阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。其中，所述阵列基板包括：衬底，所述衬底设置有多个像素区；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素区中，且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。发明专利技术人发现，在薄膜晶体管中的层间介质层上设置部分对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率，并且能够减少大视角类不良的发生，进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量，提高消费者的消费体验。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及阵列基板及其制备方法、显示面板以及显示装置。
技术介绍
目前，大多数显示装置中的阵列基板中多采用低温多晶硅产品作为绝缘层，现有的低温多晶硅一般对光的透过率较低，而透过率差将会严重影响到显示装置的显示质量，并且会导致大视角类不良的发生，进而降低显示装置的品质，从而限制了显示装置的应用。因而，目前的阵列基板仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种透光率高或者可以减少大视角类不良的发生的阵列基板。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，所述阵列基板包括：衬底，所述衬底设置有多个像素区；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素区中，且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。专利技术人发现，在薄膜晶体管中的层间介质层上设置对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率，并且能够减少大视角类不良的发生，进而提高含有上述薄膜晶体管的显示装置的显示质量，提高消费者的消费体验。根据本专利技术的实施例，所述开口在所述衬底上的正投影与所述透光区域重叠。由此，结构简单，易于实现，并可以大大提高层间介质层的透光率，较大程度减少大视角类不良的发生。根据本专利技术的实施例，所述层间介质层上具有通孔，所述源漏极通过所述通孔与所述薄膜晶体管的有源层电连接。由此，结构简单，易于实现，并且可以有效地将源漏极和有源层连接起来，进而实现源漏极和栅极的有效连接。根据本专利技术的实施例，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层设置在所述像素区中；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述像素区中，且覆盖所述有源层；栅极，所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧；所述层间介质层，所述层间介质层设置在所述栅极远离所述衬底的一侧且覆盖所述栅极；源漏极，所述源漏极设置在所述层间介质层远离所述衬底的一侧。由此，结构简单，易于实现，并且上述薄膜晶体管能够有效地驱动像素单元，使得显示装置的显示质量较佳。根据本专利技术的实施例，所述阵列基板进一步包括遮光层，所述遮光层设置在所述衬底和所述薄膜晶体管之间，所述遮光层在所述衬底上的正投影与所述薄膜晶体管的有源层在所述衬底上的正投影部分重叠。由此，结构简单，易于实现，可以有效实现遮光功能，漏光现象较少。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种制备阵列基板的方法。根据本专利技术的实施例，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上具有多个像素区；在所述像素区中形成薄膜晶体管；其中，所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。专利技术人发现，采用上述方法制备阵列基板，操作简单方便，易于实现，且获得的阵列基板透光率较高，并且能够减少大视角类不良的发生从而改善视角类不良。在本专利技术的再一方面，本专利技术提供了一种显示面板。根据本专利技术的实施例，所述显示面板包括前面所述的阵列基板。专利技术人发现，上述显示面板结构简单，易于实现，含有上述阵列基板的显示面板透光率较高，大视角类不良得到有效改善，显示质量较高。在本专利技术的又一方面，本专利技术提供了一种显示装置。根据本专利技术的实施例，所述显示装置包括前面所述的显示面板。专利技术人发现，上述显示装置显示质量较高，大视角不良现象较少，使用性能佳，提高消费者的消费体验，有利于市场推广。附图说明图1是本专利技术的一个实施例中的阵列基板的结构示意图。图2是本专利技术的一个实施例中的制备阵列基板的流程示意图。图3-图7是本专利技术的另一个实施例中的制备阵列基板的流程示意图。图8是本专利技术的一个实施例中的制备薄膜晶体管的流程示意图。图9是现有技术中薄膜晶体管的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。本专利技术是基于专利技术人的以下认识和发现而完成的：目前的显示装置中，阵列基板中必不可少的绝缘层为层间介质层，该层对光的透过率较低，并且由于透光率低导致的视角类不良发生率越来越高，且难以通过工艺进行改善。针对上述问题专利技术人进行了深入的研究，研究后发现，可以通过对层间介质层的图案进行设计来降低层间介质层的存在率，进而改变因其存在对阵列基板光的透过率的影响，从而达到提高阵列基板对光的透过率的效果，并减少大视角类不良的发生。有鉴于此，在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种阵列基板。根据本专利技术的实施例，参照图1，所述阵列基板包括：衬底100，所述衬底100设置有多个像素区300；薄膜晶体管200，所述薄膜晶体管200设置在所述像素区300中，且所述薄膜晶体管200的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。专利技术人发现，在薄膜晶体管中的层间介质层上设置对应像素区透光区域的开口可以有效提高上述阵列基板的透光率，并且能够减少大视角类不良的发生，进而提高含有上述阵列基板的显示装置的显示质量，提高消费者的消费体验。根据本专利技术的实施例，形成层间介质层的材料没有特别限制，只要能够有效起到绝缘作用，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。例如形成层间介质层的材料可以包括但不限于二氧化硅、硼磷硅玻璃、磷硅酸盐玻璃、氮化硅或者气凝胶等，由此，材料来源广泛，价格较低，透过率较高，使用性能较佳。根据本专利技术的实施例，上述层间介质层上的设置的开口的形状没有特别限制，只要能够使得像素区的光线有效透过像素区，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择，例如可以包括但不限于规则图形或者不规则图形，其中规则图形包括但不限于圆形、多边形或者条形等。由此，可以使得阵列基板的透光率增大，使得改善视角类不良效果较佳。根据本专利技术的实施例，每个像素区中对应的层间介质层上的开口数量没有特别限制，只要能够使得像素区的光线有效透过像素区，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择，由此，可以大大提高阵列基板的透光率，有效改善视角类不良。根据本专利技术的实施例，形成上述开口的方式没有特别限制，只要能够有效形成上述可以提高透过率的开口，本领域技术人员可以根据实际需要灵活选择。例如形成上述开口的方式可以包括但不限于刻蚀(包括干法刻蚀或者湿法刻蚀等)、切割或者激光等，在本专利技术的一些实施例中，形成上述开口的方式为干法刻蚀中的光刻方式，先在层间介质层上形成一层光刻胶，通过曝光、显影、刻蚀、玻璃光刻胶等技术在层间介质层上形成开口，由此，操作简单方便，易于实现，并且采用上述掩膜版能够减少光刻胶的残留，从而可以节约显影液，达到节约成本的目的。根据本专利技术的实施例，为了进一步提高层间介质层的透过率，可以将层间介质层上的开口在所述衬底上的正投影与所述透光区域重叠设置，由此，可以大大提高阵列基板的透光率，有效改善视角类不良。根据本专利技术的实施例，为了有效地将源漏极和薄膜晶体管的有源层有效连接起来，可以在层间介质层上设置通孔，所述源漏极通过所述通孔与所述薄膜本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，所述衬底设置有多个像素区；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素区中，且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底，所述衬底设置有多个像素区；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述像素区中，且所述薄膜晶体管的栅极和源漏极之间的层间介质层具有开口，所述开口在所述衬底上的正投影覆盖所述像素区的至少一部分透光区域。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开口在所述衬底上的正投影与所述透光区域重叠。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层上具有通孔，所述源漏极通过所述通孔与所述薄膜晶体管的有源层电连接。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层设置在所述像素区中；栅绝缘层，所述栅绝缘层设置在所述像素区中，且覆盖所述有源层；栅极，所述栅极设置在所述栅绝缘层远离所述衬底的一侧；所述层间介质层...

【专利技术属性】
技术研发人员：周鑫博，剧永波，刘伟，靳希康，高建斌，王志敏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11