用于运行串行非易失性半导体存储器的方法技术
A method for running serial nonvolatile semiconductor memory
The invention relates to a method for operating Serial nonvolatile semiconductor memory, in order to secure the data into the semiconductor memory, serial write sequence is applied to the input terminal, the write instruction sequence using at least bit sequence (instruction), address bit sequence (16 bit address and byte sequence data (data) a byte) during which bit write sequence, the input clock signal is applied at the end of the clock (C), and the power supply voltage is high enough applied in the power supply voltage terminal, which will be written in sequence and clock signal (C) transmitted to the semiconductor memory, in the power supply voltage is too low appears, write sequence and / or clock signal has been transmitted to the wrong.
【技术实现步骤摘要】
用于运行串行非易失性半导体存储器的方法
本专利技术涉及用于运行串行非易失性半导体存储器的方法。
技术介绍
当应当与供电电压的存在无关地使数据保持存储时，非易失性半导体存储器被使用，所述非易失性半导体存储器尤其被构造为EEPROM或闪速EEPROM。在所述半导体存储器类型的情况下，载流子为此被施加到绝缘栅电极上，所述绝缘栅电极处于浮动电位（浮动栅极（floatinggate））。为了执行这一点，需要比通常从外部作为供电电压施加到半导体芯片上的电压明显更高的电压作为所谓的编程电压，其中存储器在所述半导体芯片上被实现。因此，半导体存储器芯片具有充电泵，所述充电泵从供电电压中产生编程电压。如果供电电压不足够高，那么经常不再能够产生需要的编程电压，由此到半导体存储器中的有错误的写过程发生。在此，串行EEPROM和串行闪速EEPROM是具有串行数据输入端的半导体存储器。在向非易失性存储器中写时由电压扰动所引起的数据损坏是在机动车辆中使用串行EEPROM和串行闪速EEPROM时的严重问题。尤其在机动车辆的起动和随动阶段（Start-undNachlaufphase）中经常发生写...
【技术保护点】
用于运行串行非易失性半导体存储器的方法，其中为了安全地将数据写到所述半导体存储器中，串行写序列被施加到输入端子上，所述写序列至少利用指令比特序列（指令）、地址比特序列（16比特地址）和数据字节序列（数据字节）构成，其中在传输所述写序列的比特期间，在时钟输入端处施加时钟信号（C），并且在供电电压端子处需要足够高的供电电压，其特征在于，在将所述写序列和所述时钟信号（C）传输给所述半导体存储器期间，在出现太低的供电电压时，所述写序列和/或所述时钟信号继续地有错误地被传输。
【技术特征摘要】
2016.07.15 DE 102016212956.21.用于运行串行非易失性半导体存储器的方法，其中为了安全地将数据写到所述半导体存储器中，串行写序列被施加到输入端子上，所述写序列至少利用指令比特序列（指令）、地址比特序列（16比特地址）和数据字节序列（数据字节）构成，其中在传输所述写序列的比特期间，在时钟输入端处施加时钟信号（C），并且在供电电压端子处需要足够高的供电电压，其特征在于，在将所述写序列和所述时钟信号（C）传输给所述半导体存储器期间，在出现太低的供电电压时，所述写序列和/或所述时钟信号继...
【专利技术属性】
技术研发人员：F施图尔费尔纳，
申请(专利权)人：大陆汽车有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE
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