显示基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种显示基板及其制造方法，包括端子部和显示部；所述端子部包括靠近显示基板边缘的端子主体部和靠近显示部的端子非主体部，所述端子主体部和端子非主体部的连接处呈台阶状。本发明专利技术通过端子主体部和端子非主体部设计呈不等宽度，即使是导电性图案之间存在导电残余物的情况下，也能可靠的切断电流泄露路径；本发明专利技术不需要增加制造成本，且无繁琐工艺制程，能有效的减少产品不良，提高良率，提高面板质量，提高生产效率和生产精度。

Display substrate and its manufacturing method

The present invention provides a display substrate and its manufacturing method, including the terminal portion and a display portion; the terminal portion includes a display substrate near the edge of the main body of the terminal part and close to the display terminal parts of non main body, the connection terminal of the main body portion and a terminal non main body is in the shape of a step. The present invention through the terminal body and a terminal body design non with unequal width, even in the presence of conductive residues between the conductive pattern of the case, also can cut off the current leakage path and reliable; the invention does not need to increase the manufacturing cost, and no cumbersome process, can effectively reduce the bad products, improve the yield the rate of increase, the panel quality, improve the production efficiency and accuracy.

【技术实现步骤摘要】
显示基板及其制造方法
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种显示基板及其制造方法。
技术介绍
在显示基板的制造中，一般来说，会在数据配线或端子部配线上覆盖较厚的绝缘膜(绝缘膜一般为有机树脂膜)，然后在绝缘性保护膜上形成由ITO制成的导电性膜图案。图1(a)为显示基板的数据配线或端子部配线俯视图，图1(b)为数据配线或端子部配线靠近绝缘膜边缘的剖面图，图1(c)为接触孔10(栅绝缘层和刻蚀阻挡层)处的剖面图。显示基板包括底层基板00、由第一金属形成在底层基板00上的栅线1、覆盖栅线1的栅极绝缘层2、位于栅极绝缘层2上的半导体层(图未示)、位于半导体层上的刻蚀阻挡层3、形成位于数据配线或端子部配线100上的接触孔10、由第二金属形成位于刻蚀阻挡层3上且与半导体层电性连接的源极和漏极4、覆盖源极和漏极4的无机绝缘膜51和有机绝缘膜52、以及由ITO材料形成在无机绝缘膜51和有机绝缘膜52的导电膜图案6；其中，接触孔10位于数据配线或端子部配线100所在区域，以便通过第二金属通过接触孔10与第一金属接触，形成数据配线或端子部配线100。在理想的状态下，相邻的数据配线或端子部配线100之间是电绝缘的。在实际制造，如图2(a)所示，导电膜图案6由光阻7进行光刻的过程中，如图2(b)和图2(c)所示，涂布的光阻7和ITO材料6沿着有机绝缘膜52的台阶斜面521变厚，且光阻在有机绝缘膜52的台阶斜面521底部(如图1(a)所示的J-K线上)，尤其是图2(a)中图层交叠底部角落处(J/K点)，曝光会不充分，显影后会有光阻残留7，在导电膜图案6刻蚀后会有导电残余物61，导致ITO间(如图2(d))或者与ITO直接接触的金属层之间(图2(e))电性连接，产生电流泄露路径。因此，实际制造的出来的阵列基板如图2(d)和图2(e)所示，在有机绝缘膜52的台阶斜面底部，有残留导电残余物的倾向。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种切断导电残余物导致的导电性图案之间短路的显示基板及其制造方法。本专利技术提供一种显示基板，包括端子部和显示部；所述端子部包括靠近显示基板边缘的端子主体部和靠近显示部的端子非主体部，所述端子主体部和端子非主体部的连接处呈台阶状。优选地，所述端子主体部和端子非主体部均包括两个金属图层和一个导电层，所述端子主体部的两个金属图层之间电性连接；所述端子非主体部的两个金属图层相互绝缘。优选地，所述端子主体部和端子非主体部均包括由第一金属形成的第一图层、由第二金属形成的第二图层、以及由导电材料形成的第三图层；端子主体部的第一图形的宽度不小于端子非主体部的第一图形的宽度，端子主体部的第二图形的宽度不小于端子非主体部的第二图形的宽度，端子主体部的第三图形的宽度不小于端子非主体部的第三图形的宽度。优选地，显示部上覆盖有有机绝缘膜，部分所述端子非主体部和所述有机绝缘膜重叠。优选地，所述端子非主体部还包括位于第一图层和第二图层之间的至少一个绝缘层。优选地，所述绝缘层为栅极绝缘层。优选地，所述绝缘层为栅极绝缘层、和位于栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层。优选地，相邻两个端子主体部的间距为S1，相邻两个端子非主体部的间距为S2，S1和S2之间的关系为：S1＜S2≤2.5*S1。本专利技术还提供一种显示基板的制造方法，包括如下步骤：由第一金属形成栅线、位于端子主体部的第一图形、以及位于端子非主体部的第一图形，端子主体部的第一图形的宽度不小于端子非主体部的第一图形的宽度；在栅线上覆盖栅极绝缘层；形成刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层的形成过程中，在端子主体部的第一图形上形成接触孔；由第二金属形成源极和漏极、与栅极纵横交错的数据线、位于端子主体部的第二图形、以及位于端子非主体部的第二图形，端子主体部的第二图形的宽度不小于端子非主体部的第二图形的宽度；在第二金属上覆盖有机绝缘膜，同时刻蚀掉位于端子主体部上的有机绝缘膜、刻蚀掉部分位于端子非主体部上的有机绝缘膜、以及形成位于漏极上方的漏极孔；由导电材料形成在有机绝缘膜上的导电膜图案、位于端子主体部的第三图形、以及位于端子非主体部的第三图形，同时导电材料通过漏极孔与漏极电性连接；端子主体部的第三图形的宽度不小于端子非主体部的第三图形的宽度。本专利技术又提供一种显示基板的制造方法，包括如下步骤：由第一金属形成栅线、位于端子主体部的第一图形、以及位于端子非主体部的第一图形，端子主体部的第一图形的宽度不小于端子非主体部的第一图形的宽度；在栅线上覆盖栅极绝缘层；刻蚀栅绝缘层，在端子主体部的第一图形上形成接触孔；由第二金属形成栅极和漏极、与栅极纵横交错的数据线、位于端子主体部的第二图形、以及位于端子非主体部的第二图形，端子主体部的第二图形的宽度不小于端子非主体部的第二图形的宽度；在第二金属上覆盖有机绝缘膜，同时刻蚀掉位于端子主体部上的有机绝缘膜、刻蚀掉部分位于端子非主体部上的有机绝缘膜、以及形成位于漏极上方的漏极孔；由导电材料形成在有机绝缘膜上的导电膜图案、位于端子主体部的第三图形、以及位于端子非主体部的第三图形，同时导电材料通过漏极孔与漏极电性连接；端子主体部的第三图形的宽度不小于端子非主体部的第三图形的宽度。本专利技术通过端子主体部和端子非主体部设计呈不等宽度，即呈台阶状，即使是导电性图案之间存在导电残余物的情况下，也能可靠的切断电流泄露路径；本专利技术不需要增加制造成本，且无繁琐工艺制程，能有效的减少产品不良，提高良率，提高面板质量，提高生产效率和生产精度。附图说明下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本专利技术予以进一步说明。图1(a)为现有理想状态下的显示基板的数据配线或端子部配线俯视图；图1(b)为图1(a)在A-A处的剖视图；图1(c)为图1(a)在B-B处的剖视图；图2(a)为现有实际制造中的显示基板的数据配线或端子部配线俯视图；图2(b)为图2(a)所示导电图案光刻过程的示意图；图2(c)为图2(b)所示光刻导电图案的过程中残留导电残余物的示意图；图2(d)为图2(a)在A-A处导电图案存在电流漏电路径示意图图2(e)为图2(d)在A-A处第二金属层存在电流漏电路径示意图；图3(a)为本专利技术显示基板的数据配线或端子部配线俯视图；图3(b)为图3(a)在A-A处的剖视图。具体实施方式为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本专利技术的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与本专利技术相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。在本专利技术的一方式所涉及的显示基板，其包括TFT开关，TFT开关的种类可以是非晶硅(a-Si：amorphousSilicon)TFT，也可以是低温多晶硅(LPS：LowtemperaturePolySilicon)TFT。本专利技术显示基板为垂直排列型(VA：VerticalAlignment)方式，也可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板，包括端子部和显示部；其特征在于：所述端子部包括靠近显示基板边缘的端子主体部和靠近显示部的端子非主体部，所述端子主体部和端子非主体部的连接处呈台阶状。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板，包括端子部和显示部；其特征在于：所述端子部包括靠近显示基板边缘的端子主体部和靠近显示部的端子非主体部，所述端子主体部和端子非主体部的连接处呈台阶状。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于：所述端子主体部和端子非主体部均包括两个金属图层和一个导电层，所述端子主体部的两个金属图层之间电性连接；所述端子非主体部的两个金属图层相互绝缘。3.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于：所述端子主体部和端子非主体部均包括由第一金属形成的第一图层、由第二金属形成的第二图层、以及由导电材料形成的第三图层；端子主体部的第一图形的宽度不小于端子非主体部的第一图形的宽度，端子主体部的第二图形的宽度不小于端子非主体部的第二图形的宽度，端子主体部的第三图形的宽度不小于端子非主体部的第三图形的宽度。4.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于：显示部上覆盖有有机绝缘膜，部分所述端子非主体部和所述有机绝缘膜重叠。5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于：所述端子非主体部还包括位于第一图层和第二图层之间的至少一个绝缘层。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于：所述绝缘层为栅极绝缘层。7.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于：所述绝缘层为栅极绝缘层、和位于栅极绝缘层上的刻蚀阻挡层。8.根据权利要求1或2所述的显示基板，其特征在于：相邻两个端子主体部的间距为S1，相邻两个端子非主体部的间距为S2，S1和S2之间的关系为：S1＜S2≤2.5*S1。9.一种显示基板的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：由第一金属形成栅线、位于端子主体部的第一图形、以及位于端子非主体部的第一图形，端子主体部的第一图形的宽...

【专利技术属性】
技术研发人员：王杰，王利忠，周刘飞，
申请(专利权)人：南京中电熊猫液晶显示科技有限公司，南京中电熊猫平板显示科技有限公司，南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32