有机磷农药的电化学晶体管传感器及其对有机磷农药的检测方法技术

本发明专利技术涉及一种有机磷农药的电化学晶体管传感器，包括金层和铬层，金层重叠于铬层上方，分别设置栅极、源极、漏极；源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，所述电化学晶体管传感器沟道为沉积金和二氧化锆纳米复合粒子的单层石墨烯。本发明专利技术涉及的电化学晶体管传感器对有机磷农药的检测具有高灵敏度，低检测限，宽检测范围的特点，实现对有机磷分子快速富集和检测。

【技术实现步骤摘要】
有机磷农药的电化学晶体管传感器及其对有机磷农药的检测方法
本专利技术涉及的是一种有机磷农药检测方法，具体是利用基于金/石墨烯复合纳米材料的电化学晶体管传感器对有机磷农药实现高灵敏检测。
技术介绍
农药的使用带来了巨大的经济收益，但其过多的使用以及农残的监管不力，又带来了严重的污染问题和食物安全问题。现有的农药残留检测手段很多，但均不能同时实现快速检测和高灵敏检测。如色谱分析法稳定性好，精确度高，但样品前处理复杂，仪器设备昂贵，且不能在线检测；光谱分析法对样品前处理要求低，但灵敏度很低；酶抑制法灵敏度高，操作简便，检测快速，对样品前处理要求不高且可以实现在线检测，但酶易失活不易保存。因此发展一种快速、可靠的检测农药的方法有重要的意义。而近年来，电化学晶体管传感器作为一种新的电化学检测手段，由于其固有的放大特性而具有较高的灵敏度，被认为是很有前景的一种电分析检测手段。但是，利用电化学晶体管传感器检测有机对硫磷的研究目前还未见报导。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术存在的不足而提供一种基于电化学晶体管技术的有机磷农药传感器，实现对有机磷农药快速富集和检测，具有高灵敏本文档来自技高网...

【技术保护点】
有机磷农药的电化学晶体管传感器，其特征在于它包括金层和铬层，金层重叠于铬层上方，分别设置栅极、源极、漏极；源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，所述电化学晶体管传感器沟道为沉积金和二氧化锆纳米复合粒子的单层石墨烯。

【技术特征摘要】
1.有机磷农药的电化学晶体管传感器，其特征在于它包括金层和铬层，金层重叠于铬层上方，分别设置栅极、源极、漏极；源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道，所述电化学晶体管传感器沟道为沉积金和二氧化锆纳米复合粒子的单层石墨烯。2.根据权利要求1所述的有机磷农药的电化学晶体管传感器，其特征在于所述铬层的厚度为0.3-1nm，金层的厚度为30-100nm。3.一种有机磷农药的电化学晶体管传感器的制备方法，其特征在于它的主要步骤如下：第一步，在基底上镀上铬层和金层，作为电化学晶体管传感器的电极，分别选定栅极、源极、漏极，源极、漏极之间为该电化学晶体管传感器沟道；第二步，采用湿法转移将单层石墨烯转移到第一步所得电化学晶体管传感器的沟道上，得到以石墨烯作为沟道的电化学晶体管传感器；第三步，通过循环伏安法在第二步所得电化学晶体管传感器的沟道上电沉积金和二氧化锆纳米复合粒子，从而得到有机磷农药的电化学晶体管传感器。4.根据权利要求3所述的一种有机磷农药的电化学晶体管传感器的制备方法，其特征在于第一步中，铬的厚度控制在0.3-1nm，金的厚度控制在30-100nm。5.根据权利要求3所述的一种有机磷农药的电化学晶体管传感器的制备方法，其特征在于第二步中，湿法转移具体操作操作为：在铜基底的单层石墨烯上旋涂PMMA薄膜，然后放于铜刻蚀液的上表面完全刻蚀铜基底，得到旋涂有PMMA薄膜的单层石墨烯；用第一步制备的晶体管捞起旋涂有PMMA薄膜的单层石墨烯，然后浸泡在丙酮中溶解单层石墨烯上的PMMA薄膜，从而实现将单层石墨烯转移到第一步所得电化学晶体管传感器的沟道...

【专利技术属性】
技术研发人员：常钢，周扬，朱瑞芝，刘志华，何云斌，操日兵，
申请(专利权)人：云南中烟工业有限责任公司，湖北大学，
类型：发明
国别省市：云南,53