一种校正全局金属层工艺热点的方法技术

本发明专利技术公开了一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03‑S05。本发明专利技术提能够全局性地解决金属层工艺热点的问题。

A method for correcting the hot spot of the global metal layer process

The invention discloses a method for correcting global hot metal layer technology, which comprises the following steps: S01: hot spot detection in the metal layer, generating hot mark layer; S02: hot as the center, the focus of the epitaxial layer formation; S03: extension mask layer as reference layer, target layer is the target of heat layer of the hot pixel level optical proximity correction by mask layer 1; S04: the mask layer of reference target layer, epitaxial layer is the target layer, the epitaxial layer of optical proximity correction by mask layer II; S05: mask layer 1 and layer mask hot logicoperation, will the mask layer and epitaxial layer mask of non logic, if the two non logic results are empty, then I and II layer mask layer mask logic XOR, the metal mask layer after correction; if the two logic The operation result is not all empty, then repeat step S03 S05. The invention can solve the problem of the hot spot of the metal layer in a global manner.

【技术实现步骤摘要】
一种校正全局金属层工艺热点的方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体涉及一种校正全局金属层工艺热点的方法。
技术介绍
随着技术节点的不断减小，对于图形尺寸以及上下层的对准精度要求也越来越高。在光刻工艺制程中，由于光学成像本身的分辨率限制，垂直的版图转角，最终在硅片上曝光成像时不可避免都会产生圆化失真现象。这种转角失真，如果没有得到很好的修正补偿，往往会导致诸多问题，例如引起图形转角尺寸缩减，对上下层的对准以及面积覆盖率均会产生不利影响，严重时将导致许多符合设计规则，版图上看似安全的结构，在工艺制程中变成实际窗口不足的工艺热点。金属层的转角圆化，会导致其与通孔层的覆盖面积减小，出现覆盖率不足的问题。为了避免转角失真，业内通常采用光学临近修正(OPC)方式来进行修正，OPC修正法在现有技术中的应用主要包括添加衬线(serif)结构的基于规则的光学临近修正方式(rule-basedOPC)，以及基于模型的光学临近修正方式(model-basedOPC)。传统的OPC方法，在目标层周围加入曝光辅助图形，并对目标层进行分段，各分段根据自身的仿真轮廓与对应的目标尺寸之间的差值，进行移动，直至仿真得到的轮廓与对应的目标尺寸相等，这种方法中分段尺寸和曝光辅助图形的选取完全依靠工程师经验，不恰当的分段方法和曝光辅助图形容易造成光刻工艺热点。为了得到更精确的校正结果，光学邻近修正方法发展为像素级光学临近校正(PXOPC)，PXOPC方法与上述方法不同，其以目标层为导向，通过将目标层圆滑化，形成圆滑的曲线形光罩图案，再利用微分法将曲线整合成直线组合，最后通过各分段小幅调整获得最终光罩图案。由于这种修正过程经历了光罩图案的圆滑化和再次直线化，具有自动优化曝光辅助图形的选取，自动选择最优分段尺寸的作用，因此有助于解决工艺热点。然而，虽然PXOPC具有上述优点，但是其在曲线形光罩图形的移动和仿真过程中对计算资源的需求极大，相同CPU数量下，计算时间是传统OPC方法的4倍以上，无法进行全局的OPC修正。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种校正全局金属层工艺热点的方法，综合利用像素级光学临近校正方法和传统的光学临近校正方法，对工艺热点采用像素级光学临近校正方法进行修正，对该热点的外延区域采用传统光学临近校正方法进行修正，通过对外延区域和热点区域图形的循环修正，最终全局性地解决金属层工艺热点的问题。为了实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，所述金属层对应的光罩层为原始光罩层，所述热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层，其中，所述外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，所述原始光罩层中去除热点标记层和外延层对应的区域为非校正区域；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则将光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03-S05，直至得出校正后的金属光罩层；进一步地，所述每个热点生成的热点标记层为0.2×0.2μm的矩形。进一步地，所述每个热点对应的热点外延层为以该热点为中心并去除热点标记层的2×2μm的矩形。进一步地，所述步骤S01中热点检出的数量大于等于1。进一步地，所述像素级光学临近校正的具体方法为：S0301：对热点目标层进行圆滑化，得到曲线形的初始热点光罩层；S0302：对初始热点光罩层进行修正，得到曲线形中间热点光罩层；S0303：将曲线形的中间热点光罩层还原为直线图形，得到光罩层Ⅰ。进一步地，所述步骤S0301中对热点目标层中的所有图形线条进行圆滑化。进一步地，所述步骤S0302中通过对比光罩层的仿真结果和目标层，对初始热点光罩层进行修正。进一步地，所述步骤S0303中采用微分法将曲线形的中间热点光罩层还原为直线形状。进一步地，所述步骤S0303中直线图形经过分段修正之后得到光罩层Ⅰ。进一步地，所述光学临近校正为基于模型的光学临近校正。本专利技术的有益效果为：利用像素级光学临近校正方法的精确性对金属层中的热点进行校正，同时针对在校正热点的过程中形成的热点周边的图形变形，再次采用光学临近校正方法进行恢复，既能够确保热点区域被精确校正，也能避免在区域性的像素级光学临近校正过程中造成的图形变形，还能避免单一的像素级光学临近校正造成的计算资源需求大，计算时间长的问题。附图说明图1为本专利技术一种校正全局金属层工艺热方法的流程图。图2为像素级光学临近校正方法的流程图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做进一步的详细说明。如附图1所示，本专利技术提供的一种校正全局金属层工艺热点的方法，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，金属层对应的光罩层为原始光罩层，热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层。其中，在金属层中进行热点检出的时候，所检出的热点数量可以为1个，也可以为多个，当检出的热点数量为多个时，则会在下述步骤中对多个热点以及其对应的外延层进行同时校正。本专利技术中检出热点之后，选取一定的面积形成热点标记层，选取的面积可以根据金属层的尺寸以及其他需求进行确定，本专利技术中该热点标记层选取0.2×0.2μm的矩形，热点包括在该矩形中。S02：以每个热点为中心，生成该热点的外延层，其中，外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，原始光罩层中去除热点标记层和其对应的外延层区域为非校正区域。在上述选出热点标记层之后，在对热点标记层进行处理的过程中势必会对其周围的图形产生影响，使得周围图形发生形变，从而影响最终的仿真结果，因此，我们需要对每一个热点周边区域进行校正，以避免对热点的校正带来的周边图形变形。实际生产中，热点外延层的区域范围可以根据工艺参数、金属层尺寸等因素来进行确定，本专利技术中选取以热点为中心的2×2μm的矩形，并去除其中的热点标记图形之后的区域为外延层。此时，最初的金属层中去除热点标记层和外延层对应区域以外的地方不需要进行校正，为非校正区域。S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ。其中，如附图2所示，对热点进行像素级光学临近校正的具体方法为：S0301：对热点目标层进行圆滑化，得到曲线形的初始热点光罩层；本步骤中对目标层中的所有图形的线条进行圆滑化，从而得到曲线形的初始热点图形。S0302：通过对比初始热点光罩层的仿真图形和圆滑化的热点目标层，根据两者的差异，对初始热点光罩层进行移动修正，使得移动修正的结果尽可能地接近圆滑化的热点目标层，在此本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，所述金属层对应的光罩层为原始光罩层，所述热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层，其中，所述外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，所述原始光罩层中去除热点标记层和外延层对应的区域为非校正区域；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则将光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03‑S05，直至得出校正后的金属光罩层。

【技术特征摘要】
1.一种校正全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，包括以下步骤：S01：在金属层中进行热点检出，生成热点标记层，其中，所述金属层对应的光罩层为原始光罩层，所述热点标记层覆盖下的目标层和光罩层分别为热点目标层和热点光罩层；S02：以热点为中心，生成该热点的外延层，其中，所述外延层覆盖下的目标层和光罩层分别为外延目标层和外延光罩层，所述原始光罩层中去除热点标记层和外延层对应的区域为非校正区域；S03：以外延光罩层为参考层，热点目标层为目标层，对上述热点进行像素级光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅰ；S04：以光罩层Ⅰ为参考层，外延目标层为目标层，对上述外延层进行光学临近校正，将校正结果与原始光罩层的非校正区域进行合并，得到光罩层Ⅱ；S05：将光罩层Ⅰ和热点光罩层做逻辑非运算，将光罩层Ⅱ和外延光罩层做逻辑非运算，若两次逻辑非运算结果均为空，则将光罩层Ⅰ和光罩层Ⅱ做逻辑异或运算，得到校正后的金属光罩层；若两次逻辑运算结果不全为空，则重复步骤S03-S05，直至得出校正后的金属光罩层。2.根据权利要求1所述的一种解决全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述每个热点生成的热点标记层为0.2×0.2μm的矩形。3.根据权利要求1所述的一种解决全局金属层工艺热点的方法，其特征在于，所述每个热点对应的...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭轶群，于世瑞，赵璇，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31