一种半桥电路的封装装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术属于半导体框架技术领域，尤其是涉及一种半桥电路的封装装置。它包括：塑封部分以及分别由塑封部分延伸而出的第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚，第五引脚。所述塑封部分中设有第一载芯板、和焊接在第一载芯板上的第二载芯板，其中第二载芯板上下表面是铜片，上下表面的中间是与第一载芯板相互绝缘的陶瓷。本实用新型专利技术塑封后保持与目前TO‑247标准外形的塑封尺寸一致，在不需要改变现有封装产线设备的基础上完成内置连接的半桥电路的封装，大大降低了半桥电路的成本，减小了半桥电路在电路板中占用的空间，提高了装配可靠性和装配效率。

【技术实现步骤摘要】
一种半桥电路的封装装置
本技术属于半导体框架
，尤其是涉及一种半桥电路的封装装置。
技术介绍
随着电路设计的不断发展，逆变电路的用途越来越广泛，单相全桥逆变电路的用途尤为广泛，在诸多领域中实现了电能的转换，可以实现不同的电能转换目的。普通的单相全桥电路由4颗MOSFET或者4颗IGBT组成，每个全桥电路包括两组由2只MOSFET或者2只IGBT组成的半桥电路。但是独立安装4颗MOSFET，需要12个引脚焊接点和4个管体的空间，这样大大浪费了电路板有限的空间，而且增加的引脚焊接点同时也增加了虚焊、脱焊的风险，对产品的使用可靠性带来了不利影响。
技术实现思路
本技术的目的在于针对现有技术的缺陷和不足，提供一种结构简单，设计合理、使用方便的半桥电路的封装装置，仅装配2颗器件，完成10次焊接即可完成单相全桥逆变电路的结构。以减少逆变电路所占电路板的空间，提高产品使用的可靠性。为实现上述目的，本技术采用的技术方案是：它包含塑封部分、第一引脚、第二引脚、第三引脚、第四引脚、第五引脚、所述的塑封部分的设置有第一载芯板，第一载芯板的上焊接有上桥MOSFET芯片和第二载芯板；其中，所述的第二载芯板上焊接本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半桥电路的封装装置，其特征在于：它包含塑封部分(1)、第一引脚(21)、第二引脚(22)、第三引脚(23)、第四引脚(24)、第五引脚(25)、所述的塑封部分(1)的设置有第一载芯板(31)，第一载芯板(31)的上焊接有上桥MOSFET芯片(62)和第二载芯板(32)；其中，所述的第二载芯板(32)上焊接有下桥MOSFET芯片(63)，且第二载芯板(32)上下表面是铜片，上下表面的铜片中间是与第一载芯板(31)相互绝缘的陶瓷，第二载芯板(32)底端与第四引脚(24)相连接；所述第一载芯板(31)顶端与塑封定位孔(4)相连接，底端则与第二引脚(22)相连接；所述第一引脚(21)为上桥MOSF...

【技术特征摘要】
1.一种半桥电路的封装装置，其特征在于：它包含塑封部分(1)、第一引脚(21)、第二引脚(22)、第三引脚(23)、第四引脚(24)、第五引脚(25)、所述的塑封部分(1)的设置有第一载芯板(31)，第一载芯板(31)的上焊接有上桥MOSFET芯片(62)和第二载芯板(32)；其中，所述的第二载芯板(32)上焊接有下桥MOSFET芯片(63)，且第二载芯板(32)上下表面是铜片，上下表面的铜片中间是与第一载芯板(31)相互绝缘的陶瓷，第二载芯板(32)底端与第四引脚(24)相连接；所述第一载芯板(31)顶端与塑封定位孔(4)相连接，底端则与第二引脚(22)相连接；所述第一引脚(21)为上桥MOSFET芯片(62)的栅极，第二引脚(22)为上桥MOSFET芯片(62)的漏极，第三引脚(23)为下桥MOSFET芯片(63)的栅极，第四引脚(24)既是上桥MOSFET芯片(...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖兵，沈礼福，
申请(专利权)人：苏州达晶微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32