具有闭孔结构的超高空隙体积抛光垫制造技术

本发明专利技术涉及具有闭孔结构的超高空隙体积抛光垫。具体地说，本发明专利技术提供用于化学机械抛光的包含多孔聚合材料的抛光垫，其中该抛光垫包含闭孔且其中该抛光垫具有70％或更大的空隙体积分数。还公开了用于制备前述抛光垫的方法及通过使用前述抛光垫来抛光基板的方法。

【技术实现步骤摘要】
具有闭孔结构的超高空隙体积抛光垫本申请是中国专利技术专利申请(专利技术名称：具有闭孔结构的超高空隙体积抛光垫，申请日：2014年8月21日；申请号：201480046528.0)的分案申请。
技术介绍
化学机械抛光(“CMP”)工艺用于制造微电子器件以在半导体晶片、场发射显示器及许多其它微电子基板上形成平坦表面。例如，半导体器件的制造通常包括形成各种工艺层、对这些层的部分进行选择性移除或图案化、及在半导体基板表面上方沉积另外的其它工艺层以形成半导体晶片。举例来说，所述工艺层可包括绝缘层、栅极氧化物层、导电层、以及金属或玻璃的层等。在晶片工艺的一些步骤中，通常期望的是，工艺层的最上部表面是平面的(即平坦的)，以用于沉积后续的层。CMP用于工艺层的平坦化，其中，将沉积的材料(例如导电材料或绝缘材料)抛光以使晶片平坦化而用于后续的工艺步骤。在典型的CMP工艺中，晶片倒置安装于CMP工具中的载体上。用力将载体及晶片朝着抛光垫向下推动。使载体及晶片在该CMP工具的抛光台上的旋转着的抛光垫上方旋转。抛光组合物(也称作抛光浆料)在抛光过程期间加入到旋转着的晶片和旋转着的抛光垫之间。该抛光组合物典型地含有本文档来自技高网...

【技术保护点】
制备抛光垫的方法，该方法包括：(a)提供包含聚合物树脂的抛光垫材料，(b)使该抛光垫材料经受处于第一升高的压力下的惰性气体，(c)通过使该抛光垫材料的温度升高至高于该抛光垫材料的玻璃化转变温度且低于该抛光垫材料的熔融温度的第一温度来使该抛光垫材料发泡，(d)使该抛光垫材料经受处于第二升高的压力下的惰性气体，及(e)通过使该抛光垫材料的温度升高至高于该抛光垫材料的玻璃化转变温度且低于该抛光垫材料的熔融温度的第二温度来使该抛光垫材料发泡。

【技术特征摘要】
2013.08.22 US 13/973,6391.制备抛光垫的方法，该方法包括：(a)提供包含聚合物树脂的抛光垫材料，(b)使该抛光垫材料经受处于第一升高的压力下的惰性气体，(c)通过使该抛光垫材料的温度升高至高于该抛光垫材料的玻璃化转变温度且低于该抛光垫材料的熔融温度的第一温度来使该抛光垫材料发泡，(d)使该抛光垫材料经受处于第二升高的压力下的惰性气体，及(e)通过使该抛光垫材料的温度升高至高于该抛光垫材料的玻璃化转变温度且低于该抛光垫材料的熔融温度的第二温度来使该抛光垫材料发泡。2.权利要求1的方法，其中该气...

【专利技术属性】
技术研发人员：G弗图，A卡恩纳，R瓦卡西，
申请(专利权)人：嘉柏微电子材料股份公司，
类型：发明
国别省市：美国,US