一种提高电容匹配度的版图结构及其实现方法技术

一种提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。本发明专利技术还提供一种提高电容匹配度的版图实现方法，使用横向的侧壁电容，减小纵向电容，从而减小端口的寄生电容、增加单位电容之间的匹配精度。

A layout structure and its realization method to improve the matching degree of capacitance

An improved capacitor layout structure, including the matching degree, the upper and lower metal layer and the metal layer level, middle level, the upper and lower layers of metal layer and the intermediate metal layer level single longitudinal metal, a port of the A; the single longitudinal metal port A on both sides of the middle layer of the metal B, a port; the upper and lower metal layer, and between the intermediate level metal layer connected through the through hole. The invention also provides a layout implementation method to improve the matching degree of the capacitance. The lateral capacitance is used to reduce the longitudinal capacitance, thereby reducing the parasitic capacitance of the port and increasing the matching accuracy between the unit capacitors.

【技术实现步骤摘要】
一种提高电容匹配度的版图结构及其实现方法
本专利技术涉及EDA
，特别是涉及一种提高电容匹配度的版图结构及其实现方法。
技术介绍
电容是集成电路中的重要元器件，广泛应用在诸如采样保持电路，模数转换器，滤波器，以及射频电路等模块中。电容的匹配精度会直接影响整个模块的线性度、速度、面积、功耗等因素。集成电路实现的电容包括MOM电容、MIM电容、PIP电容等。其中随着工艺尺寸不断缩小，MOM电容的单位电容密度有所提高，同时MOM电容具有良好的线性度和Q值，在很多场合都得到了大规模应用。在现代工艺的发展过程中，垂直方向的尺寸缩减速度要远小于横向的尺寸缩减速度。因此，在深亚微米工艺中MOM电容值由两部分组成：横向侧壁电容以及纵向上下极板电容。由于横向和纵向两个方向的电容在工艺制造过程中会产生完全不同的偏差，会大大降低单位电容的匹配精度。
技术实现思路
为了解决现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种提高电容匹配度的版图结构及其实现方法，通过使用横向电容，减小纵向电容，从而减小B端口的寄生电容、增加单位电容之间的匹配精度。为实现上述目的，本专利技术提供的提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，其中，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。进一步地，所述上、下金属层层次，用于屏蔽所述端口B对其他介质的寄生电容。进一步地，所述中间金属层层次，用于产生主体侧壁电容。进一步地，所述端口A与所述端口B从上至下为单端口的排列方式，形成直条叉指形。更进一步地，所述端口A位于同一垂直位置，所述端口B位于同一垂直位置。为实现上述目的，本专利技术提供的提高电容匹配度的版图实现方法，包括以下步骤：（1）连接最上层金属和最下层金属，以及中间金属层次的单一纵向金属，构成端口A。（2）连接端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B。（3）根据电容的容值，确定中间金属的金属层次，以及端口A及端口B的个数。（4）根据总电容的容值，对多个电容单元阵列进行布局。（5）对电容阵列进行走线。本专利技术的提高电容匹配度的版图结构及其实现方法，将端口A放在同一垂直位置，端口B放在同一垂直位置，这样端口A和端口B的电容主要由侧壁电容决定，大大减小了纵向的上下极板电容，从而提高了匹配性。采用上、下金属层作为端口A，完全屏蔽端口B对其他介质的寄生电容，对于诸如高速模数转换器、开关电容电路等对单一端口的寄生有较大敏感性的应用场合，具有提高线性度的作用。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，并与本专利技术的实施例一起，用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构纵向剖面图；图2为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构的MN、MZ、MY层的横向俯视图；图3为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构的MX及MK层的横向俯视图；图4为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构实现方法流程图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的优选实施例进行说明，应当理解，此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图1为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构纵向剖面图，图2为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构的MN、MZ、MY层的横向俯视图，图3为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构的MX及MK层的横向俯视图，如图1-3所示，对本专利技术的本专利技术的提高电容匹配度的版图结构，包括：上、下金属层层次MK及MX，用以屏蔽端口B对其他介质的寄生电容；中间金属层层次MN、MZ、MY，用以产生主体侧壁电容；通孔，用以连接不同的金属层次；最上层金属MK和最下层金属MX，以及中间金属层次MN、MZ、MY的单一纵向金属A，构成端口A；端口A的左右两侧中间金属层次MN、MZ、MY的单一纵向金属B，构成端口B；端口A与端口B从上至下为单端口的排列方式，形成直条叉指形，用于降低纵向的寄生电容。图4为根据本专利技术的提高电容匹配度的版图结构实现方法流程图，下面将参考图4，对本专利技术的提高电容匹配度的版图结构实现方法进行详细描述。在步骤101，连接最上层金属MK和最下层金属MX，以及中间金属层次MN、MZ、MY的单一纵向金属A，构成端口A。在步骤102，连接端口A的左右两侧中间金属层次MN、MZ、MY的单一纵向金属B，构成端口B。在步骤103，根据所需的电容的容值，确定中间金属的金属层次，以及端口A及端口B的个数。在步骤104，根据所需的总电容的容值，对多个电容单元阵列进行布局。特别地，可以本专利技术的版图结构作为单位电容，电容单元阵列的个数为总电容值/单位电容值。在步骤105，对电容阵列进行走线。最上层金属MK和最下层金属MX连接在端口A上，将寄生电容都等效到端口A，最大程度减小了端口B的寄生电容，对于诸如逐次逼近等对单一端口有较高要求的应用场合，可以提高其线性度。本领域普通技术人员可以理解：以上所述仅为本专利技术的优选实施例而已，并不用于限制本专利技术，尽管参照前述实施例对本专利技术进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本专利技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，其特征在于，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。

【技术特征摘要】
1.一种提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，其特征在于，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。2.根据权利要求1所述的提高电容匹配度的版图结构，其特征在于，所述上、下金属层层次，用于屏蔽所述端口B对其他介质的寄生电容。3.根据权利要求1所述的提高电容匹配度的版图结构，其特征在于，所述中间金属层层次，用于产生主体侧壁电容。4.根据权利要求1所述的提高电容匹配度的版图结...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵喆，李长猛，刘建，李雷，刘寅，
申请(专利权)人：北京华大九天软件有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11