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本公开的方面提供了一种半导体装置。该半导体装置包括衬底和交替堆叠在所述衬底之上的包括绝缘层和栅极层的交替层的堆叠体。交替层的堆叠体包括阵列区域和接触区域。该半导体装置包括在阵列区域中的穿过交替层的堆叠体设置的沟道结构。每个沟道结构形成串联构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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