改善电流尖端效应的引线框架及封装体制造技术

本实用新型专利技术提供一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。本实用新型专利技术的优点在于，将第三引脚的延伸部设置在第一引脚及第二引脚之间，增加了第一引脚与第二引脚之间的隔离，使得第一引脚与第二引脚之间的耦合电容很小或没有耦合电容，场效应晶体管（MOS管）导通和关断时的开关波形不会耦合到第二引脚上，进而解决了电流尖峰的问题，改善了电流尖端效应。

【技术实现步骤摘要】
改善电流尖端效应的引线框架及封装体
本技术涉及半导体封装领域，尤其涉及一种改善电流尖端效应的引线框架及封装体。
技术介绍
在示波器上对LED封装产品的样品进行测试时，发现LED封装产品在开启或关闭的瞬间有电流尖峰值产生。图1是对现有的LED封装产品使用示波器进行测试时，示波器显示的波形图，可以看出，在图形上存在电流尖峰值（尖峰值产生的位置如中箭头A所示）。图2所示为现有的用于LED封装产品的引线框架的结构示意图。参见图2，所述引线框架包括多个芯片焊垫10、片选信号引脚（CSpin）11及与所述片选信号引脚11相对设置的漏极引脚（Drainpin）12，在实际的引线框架中，所述漏极引脚12仅设置在芯片焊垫10的一端，并没有明确结构特征，在图2中，采用虚线示意性地标示出漏极焊垫12的位置。经进一步研究，由于LED芯片的漏极引脚12上的电压高于所述片选信号引脚11上的电压，在LED灯芯片的片选信号引脚11及漏极引脚12之间会存在耦合电容，因此，场效应晶体管（MOS管）导通和关断时的开关波形会耦合到片选信号引脚11上，产生电流尖端效应，从而会出现电流尖峰值，影响产品品质。因此，亟需一种新的引线框架的设计来避免产生电流尖端效应。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种改善电流尖端效应的引线框架及封装体，其能够改善电流尖端效应。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。在一实施例中，所述第三引脚为L型引脚。在一实施例中，所述第一引脚为漏极引脚，第二引脚为片选信号引脚，第三引脚为源极引脚。在一实施例中，还包括一漏极焊垫，所述漏极引脚设置在漏极焊垫的一端。在一实施例中，所述漏极焊垫与其他焊垫错位设置。在一实施例中，所述漏极焊垫至所述片选信号引脚的距离大于其他焊垫至对应引脚的距离。在一实施例中，在所述引线框架的空白区域设置有多个孔。本技术还提供一种封装体，采用上述的引线框架。本技术的优点在于，将第三引脚的延伸部设置在第一引脚及第二引脚之间，增加了第一引脚与第二引脚之间的隔离，使得第一引脚与第二引脚之间的耦合电容很小或没有耦合电容，场效应晶体管（MOS管）导通和关断时的开关波形不会耦合到第二引脚上，进而解决了电流尖峰的问题，改善了电流尖端效应。附图说明图1是对现有的LED封装产品使用示波器进行测试时，示波器显示的波形图；图2是现有的用于LED封装产品的引线框架的结构示意图；图3是本技术改善电流尖端效应的引线框架的结构示意图；图4是对采用本申请改善电流尖端效应的引线框架的封装体进行测试时，示波器显示的波形图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的改善电流尖端效应的引线框架及封装体的具体实施方式做详细说明。图3是本技术改善电流尖端效应的引线框架的结构示意图。参见图3，本技术改善电流尖端效应的引线框架包括承受高压的第一引脚20及与所述第一引脚20相对的第二引脚21。在实际的引线框架中，所述第一引脚20仅设置在的一端，并没有明确结构特征，在图3中，采用虚线示意性地标示出第一引脚20的位置。在本具体实施方式中，所述第一引脚20为漏极引脚，其能够承受高压，例如，施加在第一引脚20上的电压可高于400伏。所述第二引脚21为片选信号引脚，其相对于所述第一引脚20而言为低压引脚。所述引线框架还包括第三引脚22。所述第三引脚与所述第二引脚21设置在同一侧。所述第三引脚22具有一延伸部221。所述延伸部221位于所述第一引脚20与所述第二引脚21之间，以在第一引脚20与第二引脚21之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。所述第三引脚22相对于所述第一引脚20而言为低压引脚，例如，所述第三引脚22的电位为零电位。在本具体实施方式中，所述第三引脚22为源极引脚，其呈L型。在本具体实施方式中，所述引线框架包括多个焊垫23，在所述焊垫23上可以设置芯片。所述焊垫23中的漏极焊垫231与其他焊垫23错位设置，即所述漏极焊垫231下移，以为所述第三引脚的延伸部221提供放置空间。所述第一引脚20设置在所述漏极焊垫23的一端。进一步，所述漏极焊垫231至所述第二引脚21（即片选信号引脚）的距离大于其他焊垫23至对应引脚的距离，参见图3所示，所述漏极焊垫231至所述第二引脚21（即片选信号引脚）的距离为H1，与所述漏极焊垫231相邻的一个焊垫23至与其相对的引脚24的距离为H2，其中，H1>H2。进一步，在所述引线框架的空白区域设置有多个孔25，以增加整个封装的产品结合稳定性，确保没有分层等问题影响其电性稳定性。本技术改善电流尖端效应的引线框架将第三引脚22的延伸部设置在第一引脚20及第二引脚21之间，增加了第一引脚20与第二引脚21之间的隔离，使得第一引脚20与第二引脚21之间的耦合电容很小或没有耦合电容，场效应晶体管（MOS管）导通和关断时的开关波形不会耦合到第二引脚21上，进而改善了电流尖端效应。图4是对采用本申请改善电流尖端效应的引线框架的封装体进行测试时，示波器显示的波形图，从图4可以看出，在波形中箭头A所示位置并没有出现电流尖峰值。本技术还提供一种封装体，其中在图3中，以虚线示意性地标示出封装体封装界限。所述封装体采用上述的引线框架作为支撑载体。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，其特征在于，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。

【技术特征摘要】
1.一种改善电流尖端效应的引线框架，包括承受高压的第一引脚及与所述第一引脚相对的第二引脚，其特征在于，还包括设置在所述第二引脚同一侧的第三引脚，所述第三引脚具有一延伸部，所述延伸部位于所述第一引脚与所述第二引脚之间，以在第一引脚与第二引脚之间产生电流尖端效应时起到隔离作用。2.根据权利要求1所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述第三引脚为L型引脚。3.根据权利要求1所述的改善电流尖端效应的引线框架，其特征在于，所述第一引脚为漏极引脚，第二引脚为片选信号引脚，第三引脚为源极引脚。4.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：向荣忠，姚感，阳小芮，
申请(专利权)人：上海凯虹科技电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31