半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块制造方法及图纸

一种半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块。所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其体偏置方法片上系统以及功能块本申请要求于2012年12月10日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0142892号韩国专利申请的优先权，该申请的全部内容通过引用合并于此。
示例性实施例涉及一种半导体装置。更具体地讲，示例性实施例涉及一种能够根据温度调整体偏置的半导体装置及其体偏压方法。
技术介绍
近年来，移动终端（诸如，智能电话、平板PC、数码相机、MP3播放器、PDA等）的使用增加。随着多媒体驱动以及数据吞吐量的增加，高速处理器可用在移动装置中。移动装置可包括半导体装置（例如，工作存储器（例如，DRAM）、非易失性存储器、应用处理器等），以驱动各种应用程序。随着在移动环境中需要高性能，半导体装置的集成程度和驱动频率可变得更高。在现有技术的移动装置中，为了减少功耗以及控制温度，控制漏电流可能是非常重要的。因此，为了高集成度和高性能，可缩小现有技术的半导体装置。但是，现有技术的半导体装置的缩小可引起半导体装置的漏电流的增加。因此，需要控制半导体装置的漏电流的技术。
技术实现思路
示例性实施例的一方面可提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：功能块，包括多个晶体管；温度检测本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：功能块电路，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块电路的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压，其中，自适应体偏置产生器包括：函数产生器，被构造为基于温度信号产生连续函数类型的体偏置电压。

【技术特征摘要】
2012.12.10 KR 10-2012-01428921.一种半导体装置，包括：功能块电路，包括多个晶体管；温度检测器，被构造为实时检测功能块电路的驱动温度；自适应体偏置产生器，被构造为根据检测到的驱动温度提供体偏置电压以自适应地调整晶体管的漏电流，其中，自适应体偏置产生器还被构造为根据驱动温度产生与预定最小漏电流对应的体偏置电压，其中，自适应体偏置产生器包括：函数产生器，被构造为基于温度信号产生连续函数类型的体偏置电压。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，自适应体偏置产生器还被构造为存储与驱动温度对应的使得预定最小漏电流被最小化的体偏置电压的电平信息。3.如权利要求1所述的半导体装置，其中，温度检测器还被构造为感测驱动温度并输出作为感测的结果的二进制数据的温度代码。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，温度检测器还被构造为感测驱动温度以提供模拟类型的温度信号。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，函数产生器还被构造为根据温度信号产生体偏置电压，并且体偏置电压基于对于温度信号的连续线性函数而被产生。6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，函数产生器包括用于设置连续线性函数的斜率和截距的寄存器。7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，斜率或截距根据晶体管的工艺参数而被设置。8.一种半导体装置的体偏置方法，包括如下步骤：检测半导体装置的驱动温度；产生用于在驱动温度下调整包括在所述半导体装置中的多个晶体管的漏电流的体偏置电压；将体偏置电压提供给所述半导体装置的所述多个晶体管，其中，在产生体偏置电压期间，体偏置电压基于对于温度信号的连续线性函数被产生。9.如权利要求8所述的方法，其中，当检测所述半导体装置的驱动温度时，使用模拟类型的温度信号提供驱动温度。10.如权利要求8所述的方法，其中，连续线性函数的斜率和截距根据所述半导体装置的工艺特性而被设置。11.如权利要求8所述的方法，其中，在检测所述半导体装置的驱动温度期间，使用数字类型的温度代码提供驱动温度。12.如权利要求11所述的方法，其中，产生体偏置电压的步骤包括：产生与温度代码对应的电平代码；根据电平代码产生体偏置电压。13.如权利要求12所述的方法，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金光镐，郑桭赫，高亨宗，卢镐星，朴浩辰，李善圭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR