间，前述半导体层含有碳纳米管，水相对前述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体元件、其制造方法及使用其的传感器
本专利技术涉及半导体元件、其制造方法及使用其的传感器。
技术介绍
晶体管、存储器、电容器等半导体元件利用其半导体特性，已被用于显示器、计算机等各种电子设备中。例如，正在开发利用了场效应晶体管(以下称为FET)的电特性的IC标签、传感器。其中，从不需要利用荧光体等进行标记、电信号的转换快、容易与集成电路进行连接的观点考虑，使用FET来检测生物学反应的FET型生物传感器的研究正在活跃地进行。以往，使用了FET的生物传感器具有从MOS(金属-氧化物-半导体)型FET除去栅电极、并在绝缘膜上被覆离子感应膜而成的结构，将其称为离子感应型FET传感器。并且，通过在离子感应膜上配置生物分子识别物质，从而被设计成作为各种生物传感器而发挥功能。然而，对于在要求高敏感度的检测敏感度的利用了抗原-抗体反应的免疫传感器等中的应用而言，检测敏感度存在技术上的限制，尚未实现实用化。而且存在以下问题：将硅等无机半导体制成膜的工艺由于需要昂贵的制造装置，因而难以降低成本，并且，该工艺由于在非常高的温度下进行，因而可作为基板使用的材料种类受限，无法使用轻质的树脂基板等。另一方面本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体元件，所述半导体元件含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层，所述第1电极、所述第2电极及所述半导体层形成于所述有机膜上，所述半导体层被配置于所述第1电极与所述第2电极之间，所述半导体层含有选自有机半导体、碳纳米管及石墨烯中的任一种以上，水相对所述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.08.11 JP 2015-1586711.半导体元件，所述半导体元件含有有机膜、第1电极、第2电极及半导体层，所述第1电极、所述第2电极及所述半导体层形成于所述有机膜上，所述半导体层被配置于所述第1电极与所述第2电极之间，所述半导体层含有选自有机半导体、碳纳米管及石墨烯中的任一种以上，水相对所述有机膜的接触角为5度以上且50度以下。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，所述半导体层含有碳纳米管。3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，水相对所述有机膜的接触角为35度以上且50度以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体元件，其中，所述有机膜含有具有非离子性官能团或两性离子性官能团的化合物。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中，所述非离子性官能团或两性离子性官能团为选自聚乙二醇链、磷酸胆碱基、1,2-二羟基乙基、1,2-二羟基亚乙基及羟基乙基氧基中的至少1种结构。6.如权利要求4或5所述的半导体元件，其中，所述有机膜包含聚硅氧烷。7.如权利要求4～6中任一项所述的半导体元件，其中，所述化合物为聚硅氧烷。8.如权利要求4或5所述的半导体元件，其中，所述有机膜包含交联高分子。9.如权利要求4、5及8中任一项所述的半导体元件，其中，所述化合物为交联高分子。10.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶贝和生，村濑清一郎，清水浩二，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP