热塑性多孔性抛光垫制造技术

多孔聚氨基甲酸酯抛光垫包含具有从基底表面向上延伸并且对上表面开放的大孔隙的多孔基质。所述大孔隙与小孔隙互连。所述多孔基质是两种热塑性聚合物的掺合物。第一热塑性聚氨基甲酸酯具有45到60分子％己二酸、10到30分子％MDI‑乙二醇和15到35分子％MDI，以及40,000到60,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及2.5到4的Mw比Mn比率。第二热塑性聚氨基甲酸酯具有40到50分子％己二酸、20到40分子％己二酸丁二醇、5到20分子％MDI‑乙二醇和5到25分子％MDI，以及60,000到80,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及1.5到3的Mw比Mn比率。

Thermoplastic porous polishing pad

Porous polyurethane polishing pad contains porous matrix with large pores that extend upwards from the base surface and open to the upper surface. The macropores are interconnected with small pores. The porous matrix is an admixture of two thermoplastic polymers. The first thermoplastic polyurethane with ethylene glycol 45 to 60 mol% of adipic acid, 10 to 30 molecules of%MDI and 15 to 35 and 40000 to 60000 molecules of%MDI, Mn and Mw 125000 to 175000 and 2.5 to 4 Mw Mn ratios. Second thermoplastic polyurethane with ethylene glycol 40 to 50 mol% of adipic acid, 20 to 40 mol% adipic acid butanediol, 5 to 20 and 5 to 25 molecules of%MDI molecule%MDI, and 60000 to 80000 Mn and 125000 Mw to 175000 and 1.5 to 3 Mw Mn ratios.

【技术实现步骤摘要】
热塑性多孔性抛光垫
本专利技术涉及化学机械抛光垫和形成所述抛光垫的方法。更具体来说，本专利技术涉及多孔性化学机械抛光垫和形成多孔性抛光垫的方法。
技术介绍
在集成电路和其它电子装置的制造中，多个导电、半导电和介电材料层沉积到半导体晶片的表面上并且从其去除。薄的导电、半导电和介电材料层可以使用多种沉积技术沉积。现代晶片加工中的常见沉积技术尤其包含也称为溅射的物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)和电化学电镀(ECP)。常见去除技术尤其包含湿式和干式各向同性和各向异性蚀刻。因为依序沉积和去除材料层，所以晶片的最上表面变成非平面的。因为后续半导体加工(例如，光刻)需要晶片具有平坦表面，所以晶片需要平面化。平坦化可用于去除非所期望的表面形状和表面缺陷，例如粗糙表面、聚结材料、晶格损坏、刮痕和被污染的层或材料。化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)是一种用以平面化或抛光工件(例如半导体晶片)的常见技术。在常规CMP中，晶片载具或抛光头安装在载具组合件上。抛光头固持晶片并且将晶片定位得与安装在CMP设备内的平台或台板上的抛光垫的抛光层接触。载具组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多孔聚氨基甲酸酯抛光垫，其包括：具有从基底表面向上延伸并且对上表面开放的大孔隙的多孔基质，所述大孔隙与小孔隙互连，一部分所述大孔隙对顶部抛光表面开放，所述大孔隙延伸到具有基本上垂直定向的所述顶部抛光表面，所述多孔基质是包含两种热塑性聚合物的掺合物；具有45到60分子％己二酸、10到30分子％MDI‑乙二醇和15到35分子％MDI的第一热塑性聚氨基甲酸酯，所述第一热塑性聚氨基甲酸酯具有40,000到60,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及2.5到4的Mw比Mn比率；以及具有40到50分子％己二酸、20到40分子％己二酸丁二醇、5到20分子％MDI‑乙二醇和5到25分子％M...

【技术特征摘要】
2016.08.04 US 15/2290171.一种多孔聚氨基甲酸酯抛光垫，其包括：具有从基底表面向上延伸并且对上表面开放的大孔隙的多孔基质，所述大孔隙与小孔隙互连，一部分所述大孔隙对顶部抛光表面开放，所述大孔隙延伸到具有基本上垂直定向的所述顶部抛光表面，所述多孔基质是包含两种热塑性聚合物的掺合物；具有45到60分子％己二酸、10到30分子％MDI-乙二醇和15到35分子％MDI的第一热塑性聚氨基甲酸酯，所述第一热塑性聚氨基甲酸酯具有40,000到60,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及2.5到4的Mw比Mn比率；以及具有40到50分子％己二酸、20到40分子％己二酸丁二醇、5到20分子％MDI-乙二醇和5到25分子％MDI的第二热塑性聚氨基甲酸酯，所述第二热塑性聚氨基甲酸酯具有60,000到80,000的Mn和125,000到175,000的Mw以及1.5到3的Mw比Mn比率，并且所述第二热塑性塑料如在100％的拉伸伸长率下(ASTMD886)所测量的拉伸模数比所述第一热塑性聚氨基甲酸酯小至少20％，并且所述第一和第二热塑性聚氨基甲酸酯的所述掺合物如在100％的拉伸伸长率下(ASTMD886)所测量的拉伸模数比所述第二热塑性聚合物大至少30％。2.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述多孔基质凝结于水不可渗透性顶部层上，并且所述水不可渗透性顶部层涂布非织造毡衬底，并且所述非织造毡衬底包含聚合纤维。3.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述第一热塑性聚氨基甲酸酯在100％的拉伸伸长率下(ASTMD886)具有8.5到14.5MPa的拉伸模数。4.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述第二热塑性聚氨基甲酸酯在100％的拉伸伸长率下(ASTMD886)具有4到8MPa的拉伸模数。5.根据权利要求1所述的抛光垫，其中所述第一和第二热塑性聚合物具有65度±5度的蒸馏水接触角。6.一种多孔聚氨基甲酸酯抛光垫，...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗水源，G·C·雅各布，H·桑福德克瑞，吉田光一，川端克昌，北脇秀亮，高桥祥吾，武居阳祐，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US