适用于射频MEMS的键合封装构造及其方法技术

本发明专利技术涉及一种适用于射频MEMS的键合封装构造及其方法，在封装盖板上旋涂有机材料并图形化，然后溅射Cr、Au，再采用TMHA溶液体硅腐蚀腔体的方法，获得了有机材料分布均匀的带有腔体的封装盖板。布满腔体的盖板是经过TMAH溶液湿法腐蚀而获得腔体的高阻硅材料。该封装方法使得有机材料在键合区域能够平整的分布，增加了圆片级键合的有效键合面积，进而增强了产品键合后的气密性及可靠性等性能。采用低温键合工艺进行射频器件的低温封装，在获得了良好的机械强度与气密性的同时还满足了对温度敏感的RF MEMS器件封装要求。

Bonding structure and method for RF MEMS

【技术实现步骤摘要】
适用于射频MEMS的键合封装构造及其方法
本专利技术涉及一种圆片级封装构造及其封装方法，尤其涉及一种适用于射频MEMS的键合封装构造及其方法。
技术介绍
射频微机电系统是微波射频理论与微机械加工技术的有机结合，它以微波射频理论为指导，利用微米纳米尺度的微机械加工技术来制造无源器件。与传统无源器件相比，射频微机电系统器件不但具有高隔离度、低损耗、高线性度、低功耗、宽频带等极其优异的微波性能，同时具有尺寸小、易于集成的特点，在下一代通信系统中有着极高的应用价值。然而由于射频MEMS器件本身特殊结构特性，对封装性能的要求极为严格，是MEMS封装的关键领域之一。在射频MEMS器件中至少会用到一种金属(金或铝)作为薄结构材料，因此对射频器件的封装必须是低温封装，以避免高温对结构的影响；由于射频MEMS器件中包含有可动悬臂梁或者双端固支梁结构，容易受到外界环境中水汽及一些杂质的影响而发生粘连失效，所以针对射频MEMS芯片的封装必须采用气密性或近气密性密封封装，封装工艺也要在惰性气体的环境进行；由于MEMS器件要实现与外界信号的交互，因此封装也必须能实现与外界的电气连接。目前，适用于MEMS封装的本文档来自技高网...

【技术保护点】
适用于射频MEMS的键合封装构造，包括有衬底，其特征在于：所述衬底上铺设有微波传输线，所述衬底上还铺设有电学连接线，所述微波传输线、电学连接线不接触，所述微波传输线上设置有射频微机电器件，所述衬底上分布有机材料键合环，所述机材料键合环上键合连接有封装盖板，所述有机材料键合环与微波传输线相接触，所述封装盖与衬底之间分布有封装腔体，所述射频微机电器件位于封装腔体内。

【技术特征摘要】
1.适用于射频MEMS的键合封装构造，包括有衬底，其特征在于：所述衬底上铺设有微波传输线，所述衬底上还铺设有电学连接线，所述微波传输线、电学连接线不接触，所述微波传输线上设置有射频微机电器件，所述衬底上分布有机材料键合环，所述机材料键合环上键合连接有封装盖板，所述有机材料键合环与微波传输线相接触，所述封装盖与衬底之间分布有封装腔体，所述射频微机电器件位于封装腔体内。2.根据权利要求1所述的适用于射频MEMS的键合封装构造，其特征在于：所述微波传输线上开设有走线过道，所述电学连接线垂直分布在走线过道内。3.根据权利要求1所述的适用于射频MEMS的键合封装构造，其特征在于：所述封装腔体内填充有惰性气体。4.适用于射频MEMS的键合封装方法，其特征在于包括以下步骤：封装盖板制作、封装盖板与封装衬底对准键合、键合后圆片引线焊盘引出，所述封装盖板制作的步骤如下，步骤a1，在平整的高阻硅盖板上旋涂有机材料，获得有机材料分布平整的高阻硅盖板；步骤a2，对有机材料进行光刻、显影，形成需要的键合图形；步骤a3，在盖板上面分别溅射5至20nm的Cr层、50至200nm的Au层，构成金属薄膜；步骤a4，通过光刻、腐蚀方法，只留下有机材料上方的Cr、Au金属层，形成腐蚀高阻硅的金属掩膜图形；步骤a5，采用5％至20％溶度的TMAH溶液，在60至80℃的温度下，湿法腐蚀高阻硅盖板，获得需要的封装腔体；步骤a6，腐蚀掉有机材料上方的Cr、Au层，漏出平...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘泽文，杨中宝，龚著浩，梅剡粼，
申请(专利权)人：苏州希美微纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32