一种NAND闪存装置的编程方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)，且该编程方法包括首先实施预充电步骤，在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和HVPW实施预充电。该编程方法能够降低编程关断串中多晶硅上的电荷数量，从而增大沟道耦接电压，以提高编程干扰性能。并且因为源极和漏极施加了相同电压，没有电流穿过沟道孔，因此该方法不会增大功耗。

A programming method for NAND flash memory device

The present invention provides a method of programming a NAND flash memory device, the NAND flash memory device includes a memory cell array in each unit on one side of the substrate of the memory cell array is arranged on the drain, source and high voltage P type well region is configured in the substrate on the other side of the (HVPW), and the the programming method comprises the steps of implementation of pre charging steps in the pre charging step, in addition to the implementation of pre charge drain outside of the source and the implementation of HVPW pre charge. The programming method can reduce the amount of charge on the polysilicon in the shut - off string and increase the channel coupling voltage to improve the performance of the programming interference. And because the same voltage is applied to the source and the drain, and no current passes through the channel hole, so this method does not increase the power consumption.

【技术实现步骤摘要】
一种NAND闪存装置的编程方法
本专利技术涉及存储器件
，更为具体的说，涉及一种NAND闪存装置的编程方法。
技术介绍
NAND闪存装置是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，随着人们追求功耗低、质量轻和性能佳的非易失存储产品，其在电子产品中得到了广泛的应用。NAND闪存装置的单元阵列区包括多个晶体管串，每个串通常包括彼此串连的行选择晶体管、多个单元晶体管和接地选择晶体管，如图1所示。其中单元晶体管A、B、C和D的栅极连接到同一字线WL2，而在编程操作时，该字线WL2将会被施加高电压。如果仅需要使得单元晶体管A进行编程操作，那么单元晶体管B、C和D必须被关断。为了实现该关断操作，单元晶体管B、C和D所在的串必须通过串选择线(SSL)和接地选择线(GSL)而被关闭。这些串的沟道将会在编程操作中施加能够防止该单元将会被编程控制的升压高电位。其中图2示出了典型的编程时序图，所述编程过程可以被划分为三个步骤：1、预充电步骤；2、全导通步骤；3.编程步骤。但在编程操作中，当顶部选择栅(TSG)和底部选择栅(BSG)关闭时，沟道孔将会浮置。当编程电压施加在单元晶体管栅极上时该沟道孔将会被耦接到高电位。沟道孔中的该高电位是实现编程关断操作的关键参数，电位越高编程干扰性能越好。而多晶硅中的电荷会极大影响该电位，电荷数量越少该电位越高。在编程操作中第一个步骤就是预充电步骤，现有技术中的预充电步骤如图3所示，是通过在漏极上施加电压进行预充电从而降低多晶硅中的电荷数量。根据图4所示的编程干扰与漏极预充电电压之间的关系图可知，漏极预充电电压越高编程干扰性能越好。然而，在电路设计中，该预充电电压通常是电源电压(Vcc)。通常来说NAND闪存装置的外围电路仅能够输出特定电压，任何其他电压都将会产生使得外围电路负荷和芯片面积增大的问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本专利技术提供了一种NAND闪存装置的编程方法，其改进点在于在预充电步骤中，除了通过SSL施加的漏极预充电之外，还具有通过GSL施加的源极和高压P型阱区(HVPW)预充电，并且施加在源极、HVPW上的该预充电电压与漏极预充电电压相同，均为Vcc。该编程方法能够降低编程关断串中多晶硅上的电荷数量，从而增大沟道耦接电压，以提高编程干扰性能。并且因为源极和漏极施加了相同电压，没有电流穿过沟道孔，因此该方法不会增大功耗。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的。提供了一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)，且该编程方法包括首先实施预充电步骤，其特征在于：在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和HVPW实施预充电。进一步地，上述漏极、源极以及HVPW的预充电电压相同。进一步地，所述预充电电压为电源电压Vcc。进一步地，通过串选择线(SSL)向漏极实施预充电。进一步地，通过接地选择线(GSL)向源极和HVPW实施预充电。进一步地，所述编程方法还包括全导通步骤和编程步骤。进一步地，在全导通步骤中，选定字线和导通字线上施加导通电压。进一步地，在编程步骤中，选定字线上施加编程电压，导通字线上施加导通电压，并且所述编程电压大于所述导通电压。本专利技术的优点在于：在编程方法的预充电步骤中，除了设置通过SSL的漏极预充电之外，还设置有通过GSL的源极和高压P型阱区(HVPW)预充电，施加在源极、HVPW上的该预充电电压与漏极预充电电压相同。这种预充电方法能够实现优异的编程干扰性能，并且不需构建任何更多的外围电路，从而能够降低设计成本。附图说明通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本专利技术的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：图1示出了NAND闪存装置的单元阵列示图；图2为存储器根据现有技术进行编程时的时序图；图3为存储器根据现有技术进行预充电时的示图；图4为编程干扰与漏极预充电电压之间的关系图；图5为存储器根据现有技术的旧方法进行编程以及根据本专利技术的新方法进行编程时的时序图；图6为存储器根据本专利技术进行预充电时的示图；图7为编程干扰与预充电电压之间的关系图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。根据本专利技术的实施方式，提供了一种NAND闪存装置的编程方法，其改进点在于在预充电步骤中，除了通过SSL施加的漏极预充电之外，还具有通过GSL施加的源极和高压P型阱区(HVPW)预充电，并且施加在源极、HVPW上的该预充电电压与漏极预充电电压相同，均为Vcc。该编程方法能够降低编程关断串中多晶硅上的电荷数量，从而增大沟道耦接电压，以提高编程干扰性能。并且因为源极和漏极施加了相同电压，没有电流穿过沟道孔，因此该方法不会增大功耗。下面参照附图结合实施例对本专利技术作出进一步的详细说明。图5为存储器根据现有技术的旧方法进行编程以及根据本专利技术的新方法进行编程时的时序图。如图所示，在左侧的旧方法中，在预充电步骤中，仅漏极和SSL上施加了Vcc进行预充电，其余的字线、阱区、GSL以及源极均保持为基准电压。而在右侧图示则是存储器根据本专利技术的新方法进行编程时的时序图，如图所示，在预充电步骤中，除了漏极和SSL上施加了Vcc电压之外，GSL、阱区和源极上也均施加了Vcc。可见相对于现有技术中采用的预充电方法，该申请编程方法主要对预充电步骤实施了改进，改进之后，预充电电压除了通过SSL施加到漏极之外，还通过GSL施加到源极和高压P型阱区(HVPW)。并且根据图示可知施加在各处的预充电电压均为Vcc，可见在源极和漏极施加了相同电压，因此没有电流流经沟道孔，因而该新方法不会增大功耗。此外，编程方法在预充电步骤之后还依次实施全导通步骤和编程步骤。并且如图5所示，在全导通步骤中，选定字线和导通字线上施加导通电压Vpass，而在编程步骤中，选定字线上施加编程电压Vpgm，在导通字线上施加导通电压Vpass，并且所述编程电压Vpgm大于所述导通电压Vpass。图6为存储器根据本专利技术进行预充电时的示图。根据该图可知，在存储器器件中包括存储单元阵列，在存储单元阵列的每一单元串中均包括顶部选择栅(TSG)、底部选择栅(BSG)和多个单元晶体管。并且在存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)。在沟道孔两侧设置有多晶硅结构。在编程方法的预充电步骤中，除了对上述漏极进行预充电之外，还对上述源极和HVPW进行了预充电。图7则示出了根据本专利技术的编程方法，编程干扰与预充电电压之间的关系图。根据该图可以看出，在实施了本专利技术所述的编程方法之后，在预充电步骤进行的改进能够使得在不施加更大预充电电压的情况下使得读取干扰性能得到大幅度提升，并且可以看出该方法的编程干扰性能明显优于图4所示的仅施加漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)，且该编程方法包括首先实施预充电步骤，其特征在于：在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和HVPW实施预充电。

【技术特征摘要】
1.一种NAND闪存装置的编程方法，该NAND闪存装置包括存储单元阵列，在所述存储单元阵列的每一单元串一侧的衬底上配置有漏极，在另一侧的衬底上则配置有源极和高压P型阱区(HVPW)，且该编程方法包括首先实施预充电步骤，其特征在于：在该预充电步骤中，除了对上述漏极实施预充电之外，还对上述源极和HVPW实施预充电。2.根据权利要求1所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，上述漏极、源极以及HVPW的预充电电压相同。3.根据权利要求2所述的NAND闪存装置的编程方法，其特征在于，所述预充电电压为电源电压Vcc。4.根据权利要求1至3任一所述的NAND闪存装置的编...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红涛，靳磊，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42