一种阵列基板及其制作方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。阵列基板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括主沟道区和边缘沟道区，在沿第一方向上，边缘沟道区位于主沟道区的两侧；绝缘层，设置于有源层之上，绝缘层在有源层所在平面的正投影覆盖主沟道区和边缘沟道区；栅极金属层，设置于绝缘层之上，栅极金属层包括栅极和栅极线，其中，栅极线与栅极相连接，栅极线沿第一方向延伸，栅极在有源层所在平面的正投影与主沟道区重合，沿第二方向上，栅极的宽度大于栅极线的宽度。按照本发明专利技术的技术方案，可以避免薄膜晶体管产生的驼峰效应，提升了阵列基板和显示装置性能可靠性。

An array substrate and its making method and display device

The invention discloses an array substrate and a manufacturing method and a display device. The array substrate comprises a plurality of thin film transistor, thin film transistor includes an active layer, an active layer comprises a main channel region and edge channel region along the first direction, on both sides of the edge of the channel region is located in the main channel region; an insulating layer is arranged on the active layer, the insulating layer on the active layer of orthographic projection the plane covering the main channel region and the edge of the channel region; a gate metal layer disposed on the insulating layer, a gate metal layer includes gate and gate line, the gate line and a gate connected to the gate line extends along the first direction, the gate in the active layer plane projection and main channel region coincide. Along the second direction, the gate width is greater than the width of the gate line. According to the technical scheme of the invention, the hump effect produced by the thin film transistors can be avoided, and the performance reliability of the array substrate and the display device can be improved.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法和显示装置
本专利技术涉及显示
，更具体地，涉及一种阵列基板及其制作方法和显示装置。
技术介绍
目前显示面板主要包括两大类：LCD显示面板(LiquidCrystalDisplay，液晶显示面板)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示面板。在显示面板技术中，TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)是显示面板的核心部件，一般呈阵列排布制作在基板上，作为显示面板像素单元的开关器件。薄膜晶体管包括：栅极、源极、漏极和有源层，源极和漏极分别与有源层连接，当对栅极施加电压后，随着栅极电压增加，有源层表面将由耗尽层转变为电子积累层，形成反型层，当达到强反型时(即达到开启电压时)，有源层有载流子移动实现源极和漏极之间的导通。就结构而言，根据栅极的位置，薄膜晶体管通常分为顶栅和底栅两种结构。但是，在实际应用过程中发现，常规的薄膜晶体管的可靠性较差。因此，提供一种性能可靠的阵列基板及其制作方法和显示装置，是本领域亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法和显示装置，解决了提高性能可靠性的技术问题。第一方面，为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种阵列基板，包括多个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括主沟道区和边缘沟道区，在沿第一方向上，边缘沟道区位于主沟道区的两侧；绝缘层，设置于有源层之上，绝缘层在有源层所在平面的正投影覆盖主沟道区和边缘沟道区；栅极金属层，设置于绝缘层之上，栅极金属层包括栅极和栅极线，其中，栅极线与栅极相连接，栅极线沿第一方向延伸，栅极在有源层所在平面的正投影与主沟道区重合，沿第二方向上，栅极的宽度大于栅极线的宽度，第一方向与第二方向均与有源层所在的平面平行，且第一方向与第二方向相交。第二方面，为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种阵列基板的制作方法，阵列基板包括多个薄膜晶体管，制作方法包括：制作薄膜晶体管的有源层，有源层包括主沟道区和边缘沟道区，在沿第一方向上，边缘沟道区位于主沟道区的两侧；在有源层之上制作薄膜晶体管的绝缘层，绝缘层在有源层所在平面的正投影覆盖主沟道区和边缘沟道区；在绝缘层之上制作薄膜晶体管的栅极金属层，栅极金属层包括栅极和栅极线，其中，栅极线与栅极相连接，栅极线沿第一方向延伸，栅极在有源层所在平面的正投影与主沟道区重合，沿第二方向上，栅极的宽度大于栅极线的宽度，第一方向与第二方向均与有源层所在的平面平行，且第一方向与第二方向相交。第三方面，为了解决上述技术问题，本专利技术提出一种显示装置，包括本专利技术提出的任意一种阵列基板。与现有技术相比，本专利技术的阵列基板及其制作方法和显示装置，实现了如下的有益效果：本专利技术提供的阵列基板中的薄膜晶体管，在栅极和栅极线中通入电压时，边缘沟道区内由于栅压的作用产生电流，但沿第二方向上边缘沟道区的至少一侧存在没有被栅极线覆盖的区域，边缘沟道区不能沿第二方向上直接导通薄膜晶体管中的源极和漏极，避免了边缘沟道区优先开启使薄膜晶体管产生驼峰效应，进而提升显示装置性能可靠性。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1为相关技术中薄膜晶体管的俯视示意图；图2为本专利技术实施例提供的阵列基板中薄膜晶体管的俯视示意图；图3为图2中沿切线A-A′的剖面示意图；图4为本专利技术实施例提供的阵列基板的薄膜晶体管的另一种可选实施方式俯视示意图；图5为本专利技术实施例提供的阵列基板的薄膜晶体管的另一种可选实施方式俯视示意图；图6为图5中沿切线C-C′的剖视示意图；图7为相关技术中薄膜晶体管的一种可选实施方式示意图；图8为本专利技术实施例提供的阵列基板的薄膜晶体管的另一种可选实施方式俯视示意图；图9为本专利技术实施例提供的阵列基板的薄膜晶体管的另一种可选实施方式俯视示意图；图10为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图11为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法另一种可选实施方式的流程图；图12为本专利技术实施例提供的显示装置示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本专利技术涉及一种阵列基板，阵列基板上形成有薄膜晶体管(Thin-filmtransistor，TFT)，本专利技术提供的阵列基板能够适用于液晶显示面板，也可以适用于有机发光显示面板。阵列基板上形成的TFT作为像素单元的开关器件，包括：栅极、源极、漏极和有源层，源极和漏极分别与有源层连接，当对栅极施加电压后，在栅极和有源层之间形成电场，进而使得有源层中载流子的移动实现源极和漏极之间的导通。阵列基板上还形成有栅极线和数据线，栅极线与栅极连接用于为显示面板传输栅极扫描信号，数据线与漏极连接用于传输数据信号。图1为相关技术中薄膜晶体管的俯视示意图，如图1所示，薄膜晶体管包括有源层101′，有源层101′包括主沟道区Z′和边缘沟道区B′，栅极102′在有源层101′上方沿方向a′横穿有源层101′，当对栅极102′施加电压时，栅极102′电压产生的电场控制主沟道区Z′和边缘沟道区B′内的载流子产生移动，进而实现源极103′和漏极104′的导通，在相关技术中，对栅极102′施加电压时，主沟道区Z′能够产生载流子迁移导通薄膜晶体管的源极和漏极，边缘沟道区B′能够产生载流子迁移导通薄膜晶体管的源极和漏极，而相关技术中边缘沟道区B′会先于主沟道区Z′达到饱和电流提前开启时，导致薄膜晶体管产生驼峰效应，影响薄膜晶体管性能。本专利技术涉及一种阵列基板和显示面板，通过设计一种新的薄膜晶体管的结构，实现薄膜晶体管主要体现主沟道区的特性，避免了薄膜晶体管产生驼峰效应，提升了薄膜晶体管性能可靠性，进而提升阵列基板性能可靠性。本专利技术提供一种阵列基板，阵列基板包括多个薄膜晶体管，图2为本专利技术提供的阵列基板中薄膜晶体管的俯视示意图。图3为图2中沿切线A-A′的剖面示意图。同时参考图2和图3所示，薄膜晶体管包括：有源层101，有源层101包括主沟道区Z和边缘沟道区B，在沿第一方向a上，边缘沟道区B位于主沟道区Z的两侧；绝缘层102设置于有源层101之上，绝缘层102为栅极绝缘层，绝缘层102在有源层101所在平面的正投影覆盖主沟道区Z和边缘沟道区B；栅极金属层103设置于绝缘层102之上，栅极金属层103包括栅极1031和栅极线1032，其中，栅极线1032与栅极1031相连本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括主沟道区和边缘沟道区，在沿第一方向上，所述边缘沟道区位于所述主沟道区的两侧；绝缘层，设置于所述有源层之上，所述绝缘层在所述有源层所在平面的正投影覆盖所述主沟道区和所述边缘沟道区；栅极金属层，设置于所述绝缘层之上，所述栅极金属层包括栅极和栅极线，其中，所述栅极线与所述栅极相连接，所述栅极线沿所述第一方向延伸，所述栅极在所述有源层所在平面的正投影与所述主沟道区重合，沿第二方向上，所述栅极的宽度大于所述栅极线的宽度，所述第一方向与所述第二方向均与所述有源层所在的平面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括主沟道区和边缘沟道区，在沿第一方向上，所述边缘沟道区位于所述主沟道区的两侧；绝缘层，设置于所述有源层之上，所述绝缘层在所述有源层所在平面的正投影覆盖所述主沟道区和所述边缘沟道区；栅极金属层，设置于所述绝缘层之上，所述栅极金属层包括栅极和栅极线，其中，所述栅极线与所述栅极相连接，所述栅极线沿所述第一方向延伸，所述栅极在所述有源层所在平面的正投影与所述主沟道区重合，沿第二方向上，所述栅极的宽度大于所述栅极线的宽度，所述第一方向与所述第二方向均与所述有源层所在的平面平行，且所述第一方向与所述第二方向相交。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述栅极线的宽度与所述栅极的宽度的比值为0.1～0.9。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘分部，所述第一绝缘分部覆盖所述主沟道区；沿所述第二方向上，所述栅极的宽度小于所述第一绝缘分部的宽度。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第二方向上，所述栅极的宽度比所述第一绝缘分部的宽度小1～2μm。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极在所述绝缘层所在平面的正投影为第一投影；所述第一投影具有沿所述第一方向延伸的对称轴，所述第一绝缘分部关于所述对称轴对称，所述第一投影的沿所述第一方向延伸的边界距所述对称轴的距离为第一距离，所述第一绝缘分部的沿所述第一方向延伸的边界距所述对称轴的距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一方向上所述边缘沟道区的长度为0.1～1μm。7.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：晏国文，
申请(专利权)人：武汉天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42