一种H桥的检测系统及检测方法技术方案

本发明专利技术公开了一种H桥的检测系统及方法。本发明专利技术提供一种H桥的检测系统及检测方法，H桥的检测系统包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路，电路结构简单且可以实现H桥的连接状态检测；脉冲产生电路产生脉冲输入第一H桥的电源负极端后，通过电位比较电路检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态，H桥的连接状态检测方法快捷方便，且检测结果精确。

A detection system and detection method for H Bridge

The invention discloses a detection system and method for a H bridge. The invention provides a system and method for detecting a H bridge detection, including pulse generating circuit, a first sampling resistor, second sampling resistor and potential circuit system of H bridge circuit, simple structure and can realize the connection state detection of H bridge; the pulse generating circuit generates a negative pulse input power extreme bridge after the first H through the comparison, the power potential detection circuit first H bridge power supply and second H negative extreme bridge negative extreme potential is consistent, to determine the connection state of the first and second H bridge H bridge, H bridge connection state detection method is quick and convenient, and accurate detection results.

【技术实现步骤摘要】
一种H桥的检测系统及检测方法
本专利技术涉及电机驱动领域，尤其是涉及一种H桥的检测系统及检测方法。
技术介绍
在电机驱动中，驱动芯片内部采用H桥对电机进行驱动，驱动一个步进电机需要两个H桥，驱动一个直流有刷电机需要一个H桥。现在为了加大H桥对电机的驱动能力，将两个H桥并联后用来驱动同一个电机，从而增大驱动电流，加大对电机的驱动能力，在这种情况下，由于信号传输路径不同而产生延迟，会导致两个H桥发生串通现象，使得两个H桥没有有效并联起来，无法实现H桥的正常并联应用，因此需要检测两个H桥是否并联，并根据检测到的是否并联的结果做进一步的处理。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种H桥的检测系统及检测方法，用于检测两个H桥是否为并联应用。本专利技术所采用的技术方案是：一种H桥的检测系统，所述H桥的检测系统包括第一H桥、第二H桥、脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路，所述第一H桥、第二H桥均用于驱动电机，是待检测是否并联的两个H桥，所述第一H桥、第二H桥与电机连接；所述脉冲产生电路的输出端与第一H桥的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端；所述第一H桥的电源负极端通过第一采样电阻接地，所述第二H桥的电源负极端通过第二采样电阻接地；所述第一采样电阻的非接地端(即第一H桥的电源负极端)、第二采样电阻的非接地端(即第二H桥的电源负极端)与电位比较电路的输入端连接；所述电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。进一步地，所述第一H桥包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极作为第一H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为第一H桥的电源负极端。进一步地，所述第二H桥包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极作为第二H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第五NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的源极与第八NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极作为第二H桥的电源负极端。进一步地，所述电位比较电路包括电位比较器，所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较器的输入端连接。进一步地，所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，所述电位比较器输出高电平信号，所述第一H桥和第二H桥是并联应用；所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，所述电位比较器输出低电平信号，所述第一H桥和第二H桥非并联应用。进一步地，所述电位比较电路还包括单片机和检测结果提示单元，所述电位比较器的输出端与单片机的输入端连接，所述单片机的输出端与检测结果提示单元的输入端连接。进一步地，所述检测结果提示单元为指示灯和/或语音输出单元和/或显示单元。本专利技术所采用的另一技术方案是：一种H桥的检测方法，应用于所述的H桥的检测系统，包括以下步骤，利用脉冲产生电路产生瞬时脉冲并输入第一H桥的电源负极端；当所述瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，利用电位比较电路检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。进一步地，所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，所述电位比较电路输出高电平信号，所述第一H桥和第二H桥是并联应用；所述第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，所述电位比较电路输出低电平信号，所述第一H桥和第二H桥非并联应用。进一步地，所述H桥的检测方法还包括步骤：输出判断结果。本专利技术的有益效果是：本专利技术一种H桥的检测系统及检测方法，H桥的检测系统包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路，电路结构简单且可以实现两个H桥的连接状态检测；脉冲产生电路产生脉冲输入第一H桥的电源负极端后，通过电位比较电路检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态，H桥的连接状态检测方法快捷方便，且检测结果精确。附图说明下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明：图1是本专利技术一种H桥的检测系统的一具体实施例示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。一种H桥的检测系统，参考图1，图1是本专利技术一种H桥的检测系统的一具体实施例示意图，H桥的检测系统包括第一H桥、第二H桥、脉冲产生电路(未示出)、第一采样电阻R1、第二采样电阻R2和电位比较电路，第一H桥和第二H桥为相对的概念，它们是待检测是否并联的两个H桥，本实施例中，第一H桥为A，第二H桥为B，第一H桥A、第二H桥B均用于驱动电机，第一H桥、第二H桥与电机连接；脉冲产生电路的输出端与第一H桥A的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥A的电源负极端；第一H桥A的电源负极端通过第一采样电阻R1接地，第二H桥B的电源负极端通过第二采样电阻R2接地；第一采样电阻R1的非接地端(即第一H桥A的电源负极端)、第二采样电阻R2的非接地端(即第二H桥B的电源负极端)与电位比较电路的输入端连接；电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥A的电源负极端时，检测第一H桥A的电源负极端和第二H桥B的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥A和第二H桥B的连接状态。其中，瞬时脉冲输入到第二H桥B的电源负极端也可行，本实施例中，瞬时脉冲输入到第二H桥B的电源负极端，且电位比较电路检测第一H桥A的电源负极端(即A1点)和第二H桥B的电源负极端(即B1点)的电位以判断第一H桥A和第二H桥B的连接状态。本专利技术中，一种H桥的检测系统包括第一H桥、第二H桥、脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路；脉冲产生电路用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端，电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态，当第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位相等时，电位比较电路输出为高，第一H桥和第二H桥是并联应用，第一H桥和第二H桥驱动的电机为同一个电机；第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位不相等时，电位比较电路输出为低，第一H桥和第二H桥非并联应用，本专利技术不仅实现了对两个H桥的并联检测，而且检测系统的结构简单。作为技术方案的进一步改进，参考图1，第一H桥A包括第一NMOS管Q1、第二NMOS管Q2、第三NMOS管Q3和第四NMOS管Q4，第一NMOS管Q1的漏极、第二NMOS管Q2的漏极作为第一H桥A的电源正极端与电源正极Vm连接，第一NMOS管Q1的源极与第三NMOS管Q3的漏极连接，第二NMOS管Q2的源极与第四NMOS管Q4的漏极连接，第三NMOS管Q3的源极、第四NMOS管Q4的源极作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种H桥的检测系统，所述H桥的检测系统包括第一H桥和第二H桥，所述第一H桥、第二H桥均用于驱动电机，所述第一H桥、第二H桥与电机连接；其特征在于，所述H桥的检测系统还包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路；所述脉冲产生电路的输出端与第一H桥的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端；所述第一H桥的电源负极端通过第一采样电阻接地，所述第二H桥的电源负极端通过第二采样电阻接地；所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较电路的输入端连接；所述电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。

【技术特征摘要】
1.一种H桥的检测系统，所述H桥的检测系统包括第一H桥和第二H桥，所述第一H桥、第二H桥均用于驱动电机，所述第一H桥、第二H桥与电机连接；其特征在于，所述H桥的检测系统还包括脉冲产生电路、第一采样电阻、第二采样电阻和电位比较电路；所述脉冲产生电路的输出端与第一H桥的电源负极端连接，用于输出瞬时脉冲到第一H桥的电源负极端；所述第一H桥的电源负极端通过第一采样电阻接地，所述第二H桥的电源负极端通过第二采样电阻接地；所述第一采样电阻的非接地端、第二采样电阻的非接地端与电位比较电路的输入端连接；所述电位比较电路用于当瞬时脉冲输入到第一H桥的电源负极端时，检测第一H桥的电源负极端和第二H桥的电源负极端的电位是否一致，以判断第一H桥和第二H桥的连接状态。2.根据权利要求1所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述第一H桥包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，所述第一NMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极作为第一H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第一NMOS管的源极与第三NMOS管的漏极连接，所述第二NMOS管的源极与第四NMOS管的漏极连接，所述第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极作为第一H桥的电源负极端。3.根据权利要求1所述的H桥的检测系统，其特征在于，所述第二H桥包括第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和第八NMOS管，所述第五NMOS管的漏极、第六NMOS管的漏极作为第二H桥的电源正极端与电源正极连接，所述第五NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极连接，所述第六NMOS管的源极与第八NMOS管的漏极连接，所述第七NMOS管的源极、第八NMOS管的源极作为第二H桥的电源负极端。4.根据权利要求1至3任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄涛涛，赵春波，魏荣峰，姚进光，段勇，
申请(专利权)人：深圳市巴丁微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44