【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种三维存储装置，并且具体涉及一种阶梯接触和栅极线结构。
技术介绍
1、垂直装置技术，例如三维(3d)nand闪存技术等可以在不需要更小的存储单元的情况下实现更高的数据存储密度。在一些示例中，3d nand存储装置包括核心区域和阶梯区域。核心区域包括交替的栅极层和绝缘层的堆叠体。交替的栅极层和绝缘层的堆叠体用于形成垂直堆叠的存储单元。阶梯区域包括台阶形式的相应的栅极层，以便于形成到相应的栅极层的接触结构。接触结构用于将驱动电路系统连接到相应的栅极层以控制堆叠的存储单元。
技术实现思路
1、本公开的方面提供了一种半导体装置。半导体装置包括衬底和交替堆叠在衬底之上的包括绝缘层和栅极层的交替层的堆叠体。交替层的堆叠体包括阵列区域和接触区域。半导体装置包括穿过阵列区域中的交替层的堆叠体设置的沟道结构。每个沟道结构形成串联构造的晶体管的堆叠体，其中栅极层是晶体管的堆叠体的栅极端子。半导体装置包括设置在接触区域中的接触结构。每个接触结构电连接到栅极层之一。半导体装置包括穿过阵列区域和接触区域...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触结构包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在去除所述接触孔的所述底部上的所述第一间隔体层期间，所述接触孔的所述侧壁上的所述第一间隔体层被保留。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一间隔体层包括氧化硅并且所述导电材料包括钨。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述栅极线沟槽包括：
6.根据权利要求2所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述牺牲材料包括多晶硅。
8...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述接触结构包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其中，在去除所述接触孔的所述底部上的所述第一间隔体层期间，所述接触孔的所述侧壁上的所述第一间隔体层被保留。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一间隔体层包括氧化硅并且所述导电材料包括钨。
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述栅极线沟槽包括：
6.根据权利要求2所述的方法，还包括：
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述牺牲材料包括多晶硅。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，用所述栅极层替换所述牺牲层包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中，在去除所述接触区域中的与所述栅极线沟槽相邻的所述牺牲层期间，保留所述接触结构的所述导电焊盘下方的所述牺牲层的至少部分。
10.根据权利要求8所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，还包...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾最新，赵祥辉，完颜俊雄，张川，豆海清，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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