一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置制造方法及图纸
A thin film transistor, display substrate and display device
The embodiment of the utility model provides a thin film transistor, a display substrate and a display device, and relates to the technical field of the display device, which can enhance the electrical characteristics of the thin film transistor and improve the display effect of the display device. The thin film transistor includes an active layer pattern, set on a substrate of the gate is formed on the active layer pattern on an insulating pattern, and is formed over the gate insulating gate pattern; the gate and the gate insulating conductive pattern is disposed between the conductive pattern, pattern and the gate is electrically connected with the conductive pattern; and the gate insulating projection overlap pattern on a substrate. The utility model is used for a display device.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置
本技术涉及显示装置
，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置。
技术介绍
由于顶栅结构的TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)具有较低的寄生电容，较优良的电学特性，因此被广泛应用于显示装置中。常规的顶栅TFT如图1所示，一般包括形成于衬底基板01上的有源层图案02，形成于有源层图案02上的栅极绝缘图案03，形成于栅极绝缘图案03上的栅极04，以及通过过孔与有源层图案02连接的源极05和漏极06。现有技术中在制作顶栅结构的TFT时，由于要采用到栅极04与栅极绝缘图案03的自对准工艺，而栅极04通常采用湿法刻蚀工艺制作，栅极绝缘图案03通过干法刻蚀工艺制作，在利用湿法刻蚀工艺刻蚀栅极04时，由于刻蚀液会在光刻胶下面多刻蚀一小段距离，这样导致栅极04相比栅极绝缘图案03短出一小段距离，即栅极04与栅极绝缘图案03在衬底基板01上的正投影不能完全重合。由于这一小段距离没有栅极04在上方，导致缺少栅极04覆盖的栅极绝缘图案03下方的有源层图案02没有被栅极04调控，进而导致顶栅结构的TFT的开启电流不足，从而...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的有源层图案、设置在所述有源层图案上的栅极绝缘图案，以及设置在所述栅极绝缘图案上的栅极；其特征在于，所述栅极与所述栅极绝缘图案之间设置有导电图案，所述导电图案与所述栅极电连接；所述导电图案与所述栅极绝缘图案在所述衬底基板上的正投影重合。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，包括设置在衬底基板上的有源层图案、设置在所述有源层图案上的栅极绝缘图案，以及设置在所述栅极绝缘图案上的栅极；其特征在于，所述栅极与所述栅极绝缘图案之间设置有导电图案，所述导电图案与所述栅极电连接；所述导电图案与所述栅极绝缘图案在所述衬底基板上的正投影重合。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电图案包括非金属导电材料。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述导电图案包括石墨烯材料或碳纳米管网络。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底基板和所述有源层图案之间还设置有缓冲层；所述薄膜晶体管还包括覆盖所述栅极的层间介质层，以及设置在所述层间介质层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层图案电连接。5.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘威，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11
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