【技术实现步骤摘要】
高平坦化效率化学机械抛光垫和制备方法本专利技术涉及化学机械抛光垫以及制备和使用其的方法。更具体地说，本专利技术涉及包含反应混合物的聚氨酯反应产物的抛光层或顶部抛光表面的化学机械抛光垫，所述反应混合物包含固化剂，如一种或多种多元胺和多异氰酸酯预聚物，所述多异氰酸酯预聚物由聚丙二醇(PPG)、聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)、聚乙二醇的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂如二乙二醇形成，并且其中抛光垫中聚氨酯反应产物根据ASTMD2240-15(2015)的肖氏D硬度为65到80并且呈现出比干燥时聚氨酯反应产物的肖氏D硬度小10％到20％或优选地至少小11％的湿肖氏D硬度。在制造任何半导体中，可需要若干化学机械抛光(CMP)工艺。在每一CMP工艺中，抛光垫与抛光溶液(如含研磨剂的抛光浆料或不含研磨剂的反应性液体)组合以使半导体衬底平坦化或维持半导体衬底的平度的方式去除过量材料。在半导体中多层的堆叠以形成集成电路的方式组合。这类半导体装置的制造由于对操作速度更高、泄漏电流更低以及功率消耗降低的装置的需求而不断变得更复杂。就装置结构而言，这转变成更精细的...
【技术保护点】
一种用于抛光选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一种的衬底的化学机械(CMP)抛光垫，包含适宜于抛光所述衬底的抛光层，所述抛光层为包含固化剂和未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为多异氰酸酯预聚物的8.3wt％到9.8wt％的所述多异氰酸酯预聚物的反应混合物的聚氨酯反应产物，所述多异氰酸酯预聚物由聚丙二醇(PPG)和聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)以及含有聚乙二醇或氧化乙烯重复单元的亲水性部分的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂形成，并且其中所述抛光垫中所述聚氨酯反应产物根据ASTM D2240‑15(2015)的肖氏D硬度为65到80并且呈现出比干燥...
【技术特征摘要】
2016.09.13 US 15/2640561.一种用于抛光选自磁性衬底、光学衬底和半导体衬底中的至少一种的衬底的化学机械(CMP)抛光垫，包含适宜于抛光所述衬底的抛光层，所述抛光层为包含固化剂和未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为多异氰酸酯预聚物的8.3wt％到9.8wt％的所述多异氰酸酯预聚物的反应混合物的聚氨酯反应产物，所述多异氰酸酯预聚物由聚丙二醇(PPG)和聚四亚甲基醚乙二醇(PTMEG)以及含有聚乙二醇或氧化乙烯重复单元的亲水性部分的多元醇掺合物、甲苯二异氰酸酯以及一种或多种异氰酸酯增量剂形成，并且其中所述抛光垫中所述聚氨酯反应产物根据ASTMD2240-15(2015)的肖氏D硬度为65到80并且呈现出比干燥聚氨酯反应产物的所述肖氏D硬度小10％到20％的湿肖氏D硬度。2.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中所述多异氰酸酯预聚物的未反应的异氰酸酯(NCO)浓度为8.6wt％到9.3wt％。3.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中以用于制备所述多异氰酸酯预聚物的所述反应物的总wt％计，用于形成所述多异氰酸酯预聚物的甲苯二异氰酸酯(TDI)的所述量在大于35wt％到45wt％的范围内，另外其中以用于制备所述多异氰酸酯预聚物的所述反应物的总重量计，用于形成所述多异氰酸酯预聚物的所述一种或多种异氰酸酯增量剂的所述量在3wt％到11wt％的范围内，并且又另外其中以用于制备所述多异氰酸酯预聚物的所述反应物的所述总wt％计，用于形成所述多异氰酸酯预聚物的所述多元醇掺合物的所述量在44wt％到小于62wt％的范围内。4.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中用于形成所述多异氰酸酯预聚物的所述多元醇掺合物含有亲水性部分并且选自(i)PTMEG与PPG的比率为1:1.5到1:2的PTMEG与PPG的多元醇掺合物，和以用于制备所述多异氰酸酯预聚物的反应物的所述总重量计，所述量为20wt％到30wt％的亲水性部分或(ii)PTMEG与PPG的比率为9:1到12:1重量比率的PTMEG与PPG的多元醇掺合物，和以用于制备所述多异氰酸酯预聚物的反应物...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·G·韦斯，G·C·雅各布，B·库马，S·E·马斯特罗扬尼，徐文君，邱南荣，M·T·伊斯兰，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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