一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法技术

本发明专利技术提供了一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。本发明专利技术所提供的检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，可以实时监控掩膜版和掩膜台接触面的情况。

A method for detecting the contamination of the contact surface of the mask plate and the mask table

The present invention provides a method for detecting, mask and mask Taiwan contact surface pollution include: S1: provides mask and wafer, the mask mask placed in the stage of lithography and the wafer alignment; S2: collection of mask alignment parameter compensation reference value; S3: repeat steps S1 and S2, to gather a plurality of alignment parameter compensation reference value according to a plurality of alignment compensation parameters collected reference value set alignment compensation parameters of the upper limit and lower limit; S4: repeat steps S1, collect the alignment parameter compensation alignment value, such as fruit the alignment compensation parameter value exceeds the upper limit or lower limit, then the photoetching machine stops working and cleaning mask or mask; if the alignment compensation parameters in the upper limit and the lower limit value is between the lithography machine to work. The method of detecting the contamination of the contact surface of the mask plate and the mask table provided by the invention can monitor the contact surface of the mask plate and the mask table in real time.

【技术实现步骤摘要】
一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法。
技术介绍
在集成电路制造过程中，一个完整的芯片一般需要经过十几到三十几次的光刻，在这么多次光刻中，都需要使用到掩膜版，其目的是将掩膜版上的图形转移到晶圆上。除了第一次光刻以外，其余层次的光刻在曝光前都要将该层次的图形与以前层次留下的图形对准，其目的是将掩膜版上的图形最大精度的覆盖到晶圆上已存在的图形上。但在掩膜版存放以及机械手臂传送过程中，有时会接触到污染物，从而导致掩膜台在与掩膜版接触过程有时也会受到污染，若掩膜版与掩膜台接触面有污染，将会影响掩膜版对准精度，造成对准误差；并且掩膜版和掩膜台接触面污染会造成掩膜版放置不平而失焦，导致局部区域图案异常，而目前很难对掩膜版和掩膜台接触面污染情况进行实时监测。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，以解决上述问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。可选的，清洗掩膜台之后，对步骤S4中对准后的掩膜版进行焦平面测试。可选的，对步骤S4中对准后的掩膜图案进行失焦检测。可选的，所述掩膜版上选取4个以上的测试点进行焦平面测试。可选的，步骤S4中的对准完成后，对所述晶圆曝光，曝光完成后，收集所述晶圆的正交参数。可选的，所述正交参数满足正态分布。可选的，所述掩膜版上设有对准标记。可选的，所述对准标记大于等于4个。。本专利技术所提供的检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，通过掩膜版对准补偿参数来判断掩膜版和掩膜台接触面是否存在污染，可以实时监控掩膜版和掩膜台接触面的情况，及时发现异常，避免大规模的出现异常产品，并且通过正交参数和焦平面测试来辅助验证掩膜版和掩膜台接触面的情况，使检测结果更加准确，减少误判和漏判。附图说明图1是光刻机A对准补偿参数的分布图；图2是光刻机B对准补偿参数的分布图；图3是正交参数的分布图；图4是正交参数的离散分布图；图5是焦平面测试后的测试结果正常时的分布图；图6是本专利技术一实施例所提供的检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法的流程图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。本申请的专利技术人发现，现有的掩膜版和掩膜台接触面存在污染时，很难实时监测到。为此，本申请提供了一种检测掩膜版和掩膜台接触面污染的方法，包括如下步骤：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。具体的，步骤S1的过程为：晶圆在光刻的过程中，需要将掩膜版放置在光刻机的掩膜台上，与所述晶圆进行对准。所述掩膜版上设有对准标记，一般对准标记大于等于4个，可以是所述掩膜版的每条边各有一个对准标记。每个对准标记例如包括沿水平方向排布的水平标记和沿竖直方向排布的竖直标记，分布用于水平方向和竖直方向的对准。对准过程分为掩膜版对准和晶圆对准。掩膜版对准过程中，光刻机检测掩膜版各个对准标记的偏差量，计算出掩膜版的对准补偿参数。晶圆对准过程中，也会产生相应的对准补偿参数，最终光刻机将结合掩膜版对准补偿参数及晶圆对准补偿参数修正调整并进行曝光。计算出掩膜版对准补偿参数后，计算机系统收集所述对准补偿参数的值，为方便理解，此处对准补偿参数的值称为对准补偿参数的参考值，之后多次重复上述步骤，从而收集到多个对准补偿参数的参考值。光刻机A上的掩膜版对准补偿参数的参考值如图1所示，其横坐标表示收集对准补偿参数的具体时间，纵坐标表示对准补偿参数的参考值(urad)，所述对准补偿参数的目标值为-104.5urad，目标值分别加减2.5urad，设置预警线，所述预警线上限值-102urad，下限值-107urad。所述对准补偿参数的目标值在不同的情况下具有不同的值，其值与光刻机的基准设定有关系，实际生产中，不同的光刻机的基准设定会根据实际情况进行设定，可能会有较大差别。光刻机B上的掩膜版对准补偿参数参考值如图2所示，横坐标表示收集对准补偿参数参考值的具体时间，纵坐标表示对准补偿参数的参考值(urad)，由图2可知，所述对准补偿参数的目标值为0urad，预警线上限值为2.5urad，下限值为-2.5urad，本领域技术人员可以理解的是，所述预警线上/下限值可以根据实际光刻机的情况进行设置。设置好对准补偿参数的预警线后，重复步骤S1的过程，并收集此次对准产生的对准补偿参数值，如果收集到对准补偿参数值超出预警线则停机检查，例如在光刻机A上进行光刻的过程中，假设所述对准补偿参数值为-109urad，低于预警线的下限值，则停机检查，对掩膜台或掩膜版进行清理，如果收集到对准补偿参数值未超出预警线，则光刻机继续进行生产。如果是单个的掩膜版对准补偿参数超出预警线，则对该掩膜版进行清洗，若是连续不同的掩膜版对准补偿参数均超出预警线，则对掩膜台进行清洗。在设置好对准补偿参数的预警线后的光刻过程中，在晶圆与掩膜版对准完成后，对所述晶圆进行曝光，在曝光完成后，会收集晶圆的正交参数，所述正交参数满足正态分布，所述正交参数可以验证对准结果，从另一个角度验证对准补偿参数值是否超出预警线范围。如图3所示，其横坐标表示收集正交参数的时间，纵坐标表述正交参数值(urad)，图3中画圈部分的两点明显异常，进而分析图4，图4的横坐标表示收集正交参数的时间，与图3的横坐标相对应，纵坐标表示正交参数的σ值(标准差)，通过分析图4可以发现，图3中异常的点的标准差大于3σ，不满足正态分布，属于重大误差而非随机误差，不符合生产的要求，则立即停机检查，对掩膜台或掩膜版进行清理，清理过后发现正交参数值回归正常(图3中异常点之后的点显示正常)。在清理掩膜台之后，可以通过焦平面测试检测清理结果，所述焦平面测试是在设置好对准补偿参数的预警线后的光刻过程中，在晶圆与掩膜版对准完成后的掩膜版图案上选取多个测试点，一般需要4个以上测试点，可以根据测试图案分布选取上中下3排，每排左中右3点，共9个点，测试这9个测试点的焦平面数据，若各点间差异超出产品的可变焦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，其特征在于，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。

【技术特征摘要】
1.一种检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，其特征在于，包括：S1：提供掩膜版和晶圆，所述掩膜版安放在光刻机的掩膜台上与所述晶圆对准；S2：收集掩膜版的对准补偿参数的参考值；S3：多次重复步骤S1和S2，从而收集到多个对准补偿参数的参考值，根据收集到的多个对准补偿参数的参考值设置对准补偿参数的上限值和下限值；S4：重复步骤S1，收集此次对准的对准补偿参数值，如果所述对准补偿参数值超出其上限值或下限值，则光刻机停止工作并清洗掩膜台或者掩膜版；如果所述对准补偿参数在其上限值与下限值之间，则光刻机继续进行工作。2.如权利要求1所述的检测掩膜版与掩膜台接触面污染的方法，其特征在于，清洗掩膜台之后，对步骤S4中对准后的掩膜版进行焦平面测试。3.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：金乐群，王彩虹，廖剑锋，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31