一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管及其制备方法技术
An ultra thin metal oxide thin film dielectric layer and its preparation method
The invention discloses a containing ultra-thin metal oxide dielectric thin film transistor and its preparation method, preparation of ultra-thin metal oxide thin film dielectric layer by direct thermal oxidation of the gate, the ultra-thin metal oxide thin film dielectric layer and a gate contact interface is better, less defect characteristics, excellent electrical property the preparation method is simple, can greatly save the cost.
【技术实现步骤摘要】
一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管及其制备方法
本专利技术涉及微电子器件领域，特别是一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管及其制备方法。
技术介绍
薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)主要应用于控制和驱动液晶显示器(LCD，LiquidCrystalDisplay)、有机发光二极管(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)显示器的子像素，是平板显示领域中最重要的电子器件之一。相比硅基TFT，基于氧化物半导体为有源层的TFT具有电子迁移率高(1～100cm2/Vs)、制备温度低(<400℃，远低于玻璃的熔点)、成本低(只需要普通的溅射工艺即可完成)以及持续工作稳定性好的特点，其在平板显示领域尤其是有机发光显示(OLED)领域有替代传统的硅材料工艺薄膜晶体管的趋势，受到学术界和业界的关注和广泛研究。氧化物TFT最基本的结构包括栅电极、栅绝缘层、半导体有源层、源极和漏极、钝化层。最常见的氧化物绝缘层为SiO2，通常由等离子气相沉积(PECVD)的方法制备或者热氧化的方法制备，采用该种方法制备的SiO2绝缘薄...
【技术保护点】
一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于，包括基板(10)，所述基板(10)上方设置有栅极(11)，所述栅极(11)上方设置有超薄金属氧化物薄膜介电层(12)，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)由栅极(11)上层与反应气体反应生成，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)上方设置有氧化物半导体层(13)、源极(14a)和漏极(14b)，所述源极(14a)和漏极(14b)相互间隔并分别与氧化物半导体层(13)两端相接。
【技术特征摘要】
1.一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于，包括基板(10)，所述基板(10)上方设置有栅极(11)，所述栅极(11)上方设置有超薄金属氧化物薄膜介电层(12)，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)由栅极(11)上层与反应气体反应生成，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)上方设置有氧化物半导体层(13)、源极(14a)和漏极(14b)，所述源极(14a)和漏极(14b)相互间隔并分别与氧化物半导体层(13)两端相接。2.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)的厚度范围在2-10nm。3.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于，所述超薄金属氧化物薄膜介电层(12)包括具有介电性能的超薄金属氧化物。4.根据权利要求1所述的一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管，其特征在于，所述反应气体是氧气、臭氧或者含有氧气的混合气体。5.一种含超薄金属氧化物薄膜介电层的晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在基板(10)上制备栅极(11)；S2：通过热氧法在栅极(11)上方制备超薄金属氧化物薄膜介电层(12)；S3：在超薄金属氧化物薄膜介电层(12)之上制备氧化物半导体层(13)；S4：在超薄金属氧化物薄膜介电层(12)之上制备源极(14a)和漏极(...
【专利技术属性】
技术研发人员：肖鹏，罗东向，刘佰全，
申请(专利权)人：佛山科学技术学院，佛山市格雷明光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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