成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备技术

本公开涉及可以进一步提高图像质量的成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备。一种成像设备包括光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层，其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极。然后，该浮动扩散层形成为具有比该扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。另外，在一个像素中同时设置第一光电转换单元和第二光电转换单元作为所述光电转换单元，所述第一光电转换单元能够聚集通过所述光电转换产生的电荷，通过所述光电转换产生的电荷被顺序地从所述第二光电转换单元取出并聚集在所述浮动扩散层中，并且该第一光电转换单元和该第二光电转换单元布置在沿光的照射方向上纵向的线上。本技术可以应用于例如背照式CMOS图像传感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备
本公开涉及一种成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备，特别地，涉及一种可以进一步提高图像质量的成像设备、制造方法、半导体设备和电子设备。
技术介绍
通常，存在通过与CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路类似的处理制造的被称为固态成像设备的CMOS固态成像设备(在下文中称为CMOS图像传感器)。在CMOS图像传感器中，与CMOS处理有关的微型化技术可用于容易地生产在每一个像素中具有放大功能的有源结构。CMOS图像传感器同样具有允许将外围电路单元(诸如驱动像素阵列单元的驱动电路和处理从像素阵列单元的每一个像素输出的信号的信号处理电路)整合在与像素阵列单元的芯片相同的芯片(基底)上的特性。因此，CMOS图像传感器引起人们的注意，对CMOS进行了很多研究和开发。同样，作为聚集和读取CMOS图像传感器的电荷的方法，通常采用这样的结构，其中电荷聚集在PD(光电二极管)中，转移晶体管用来将电荷转移至包括具有预定量的电荷积聚的浮动扩散层FD(浮动扩散)单元，并且读取该电荷。近年来，提出了如在PTL1、PTL2和PTL3的第四实施方案中公开的结构，其中CM本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种成像设备，其包括：光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层；其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极，其中所述浮动扩散层形成为具有比所述扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.17 JP 2015-1431641.一种成像设备，其包括：光电转换单元，其接收光并对其进行光电转换；浮动扩散层；其聚集由所述光电转换单元产生的电荷；和扩散层，其充当晶体管的源极或漏极，其中所述浮动扩散层形成为具有比所述扩散层的杂质浓度更低的杂质浓度。2.根据权利要求1的成像设备，其中在一个像素中同时设置第一光电转换单元和第二光电转换单元作为所述光电转换单元，所述第一光电转换单元能够聚集通过所述光电转换产生的电荷，通过所述光电转换产生的电荷被顺序地从所述第二光电转换单元取出并聚集在所述浮动扩散层中，以及所述第一光电转换单元和所述第二光电转换单元布置在沿光的照射方向上纵向的线上。3.根据权利要求2的成像设备，其中将聚集由所述第二光电转换单元产生的电荷的所述浮动扩散层的杂质浓度设置为比所述扩散层的杂质浓度更低的浓度。4.根据权利要求2的成像设备，其中各自设置第一浮动扩散层和第二浮动扩散层作为所述浮动扩散层，将由所述第一光电转换单元产生的电荷转移至所述第一浮动扩散层，所述第二浮动扩散层聚集由所述第二光电转换单元产生的电荷，以及将所述第二浮动扩散层的杂质浓度设置为比所述第一浮动扩散层的杂质浓度更低的浓度。5.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村良助，古闲史彦，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP