存储器装置与其编程方法制造方法及图纸

技术编号:17469573 阅读:51 留言:0更新日期:2018-03-15 06:25
一种存储器装置与其编程方法,且所述存储器装置的编程方法包括下列步骤。执行存储单元分组程序,以将多个存储单元划分成多个群组。在执行存储单元分组程序之后执行编程程序,且编程程序包括下列步骤。提供第一编程脉冲、第二编程脉冲以及验证脉冲至字线。基于第一编程脉冲编程第一群组,并基于第二编程脉冲编程第二群组。基于验证脉冲判别第一群组与第二群组是否分别通过验证操作。

【技术实现步骤摘要】
存储器装置与其编程方法
本专利技术涉及一种装置与其操作方法,且特别涉及一种存储器装置与其编程方法。
技术介绍
闪存通常是采用与非门(NAND)或是或非门(NOR)架构的存储器阵列,其中NAND存储器阵列适于应用在高密度的数据储存而盛行。一般而言,NAND存储器阵列的编程可采用递增步阶脉冲编程(incrementalsteppulseprogram,简称ISPP)方式,在每一循环期间中利用单个编程脉冲与单个验证脉冲来进行存储单元的编程操作与验证操作。举例来说,图1为传统编程方法下存储单元的临界电压分布曲线的示意图。如图1所示,在第一个循环期间中,存储单元的临界电压分布将可响应于单一编程脉冲而如曲线111所示。此外,在下一个循环期间中,将再次施加单一编程脉冲,以针对尚未通过验证操作的存储单元进行编程操作,且经过2次循环操作后的存储单元的临界电压分布将如曲线112所示。以此类推,传统编程方法会反复地在每次循环期间内针对尚未通过验证操作的存储单元施加单个编程脉冲。借此,基于多次循环期间内的编程操作后,存储单元的临界电压分布将如曲线120所示,亦即存储单元的临界电压将可大于或等于验证电压VF1本文档来自技高网...
存储器装置与其编程方法

【技术保护点】
一种存储器装置的编程方法,其中该存储器装置中的一存储器阵列包括电性连接至一字线的多个存储单元,且该存储器装置的编程方法包括:执行一存储单元分组程序,以将该些存储单元划分成多个群组,且该些群组包括一第一群组与一第二群组;以及在执行该存储单元分组程序之后,执行一编程程序,且该编程程序包括:提供一第一编程脉冲、一第二编程脉冲以及一验证脉冲至该字线;基于该第一编程脉冲编程该第一群组,并基于该第二编程脉冲编程该第二群组;以及基于该验证脉冲判别该第一群组与该第二群组是否分别通过一验证操作。

【技术特征摘要】
2016.08.31 TW 1051280471.一种存储器装置的编程方法,其中该存储器装置中的一存储器阵列包括电性连接至一字线的多个存储单元,且该存储器装置的编程方法包括:执行一存储单元分组程序,以将该些存储单元划分成多个群组,且该些群组包括一第一群组与一第二群组;以及在执行该存储单元分组程序之后,执行一编程程序,且该编程程序包括:提供一第一编程脉冲、一第二编程脉冲以及一验证脉冲至该字线;基于该第一编程脉冲编程该第一群组,并基于该第二编程脉冲编程该第二群组;以及基于该验证脉冲判别该第一群组与该第二群组是否分别通过一验证操作。2.根据权利要求1所述的存储器装置的编程方法,其中该第一群组中的每一存储单元的临界电压大于该第二群组中的每一存储单元的临界电压,且该第一编程脉冲小于该第二编程脉冲。3.根据权利要求2所述的存储器装置的编程方法,其中该存储单元分组程序包括:提供一第一预编程脉冲至该字线,并基于该第一预编程脉冲编程该些存储单元;提供一第一预验证脉冲至该字线,并基于该第一预验证脉冲判别该些存储单元是否分别通过一第一预验证操作;从该些存储单元中选取出通过该第一预验证操作的存储单元,以作为该第一群组;以及从该些存储单元中选取出尚未通过该第一预验证操作的存储单元,以作为该第二群组。4.根据权利要求3所述的存储器装置的编程方法,还包括:不断地重复执行该编程程序,以利用逐渐上升至一第一电压的该第一编程脉冲将该第一群组编程至一目标状态,并利用从一第二电压开始逐渐上升的该第二编程脉冲将该第二群组编程至该目标状态。5.根据权利要求3所述的存储器装置的编程方法,其中:该些群组还包括一第三群组;该存储单元分组程序还包括:提供一第二预验证脉冲至该字线,并基于该第二预验证脉冲判别该些存储单元是否分别通过一第二预验证操作,其中该第二预验证脉冲小于该第一预验证脉冲,且该第二群组中的存储单元通过该第二预验证操作;以及从该些存储单元中选取出尚未通过该第一预验证操作与第二预验证操作的存储单元,以作为该第三群组;该编程程序还包括:提供一第三编程脉冲至该字线,且该第三编程脉冲大于该第二编程脉冲;以及基于该第三编程脉冲编程该第三群组,并基于该验证脉冲判别该第三群组是否通过该验证操作;该存储器装置的编程方法还包括:不断地重复执行该编程程序,以利用逐渐上升至一第一电压的该第一编程脉冲将该第一群组编程至一目标状态,并利用从一第二电压逐渐上升至一第三电压的该第二编程脉冲将该第二群组编程至该目标状态,并利用从一第四电压开始逐渐上升的该第三编程脉冲将该第三群组编程至该目标状态。6.根据权利要求3所述的存储器装置的编程方法,其中:该些群组还包括一第三群组与一第四群组;该存储单元分组程序还包括:在提供该第一预编程脉冲与该第一预验证脉冲之后,还依序提供一第二预编程脉冲、一第三预编程脉冲以及一第二预验证脉冲至该字线,其中该第三预编程脉冲大于该第二预编程脉冲,该第二预编程脉冲大于该第一预编程脉冲,且该第二预验证脉冲大于该第一预验证脉冲;基于该第二预编程脉冲编程通过该第一预验证操作的存储单元,并基于该第三预编程脉冲编程尚未通过该第一预验证操作的存储单元;基于该第二预验证脉冲判别该些存储单元是否分别通过一第二预验证操作,且该第一群组与该二群组中的存储单元还通过该第二预验证操作;从该些存储单元中选取通过该第一预验证操作且尚未通过该第二预验证操作的存储单元,以作为该第三群组;以及从该些存储单元中选取尚未通过该第一预验证操作与该第二预验证操作的存储单元,以作为该第四群组;该编程程序还包括:提供一第三编程脉冲至该字线,并基于该第三编程脉冲编程该第三群组,其中该第三编程脉冲大于该第一编程脉冲,且该第三编程脉冲小于该第二编程脉冲;提供一第四编程脉冲至该字线,并基于该第四编程脉冲编程该第四群组,其中该第四编程脉冲大于该第二编程脉冲;以及基于该验证脉冲判别该第三群组与该第四群组是否分别通过该验证操作。...

【专利技术属性】
技术研发人员:李亚睿陈冠复
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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