横向双扩散金属氧化半导体元件制造技术

一种横向双扩散金属氧化半导体元件，包括：衬底、栅极结构、漏极区、多个隔离结构、至少一掺杂区以及源极区。栅极结构位于衬底上。漏极区以及源极区分别位于栅极结构的第一侧和第二侧的衬底中。隔离结构和掺杂区都位于栅极结构与漏极区之间的衬底中，其中隔离结构的延伸方向与栅极结构的延伸方向不同。而掺杂区可位于两个隔离结构之间或位于隔离结构下方，其中掺杂区和漏极区具有相反的导电态，从而使得横向双扩散金属氧化半导体元件的开启电阻下降，降低栅极结构与漏极区之间的电场，提升横向双扩散金属氧化半导体元件的击穿电压。

Transverse double diffusion metal oxide semiconductor element

【技术实现步骤摘要】
横向双扩散金属氧化半导体元件
本专利技术是有关于一种半导体元件，且特别是有关于一种横向双扩散金属氧化半导体元件(lateraldouble-diffusedmetaloxidesemiconductor，LDMOS)。
技术介绍
近年来，功率半导体元件(powersemiconductordevice)应用在各种半导体产业上。功率半导体元件包括高电压的集成电路，所述集成电路典型地包括一个高电压晶体管或通常在相同硅片上的多个高电压晶体管，以作为低电压电路。在上述的集成电路中，最普遍使用的高电压元件为横向双扩散金属氧化半导体(LDMOS)晶体管。在高电压的集成电路中，LDMOS结构通常可通过使用与制造低电压电路以及逻辑电路的一些相同技术来制造。一般来说，目前的LDMOS结构制造于具有与衬底的导电态相反的厚外延层中，或者制造于薄外延层中并应用降低表面电场(reducedsurfacefield，RESURF)的原理，以相等地分布横跨元件的漂移区中的硅表面所施加的漏极电压。高功率的应用主要被称为使用上述的横向双扩散金属氧化半导体晶体管，因为比起对应的二极体元件，其具有较低的开启电阻(on-s本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向双扩散金属氧化半导体元件，其特征在于，所述横向双扩散金属氧化半导体元件包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；漏极区，位于所述栅极结构的第一侧的所述衬底中；多个隔离结构，位于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述衬底中，其中所述多个隔离结构的延伸方向与所述栅极结构的延伸方向不同；至少一掺杂区，位于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述衬底中，其中所述掺杂区位于所述多个隔离结构之间与所述多个隔离结构下方的至少其中之一，且所述掺杂区的导电态不同于所述漏极区的导电态；以及源极区，位于所述栅极结构的第二侧的所述衬底中。

【技术特征摘要】
2016.08.23 TW 1051268991.一种横向双扩散金属氧化半导体元件，其特征在于，所述横向双扩散金属氧化半导体元件包括：衬底；栅极结构，位于所述衬底上；漏极区，位于所述栅极结构的第一侧的所述衬底中；多个隔离结构，位于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述衬底中，其中所述多个隔离结构的延伸方向与所述栅极结构的延伸方向不同；至少一掺杂区，位于所述栅极结构与所述漏极区之间的所述衬底中，其中所述掺杂区位于所述多个隔离结构之间与所述多个隔离结构下方的至少其中之一，且所述掺杂区的导电态不同于所述漏极区的导电态；以及源极区，位于所述栅极结构的第二侧的所述衬底中。2.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化半导体元件，其特征在于，所述掺杂区位于所述多个隔离结构之间以及所述多个隔离结构下方。3.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化半导体元件，其特征在于，所述掺杂区的掺杂深度自所述漏极区往所述栅极结构递增。4.根据权利要求1所述的横向双扩散金属氧化半导体元件，其特征在于，所述掺杂区的掺杂浓度自所述漏极区往所述栅极结构递增。...

【专利技术属性】
技术研发人员：许健，杨绍明，钱德拉·谢卡尔，阿南德，赛义德·萨瓦尔·以曼，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71