固态摄像元件、制造方法和电子装置制造方法及图纸
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像元件、制造方法和电子装置
本专利技术涉及固态摄像元件、制造方法和电子装置，并尤其涉及适于应用在向每个像素提供贯穿电极的情况下的固态摄像元件、制造方法和电子装置。
技术介绍
以与以CCD摄像元件和CMOS摄像元件为代表的固态摄像元件中的每单位面积的像素数量的增加保持同步的方式，近些年来，像素尺寸逐渐减小。由此，进入每个像素的光子数量也下降，并降低了灵敏度，从而出现S/N的降低。另外，在当前广泛使用的利用R(红色)、G(绿色)和B(蓝色)中的一个颜色的滤色器覆盖每个像素的结构中，由于例如在红色像素中，绿色光和蓝色光没有透过滤色器且没有用于光电转换，所以出现灵敏度的损失。此外，从每个像素中仅获得R、G和B中的一者的颜色信号，从而在像素之间进行插值处理(interpolationprocessing)。然而，在这种插值处理的情况下，可产生伪色(falsecolor)。作为解决上述问题的手段，在一种已知的摄像元件结构中，针对每个像素，在垂直方向上堆叠有三层的光电转换部，使得在每个像素中能够获得三种颜色的光电转换信号。具体地，提出下述结构：例如对应于绿色光的有机光电转...
【技术保护点】
一种固态摄像元件，其包括：光电转换部，所述光电转换部形成在半导体基板的各个像素部中；沟槽结构，所述沟槽结构由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定，并包围各个所述像素部；以及贯穿电极，所述贯穿电极在与所述沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿所述半导体基板。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.07.16 JP 2015-1418831.一种固态摄像元件，其包括：光电转换部，所述光电转换部形成在半导体基板的各个像素部中；沟槽结构，所述沟槽结构由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定，并包围各个所述像素部；以及贯穿电极，所述贯穿电极在与所述沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿所述半导体基板。2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述贯穿电极连接形成在所述半导体基板的一侧处的所述光电转换部和形成在所述半导体基板的相反侧处的FD。3.根据权利要求2所述的固态摄像元件，其中，所述光电转换部包括形成在所述半导体基板的所述一侧处的光电转换膜。4.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述贯穿电极由填充在孔中的导电膜形成，所述孔形成在用于限定所述沟槽结构的所述绝缘膜中。5.一种用于固态摄像元件的制造方法，其包括：在半导体基板的深度方向上形成包围所述半导体基板的各个像素部的沟槽，并在所述沟槽中填充绝缘膜，由此形成沟槽结构；且在所述沟槽结构中的所述绝缘膜中形成孔，并在所述孔中填充导电膜，由此形成贯穿电极。6.一种电子装置，在所述电子装置上安装有固态摄像元件，所述固态摄像元件包括：光电转换部，所述光电转换部形成在半导体基板的各个像素部中；沟槽结构，所述沟槽结构由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定，并包围各个所述像素部；以及贯穿电极，所述贯穿电极在与所述沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿所述半导体基板。7.一种固态摄像元件，其包括：光电转换部，所述光电转换部形成在半导体基板的各个像素部中；沟槽结构，所述沟槽结构由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定，并包围各个所述像素部；以及贯穿电极，所述贯穿电极在与所述沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿所述半导体基板，其中，所述沟槽结构由直线部和交叉点构成，所述直线部在所述交叉点处彼此交叉，且所述贯穿电极形成在与所述沟槽结构的所述直线部重叠的位置处。8.根据权利要求7所述的固态摄像元件，其中，所述沟槽结构的所述直线部和所述交叉点与所述贯穿电极在布局尺寸上具有下述关系：所述贯穿电极>所述沟槽结构的所述交叉点>所述沟槽结构的所述直线部。9.根据权利要求7所述的固态摄像元件，其中，所述沟槽结构的所述直线部和所述交叉点与所述贯穿电极在深度上具有下述关系：所述贯穿电极>所述沟槽结构的所述交叉点>所述沟槽结构的所述直线部。10.一种用于固态摄像元件的制造方法，所述固态摄像元件包括：光电转换部，所述光电转换部形成在半导体基板的各个像素部中；沟槽结构，所述沟槽结构由在所述半导体基板的深度方向上形成的绝缘膜的壁限定，并包围各个所述像素部；以及贯穿电极，所述贯穿电极在与所述沟槽结构重叠的位置处形成为贯穿所述半导体基板，所述沟槽结构由直线部和交叉点构成，所述直线部在所述交叉点处彼此交叉，且所述贯穿电极形成在与所述沟槽结构的所述直线部重叠的位置处，其中，所述沟槽结构的所述直线部和所述交叉点...
【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤尚之，松本良辅，山元纯平，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。