粘合片制造技术

本发明专利技术提供一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，所述粘合片(10)具备基材(11)和粘合剂层(12)，在100℃的气体环境下所述粘合剂层(12)对硅进行的芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】粘合片
本专利技术涉及粘合片。
技术介绍
近年来，在安装技术中，芯片尺寸封装(ChipSizePackage；CSP)技术受到关注。在该技术中，对于以晶圆级封装(WaferLevelPackage；WLP)为代表的不使用基板而仅以芯片的形态进行的封装而言，在小型化和高集成方面特别引人注目。在这样的WLP的制造方法中，以往需要将固定于基板上的芯片固定在另外的支撑体上。因此，例如，专利文献1中记载了在对不使用金属制引线框的无基板半导体芯片进行树脂密封时粘贴而使用的粘合胶带。专利文献1中记载了在玻璃化转变温度大于180℃的基材层的单面或两面设置在180℃下的弹性模量为1.0×105Pa以上的粘合剂层而成的粘合胶带。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2012-062372号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，对于专利文献1中记载的那样的粘合胶带而言，不一定能够在密封半导体元件时充分防止半导体元件移动。本专利技术的目的在于提供一种在对粘合片上的半导体元件进行密封时能够防止半导体元件移动而位置偏离的粘合片。解决课题的方法根据本专利技术的一个方式可提供一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，所述粘合片具备基材和粘合剂层，在100℃的气体环境下所述粘合剂层对硅进行的芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上。对于本专利技术的一个方式的粘合片而言，优选所述基材在100℃下的储能模量为1×107Pa以上。对于本专利技术的一个方式的粘合片而言，优选所述粘合剂层含有丙烯酸类粘合剂组合物或有机硅类粘合剂组合物。对于本专利技术的一个方式的粘合片而言，优选所述丙烯酸类粘合剂组合物包含以丙烯酸2-乙基己酯作为主要单体的丙烯酸类共聚物。对于本专利技术的一个方式的粘合片而言，优选所述有机硅类粘合剂组合物包含加成聚合型有机硅树脂。根据本专利技术，可以提供在密封粘合片上的半导体元件时能够防止半导体元件移动而位置偏离的粘合片。附图说明图1是本专利技术的实施方式的粘合片的剖面示意图。图2A是对使用了本专利技术的实施方式的粘合片的半导体装置的一部分制造工序进行说明的图。图2B是对使用了本专利技术的实施方式的粘合片的半导体装置的一部分制造工序进行说明的图。图2C是对使用了本专利技术的实施方式的粘合片的半导体装置的一部分制造工序进行说明的图。图2D是对使用了本专利技术的实施方式的粘合片的半导体装置的一部分制造工序进行说明的图。图2E是对使用了本专利技术的实施方式的粘合片的半导体装置的一部分制造工序进行说明的图。图3A是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3B是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3C是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3D是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3E是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3F是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3G是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。图3H是用于说明芯片拉力试验的方法的示意图。符号说明10…粘合片11…基材12…粘合剂层具体实施方式〔实施方式〕(粘合片)图1示出了本实施方式的粘合片10的剖面示意图。粘合片10具有基材11及粘合剂层12。如图1所示，粘合剂层12上叠层有剥离片RL。基材11具有第一基材面11a、及与第一基材面11a相反侧的第二基材面11b。粘合片10的形状可以为例如片状、带状、标签状等任意形状。(基材)基材11是支撑粘合剂层12的构件。作为基材11，可以使用例如合成树脂膜等片材料等。作为合成树脂膜，可以列举例如：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、聚氨酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜、离聚物树脂膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、以及聚酰亚胺膜等膜。此外，作为基材11，可以举出它们的交联膜及叠层膜等。基材11优选含有聚酯类树脂，更优选由以聚酯类树脂作为主成分的材料制成。在本说明书中，以聚酯类树脂作为主成分的材料是指聚酯类树脂的质量在构成基材的材料的总质量中所占的比例为50质量％以上。作为聚酯类树脂，例如，优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、聚萘二甲酸丁二醇酯树脂、及这些树脂的共聚树脂中的任意树脂，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂。作为基材11，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜及聚萘二甲酸乙二醇酯，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。作为聚酯膜中含有的低聚物，来自于聚酯形成性单体、二聚物、三聚物等。从加工时的尺寸稳定性的观点考虑，基材11在100℃下的储能模量的下限优选为1×107Pa以上，更优选为1×108Pa以上。从加工适应性的观点考虑，基材11在100℃下的储能模量的上限优选为1×1012Pa以下。需要说明的是，在本说明书中，储能模量是使用动态粘弹性测定装置通过扭转剪切法在频率1Hz下测得的值。将待测定的基材切断为宽5mm、长20mm，使用粘弹性测定装置(TAInstruments公司制造、DMAQ800)、采用频率11Hz、拉伸模式测定100℃下的储能粘弹性。对于第一基材面11a而言，为了提高与粘合剂层12的密合性，可以实施底涂处理、电晕处理及等离子体处理等中的至少任一种表面处理。可以对基材11的第一基材面11a涂布粘合剂而实施粘合处理。作为基材的粘合处理中使用的粘合剂，可以列举例如：丙烯酸类、橡胶类、有机硅类、及氨基甲酸酯类等粘合剂。基材11的厚度优选为10μm以上且500μm以下，更优选为15μm以上且300μm以下，进一步优选为20μm以上且250μm以下。(粘合剂层)在本实施方式中，在100℃的气体环境中粘合剂层12对硅的芯片拉力试验中求得的值需要为3.0N/芯片以上。如果芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上，则在对粘合片上的半导体元件进行密封时，可以防止半导体元件移动而位置偏离(以下，有时也称为芯片偏移)。其原因尚不明确，但可推测为以下的机理。即，可推测，芯片偏移不是半导体元件在粘合剂层12上横向滑动，而是半导体元件从粘合剂层12上剥离、移动后再次粘合起来。因此，芯片拉力试验中求得的值越大，表示半导体元件越难以从粘合剂层12上剥离。因此，推测芯片拉力试验中求得的值与芯片偏移之间存在相关关系。另外，从更可靠地防止半导体元件的位置偏离的观点考虑，该芯片拉力试验中求得的值优选为4.0N/芯片以上，更优选为5.0N/芯片以上且15N/芯片以下。芯片拉力试验中求得的值低于3.0N/芯片时，可能发生芯片偏移，在大于15N/芯片时，从粘合片上剥离半导体元件时可能破坏半导体元件的电路面。粘合剂层12在100℃的气体环境中对硅的芯片拉力试验中求得的值可以通过后面叙述的实施例中记载的方法来测定。需要说明的是，作为调整该芯片拉力试验中求得的值的方法，可以举出以下的方法。例如，通过变更粘合剂层12中使用的粘合剂组合物的组成来调整该芯片拉力试验中求得的值。本实施方式的粘合剂层12含有粘合剂组合物。作为该粘合剂组合物中含有的粘合剂，没有特别限定，可以将各种粘合剂应用于粘合剂层12。作为粘合剂层12中含有的粘合剂，可以列举例如：橡胶类、丙烯酸类、有机硅类、聚酯类及氨基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，所述粘合片具备基材和粘合剂层，在100℃的气体环境下所述粘合剂层对硅的芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.01 JP 2015-1723981.一种粘合片，其是在对粘合片上的半导体元件进行密封时使用的粘合片，所述粘合片具备基材和粘合剂层，在100℃的气体环境下所述粘合剂层对硅的芯片拉力试验中求得的值为3.0N/芯片以上。2.根据权利要求1所述的粘合片，其中，所述基材在100℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：高野健，菊池和浩，杉野贵志，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP