一种聚硅氧烷、掺杂浆料以及掩膜材料制造技术

一种聚硅氧烷，其特征在于含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，

A polysiloxane, doped size and mask material

A polysiloxane characterized by a fragment of at least one molecular structure selected from the next 1.

【技术实现步骤摘要】
一种聚硅氧烷、掺杂浆料以及掩膜材料
本专利技术涉及聚硅氧烷、半导体(包含太阳能电池)掺杂浆料以及掩膜材料。
技术介绍
在以往的半导体或者太阳能电池的制造中，在半导体基板中形成P型或者N型杂质扩散层的情况下，虽然使用气体掺杂剂或者掺杂浆料的方法都具有。但是，使用前述现有气体掺杂剂或者掺杂浆料进行高温热扩散时，需要在非扩散面形成阻隔层。从而导致工艺过程冗长、复杂，同时成本也相应提高。如果使用离子注入方法，所需设备成本、维护成本都比较高。而且，现有浆料的性能、成本等难以达到一个有力平衡，导致其在太阳能电池产业中不具市场竞争力(文献[1])。另外气体掺杂剂一般为三溴化硼、磷烷、三氯氧磷等剧毒物质，对管路、尾气吸收设备的要求较高，而且一旦泄露有发生大事故的可能、以及对周围环境产生污染。文献[1]:魏青竹,陆俊宇,连维飞,倪志春.N型双面电池及其制作方法:中国，201510020649.4[P].2015-01-15.[1]
技术实现思路
为了解决现有半导体掺杂(包括太阳能电池P型和N型掺杂)中高成本的缺陷，本专利技术提供一种聚硅氧烷、以及使用该聚硅氧烷制备的掺杂浆料和掩膜材料。本专利技术公开了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，

【技术特征摘要】
1.一种聚硅氧烷，其特征在于：含有至少一种选自下式1所示的分子结构片段，式1中，Q为含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基；T为羟基、烷基、含有醇羟基且主链碳原子数小于12的烷基、或者含有醇羟基且主链非氢原子数小于12且含杂原子的烷基。2.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Q为式2所示的结构片段,式2中，X为碳原子数小于7的烷基、或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的的烷基；R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基、或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基。3.根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述X为主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基。4.根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述R1、R2、R3分别独立为氢原子、碳原子数为1的取代基、或者R2与X上的碳原子连接成为环状取代基。5.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：T为羟基、碳原子数小于8的烷基、或者含有式3所示的结构，式3中Z为碳原子数小于7的烷基、或者主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基；R4、R5、R6分别独立为氢原子、碳原子数小于3的取代基、或者R2与Z上的碳原子连接成为环状取代基。6.根据权利要求5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述Z为主链非氢原子数小于7且含杂原子的烷基。7.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：不含有环氧乙烷结构。8.根据权利要求1或5所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述T为羟基。9.根据权利要求2所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚硅氧烷仅由Q为式2所示的分子结构片段构成的式1所示的分子结构片段组成。10.根据权利要求9所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述分子结构片段为同一个分子结构片段。11.根据权利要求1所述的聚硅氧烷，其特征在于：所述聚...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐芳荣，李平，池田武史，金光男，宋韡，
申请(专利权)人：东丽先端材料研究开发中国有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31