多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；本实用新型专利技术能够在不增加制造工艺复杂度的条件下，实现非易失性存储功能；同时，双单元结构，相对于其他CMOS工艺的非易失性存储器，降低了存储器的占用面积，从而为业界提供了一种高性价比的存储器解决方案。

Multiple single polysilicon erasable nonvolatile memory

The utility model discloses a single polysilicon multiple erasable nonvolatile memory, a multiple single polysilicon erasable non-volatile memory includes a memory transistor, the memory transistor and well coupling capacitor connected to form a floating gate transistor, capacitor capacitance as well coupling type P well region and a polysilicon layer is formed, and well coupling capacitor the capacitance formed by the capacitance value is greater than the gate capacitance of the memory transistor, a bit line selection transistor and a bit line selection transistor for N type transistor, has the gating function; the utility model can not increase the complexity of the manufacturing process under the conditions of realization of nonvolatile memory function; at the same time, the double cell structure, not easy the volatile memory compared to other CMOS technology, reduces the occupied area of memory, which is the industry provides a cost-effective solution to memory The case.

【技术实现步骤摘要】
多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器
本技术涉及集成电路领域，尤其涉及多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器。
技术介绍
在非挥发性存储器领域，有许多不同类型的工艺、电路以及结构，而大多数的非易失性存储器，包括传统的EEPROM和Flash技术在制造过程中需要在标准CMOS工艺的基础上增加许多掩膜层次，尤其需要增加一个多晶硅浮栅层，用于保存电荷来实现数据的储存，从而增加了存储器的复杂度和成本，在许多对成本敏感的应用领域无法大量推广。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的上述问题，提供多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，用标准CMOS工艺中唯一的多晶硅层作为浮栅层保存电荷，并且通过选择管复用的双单元结构减少单个存储器单元的器件开销，从而获得一种低成本的非易失性存储器解决方案。为实现上述技术目的，达到上述技术效果，本技术是通过以下技术方案实现：一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，其特征在于：包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；浮栅晶体管的栅极连接负电压，基极连接正电压，位线选择栅接地，源极选择栅接地，源极线连接正电压，位线连接正电压，在浮栅晶体管的基极与栅极之间产生强电场，浮栅中的电子被移除，从而实现了擦除功能，同时降低了浮栅晶体管的阈值。

【技术特征摘要】
1.一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，其特征在于：包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶体管的栅极电容，位线选择晶体管和位线选择晶体管为N型晶体管，具有选通功能；浮栅晶体管的栅极连接负电压，基极连接正电压，位线选择栅接地，源极选择栅接地，源极线连接正电压，位线连接正电压，在浮栅晶体管的基极与栅极之间产生强电场，浮栅中的电子被移除，从而实现了擦除功能，同时降低了浮栅晶体管的阈值。2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于：具体包括第一字线、第二字线、第一位线、第二位线、位线选择线、源极选择线、第一阱耦合电容、第二阱耦合电容、第一选择管、第二选择管、第一存储晶体管、第二存储晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘吉平，朱金桥，唐伟，
申请(专利权)人：深圳市航顺芯片技术研发有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44