数据存储的方法、装置以及非易失性存储器制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种数据存储的方法、装置以及非易失性存储器。其中，数据存储的方法包括：对超期数据块以数据页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；将超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。通过本发明专利技术，解决了非易失性存储器数据保存时间越来越短的问题，从而增加了数据的保存时间。

【技术实现步骤摘要】
数据存储的方法、装置以及非易失性存储器
本专利技术涉及数据存储领域，具体而言，涉及一种数据存储的方法、装置以及非易失性存储器。
技术介绍
在通讯设备领域，数据存储的解决方案主要有三种：磁盘、NORFLASH、NANDFLASH。磁盘是传统的存储设备，优点是容量大，数据保存时间长，但体积大，不耐震，功耗高，而且价格也高，在通讯设备上已经较少使用。NORFLASH优点是数据保存时间长，擦写次数多，可靠性高，功耗低，但是容量太小，而且价格高，已经不能满足通讯设备日益增长的数据存储需求。NANDFLASH是较理想的解决方案，具有大容量、高吞吐、低功耗、耐震、发热量小的优点。但是由于厂商的半导体工艺在不断升级，以及为了满足对日益增长的容量需求，NANDFLASH存储器的工艺尺寸不断缩小，使得NANDFLASH的数据保持能力严重下降。采用43nm工艺的SLC(SingleLevelCell)NANDFLASH数据保存时间为10年以上，但采用24nm工艺之后数据保存时间仅为5年左右。这是由于NANDFLASH存储器是基于浮栅电荷存储实现数据的保存，在数据保存期间，浮栅电荷泄漏导致浮栅电荷数量减少，浮栅电荷的丢失将会导致数据错误产生。随着工艺尺寸不断缩小，NANDFLASH存储器的存储单元浮栅结构的几何尺寸不断缩小，导致绝缘层越来越薄，电荷泄漏越来越严重，所以数据保存时间越来越短。相关技术中解决方案是增加纠错编码(ErrorCorrectionCode，简称ECC)纠错比特数来提升纠错能力，在一定程度上缓解了数据保持能力下降的问题。但这种方法效果有限，随着数据保存时间的增加，数据错误的产生会爆发式增长，很快就超出了可纠错范围，无法纠正。而且增加ECC纠错比特数，意味着纠错电路复杂度的提高，增加了成本。在当前24-32nm的工艺下，此方法能起到一定作用。但是对于将来16nm以及更小的尺寸，则不再适用。所以能否提高NANDFLASH的数据保持能力，将影响NANDFLASH能否作为未来工业级存储解决方案的关键。因此，在相关技术中，还没有一种比较的好的方案解决非易失性存储器数据保存时间越来越短的问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种数据存储的方法、装置以及非易失性存储器，以至少解决相关技术中非易失性存储器数据保存时间越来越短的问题。根据本专利技术的一个实施例，提供了一种数据存储的方法，包括：对超期数据块以页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；将超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。可选地，所述超期数据块中的所述存储时间通过以下方式确定：将所述超期数据块中第一页数据的写入时间作为所述存储时间。可选地，所述存储时间存储于所述超期数据块中第一页的带外区域OOB中。可选地，按照预设规则对每页数据进行校验，包括以下之一：按照所述预设算法对所述超期数据块中的数据进行校验，并在未通过校验时，对所述超期数据块中的数据进行纠正，如果所述超期数据块中的数据纠正成功，则确定所述超期数据块中的数据通过校验；如果所述超期数据块中的数据纠正失败，则确定所述超期数据块中的数据未通过校验。可选地，将超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中，包括：将通过校验的所述数据、未通过校验但支持纠错的所述数据以及未通过校验不支持纠错的所述数据写入所述到所述指定空闲数据块中。可选地，将指定空闲数据块中数据页的地址标记为所述超期数据块中数据页的地址，并且将所述超期数据块标记为空闲数据块。可选地，所述超期数据块存储于超期列表当中。可选地，对超期数据块以页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，还包括：在进行校验过程中检测到数据访问请求，则在当前的超期数据块写入到所述指定空闲数据块后暂停校验；在数据访问完成后，继续对所述超期数据块的校验。根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种数据存储的装置，包括：校验模块，用于对超期数据块以页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；写入模块，用于将超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。可选的，所述校验模块还用于：按照所述预设算法对所述超期数据块中的数据进行校验，并在未通过校验时，对所述超期数据块中的数据进行纠正，如果所述超期数据块中的数据纠正成功，则确定所述超期数据块中的数据通过校验；如果所述超期数据块中的数据纠正失败，则确定所述超期数据块中的数据未通过校验。可选地，所述装置还包括：标记模块，用于将指定空闲数据块中数据页的地址标记为所述超期数据块中数据页的地址，并且将所述超期数据块标记为空闲数据块。可选地，所述装置还包括：暂停模块，用于在进行校验过程中检测到数据访问请求，则在当前的超期数据块写入到所述指定空闲数据块后暂停校验；重启模块，用于在数据访问完成后，继续对所述超期数据块的校验。根据本专利技术的又一个实施例，还提供了一种非易失性存储器，包括上述记载的数据存储的装置。根据本专利技术的又一个实施例，还提供了一种存储介质。该存储介质设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：S11，对超期数据块以数据页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；S12，将超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。可选地，存储介质还设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：S21，将指定空闲数据块中数据页的地址标记为所述超期数据块中数据页的地址，并且将所述超期数据块标记为空闲数据块可选地，存储介质还设置为存储用于执行以下步骤的程序代码：S31，在进行校验过程中检测到数据访问请求，则在当前的超期数据块写入到所述指定空闲数据块后暂停校验；S32，在数据访问完成后，继续对所述超期数据块的数据进行校验。通过本专利技术，由于对超过存储时间的数据块进行校验并写入新的数据块，因此，可以解决非易失性存储器数据保存时间越来越短的问题，从而增加了数据的保存时间。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1是根据本专利技术实施例的数据存储的方法的流程图；图2是根据本专利技术实施例的一种数据存储的装置的结构图；图3是根据本专利技术实施例的另一种数据存储的装置的结构图；图4是根据本专利技术实施例的又一种数据存储的装置的结构图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。实施例1在本实施例中提供了一种运行于非易失性存储器的数据存储的方法，图1是根据本专利技术实施例的一种数据存储的方法的流程图，如图1所示，该流程包括如下步骤：步骤S102，对超期数据块以数据页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；可选地，将所述超期数据块中第一页数据的写入时间作为所述存储时间。具体地，该存储时间存储于所述超期数据块中第一页的带本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种数据存储的方法，其特征在于，包括：对超期数据块以数据页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；将所述超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。

【技术特征摘要】
1.一种数据存储的方法，其特征在于，包括：对超期数据块以数据页为单位进行遍历，并按照预设规则对每页数据进行校验，其中，所述超期数据块中存储有存储时间到达预设时间的数据；将所述超期数据块中的数据写入到指定空闲数据块中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述超期数据块中的所述存储时间通过以下方式确定：将所述超期数据块中第一页数据的写入时间作为所述存储时间。3.根据权利要求2所述的方法，所述存储时间存储于所述超期数据块中第一页的带外区域OOB中。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，按照所述预设规则对每页数据进行校验，包括以下之一：按照预设算法对所述超期数据块中的数据进行校验，并在未通过校验时，对所述超期数据块中的数据进行纠正，如果所述超期数据块中的数据纠正成功，则确定所述超期数据块中的数据通过校验；如果所述超期数据块中的数据纠正失败，则确定所述超期数据块中的数据未通过校验。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述超期数据块中的数据写入到所述指定空闲数据块中，包括：将通过校验的所述数据、未通过校验但支持纠错的所述数据以及未通过校验不支持纠错的所述数据写入所述到所述指定空闲数据块中。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：将所述指定空闲数据块中数据页的地址标记为所述超期数据块中数据页的地址，并且将所述超期数据块标记为空闲数据块。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述超期数据块以页为单位进行遍历，并按照...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶位彬，
申请(专利权)人：南京中兴新软件有限责任公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32