吸热元件及包括该吸热元件的半导体装置以及吸热元件的制造方法制造方法及图纸

就经由作为电绝缘体的热传导层(15)与半导体元件主体部(10)的表面热连接的珀耳帖型薄膜状的吸热元件部(20)而言，构成该吸热元件部(20)的物质的体热传导系数在50W/mK以上、塞贝克系数在300μV/K以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】吸热元件及包括该吸热元件的半导体装置以及吸热元件的制造方法
本专利技术涉及一种吸热元件及包括该吸热元件的半导体装置以及吸热元件的制造方法。
技术介绍
近年来，如下所述的功率半导体装置已为人所知，其中，为了提高从功率半导体装置向其外部放热的放热性，上述功率半导体装置包括珀耳帖(Peltier)元件等冷却元件。现有功率半导体装置的使功率半导体元件的发热部与珀耳帖元件接近来模块化的结构已为人所知(例如参照专利文献1)。此外，在功率半导体元件的发热部的具体而言是沟道栅极彼此之间的区域设置放热用埋层金属并在该放热用埋入金属之上设置珀耳帖元件的结构(例如参照专利文献2)已为人所知。专利文献1：日本公开专利公报特开2008-235834号公报专利文献2：日本公开专利公报特开2007-227615号公报
技术实现思路
-专利技术要解决的技术问题-然而，虽然在上述的现有技术中都使功率半导体元件的发热部与珀耳帖元件接近，但是这样一来，在两者接触部处的热电阻大，从而功率半导体元件发热后，不能一瞬间冷却下来。因此，目前存在如下所述的问题，即，为了防备功率半导体元件的最大负载时的发热量，不得不进行冗长且成本高的热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吸热元件，经由电绝缘体与半导体元件的表面热连接，所述吸热元件是珀耳帖型薄膜状的吸热元件，所述吸热元件的特征在于：构成所述吸热元件的物质的体热传导系数在50W/mK以上，塞贝克系数在300μV/K以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.23 JP 2015-1456211.一种吸热元件，经由电绝缘体与半导体元件的表面热连接，所述吸热元件是珀耳帖型薄膜状的吸热元件，所述吸热元件的特征在于：构成所述吸热元件的物质的体热传导系数在50W/mK以上，塞贝克系数在300μV/K以上。2.根据权利要求1所述的吸热元件，其特征在于：所述物质是硅、碳化硅、氮化镓、氮化铝、氮化硼以及金刚石中的任一种。3.根据权利要求1所述的吸热元件，其特征在于：所述物质是硅。4.根据权利要求1到3中任一项所述的吸热元件，其特征在于：所述物质构成p型半导体层或者n型半导体层，所述p型半导体层及所述n型半导体层相对于所述半导体元件及所述电绝缘体大致平行地排列。5.根据权利要求1到4中任一项所述的吸热元件，其特征在于：所述吸热元件直接形成在所述半导体元件的排热侧且与所述半导体元件热连接。6.根据权利要求1到5中任一项所述的吸热元件，其特征在于：所述吸热元件覆盖所述半导体元件的发热源的面积的10％以上的区域。7.一种半导体装置，其特征在于：包括权利要求1到6中任一项所述的吸热元件。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体元件是功率半导体元件。9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述半导体元件是将碳化硅作为材料的SiC类功率半导体元件。10.一种吸热元件的制造方法，所述吸热元件经由电绝缘体与半导体元件的表面热连接，所述吸热元件是珀耳帖型薄膜状的吸热元件，所述吸热元件的制造方法的特征在于：形成所述吸热元件的工序包括：在所述半导体元件上，隔着所述电绝缘体依次形成下部金属膜、第一导电型半导体层以及第一金属牺牲膜的工序：由所述第一金属牺牲膜形成用于将所述第一导电型半导体层图案化的第一金属掩模膜，使用所形成的所述第一金属掩模膜，来将所述第一导电型半导体层图案化，由此由所述第一导电型半导体层形成多个第一导电型半导体块的工序；在包含所述第一导电型半导体块的所述下部金属膜上依次形...

【专利技术属性】
技术研发人员：黑木伸一郎，古林宽，种平贵文，濑尾宣英，米盛敬，
申请(专利权)人：马自达汽车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP