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本实用新型公开了多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，一种多次可擦写的单层多晶硅非挥发性存储器，包括存储晶体管，所述存储晶体管与阱耦合电容连接形成浮栅晶体管，阱耦合电容为P型阱区和多晶硅层形成的电容，并且阱耦合电容所形成的电容容值大于存储晶...
该专利属于深圳市航顺芯片技术研发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市航顺芯片技术研发有限公司授权不得商用。

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