一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板技术

技术编号:17410311 阅读:47 留言:0更新日期:2018-03-07 07:04
本发明专利技术实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,其中,该方法包括:形成金属薄膜;在金属薄膜上沉积保护薄膜;将暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀处理,以消除暴露于保护薄膜外的金属;剥离保护薄膜,本发明专利技术提供的技术方案通过在金属薄膜上沉积保护薄膜,使得金属薄膜表面高度较高的小丘处无法连续沉积而断裂露出小丘,继而对暴露于保护薄膜外的金属进行刻蚀,消除金属薄膜表面存在的小丘,提高了薄膜晶体管的性能和良品率。

A thin film transistor and its fabrication method and display panel

The embodiment of the invention discloses a thin film transistor and its manufacturing method, display panel, wherein, the method comprises: forming a metal thin film; deposition of protective film on the metallic film; protective film will be exposed to the metal etching processing, to eliminate exposure to the metal protective film; stripping protective film, technical scheme the invention provides a protective film on the metal film by deposition, the hillock surface height of metal film to continuous deposition of high fracture exposed hill, then exposed to the protective film outside the metal etching, a metal film surface are eliminated, improves the performance of the thin film transistor and yield.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板
本专利技术实施例涉及显示
,具体涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板。
技术介绍
随着显示技术的不断发展,有机电致发光显示面板和液晶显示面板等平板显示面板发展迅速。以液晶显示面板为例,液晶显示面板包括阵列基板,阵列基板包括:基底、位于基底上的薄膜晶体管以及像素电极,其中薄膜晶体管中包括有源层、栅电极、源电极和漏电极,其中,在薄膜晶体管的制作工艺中,栅电极、源电极和漏电极均是由铝薄膜上通过包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离等工艺的构图工艺形成的。目前,大尺寸电视面板越来越成为目前电视主流,由于面板大尺寸化趋势,为了满足电学性能,栅电极和源漏电极需要沉积得越来越厚。经专利技术人研究发现,铝本身沉积过程中的电迁移会导致铝薄膜的表面出现小丘(hillock),使其表面变得不平整,严重时会刺穿绝缘层,使得栅电极和源漏电极短路,降低了薄膜晶体管的性能和良品率。
技术实现思路
为了解决上述技术问题,本专利技术实施例提供了一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板,以避免铝薄膜表面出现小丘导致的薄膜晶体管的性能和良品率较低的技术问题。一个方面,本专利技本文档来自技高网...
一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:形成金属薄膜;在所述金属薄膜上沉积保护薄膜;将暴露于所述保护薄膜外的金属进行刻蚀处理;剥离所述保护薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,包括:形成金属薄膜;在所述金属薄膜上沉积保护薄膜;将暴露于所述保护薄膜外的金属进行刻蚀处理;剥离所述保护薄膜。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述形成金属薄膜包括:在基底上沉积第一金属薄膜,或者在基底上依次沉积第一金属薄膜和第二金属薄膜。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,第一金属薄膜的材料包括:铝,第一金属薄膜的厚度为400-700纳米;第二金属薄膜的材料包括:钼,第二金属薄膜的厚度为10-20纳米。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述保护薄膜的材料包括:光刻胶或者氧化硅。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘军黄勇潮周斌苏同上程磊磊
申请(专利权)人:合肥鑫晟光电科技有限公司京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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