一种单晶硅炉退火装置制造方法及图纸

一种单晶硅炉退火装置，包括主炉室、副炉室与加热器，所述主炉室设置在底部，在所述主炉室顶部设有副炉室，所述副炉室内部设有退火腔，所述退火腔内设有加热器，所述加热器包括加热片单元，加热片单元为环形，依次进行叠加固定，形成圆筒状，每若干个加热片单元形成一组，若干个组形成一个完整的加热器，通过PLC编程控制器，来控制发热的区域，从而根据实际需求，如晶棒的尺寸和长短来合理调整加热区域，充分利用单晶炉内高温炉气，降低能耗，提高硅棒品质精确控制加热位置以及加热时间。

An annealing device for monocrystalline silicon furnace

A silicon furnace annealing device, including furnace chamber, auxiliary furnace chamber and the heater, the main furnace chamber is arranged at the bottom, a furnace chamber in the furnace chamber at the top of the furnace chamber is arranged inside the cavity side of the annealing, the annealing chamber is provided with a heater, the heater includes a heating unit. The heating unit is annular, followed by superposition of fixed cylindrical shape, each of a plurality of heating units to form a group, a number of groups to form a complete heater through the PLC programmable controller to control the heating area, and according to the actual demand, such as crystal size and length to adjust the heating area make full use of the high temperature furnace gas, single crystal furnace to reduce energy consumption, improve the quality of the silicon rod precise control of heating position and heating time.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅炉退火装置
本技术涉及单晶加工制备领域，尤其涉及一种单晶硅炉退火装置。
技术介绍
随着市场对单晶需求的不断扩大，单晶硅棒的品质要求越发提高。直拉单晶制造法作为单晶制备的主流方法，提拉硅棒在冷却过程中，硅中的间隙氧会逐渐转化为氧施主，形成硼氧复合体，严重影响硅棒电阻率甚至产生反型。一般单晶退火炉可以将氧施主转化为间隙氧状态，但是需要重新升温能耗较大现有技术的主要缺点：直拉单晶硅棒内部氧以氧施主形式存在，导致电阻率分布不均匀，特别是头部电阻率过高甚至出现反型。普通退火炉需将硅棒由低温升至700℃左右进行退火，这期间需要浪费大量能耗。通常情况下，退火一般针对单晶硅棒切片后的单晶硅片，对单晶硅片的退火在专门的退火炉内进行，退火后部分硅片出现翘曲或氧化的现象。针对单晶硅棒的退火也主要是出炉后，采用单独退火炉，对整棒加热退火，此外，对于不同规格的晶棒，退火时的温度和持续的时间也不同，此外，在退火过程中，不同时间段，加热的区域也不完全相同。
技术实现思路
鉴于上述状况，有必要提供一种能够单晶炉与退火炉功效相结合并且退火位置区域可调的单晶硅炉退火装置。一种单晶硅炉退火装置，用于安装在生产单晶硅的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单晶硅炉退火装置，用于安装在生产单晶硅的主炉室上，以对该主炉室生产的单晶硅进行退火，其特征在于：该单晶硅炉退火装置包括副炉室与加热器，所述副炉室设于所述主炉室的顶部，所述副炉室内部设有退火腔，所述退火腔内设有加热器，所述加热器包括若干加热片组，所述加热片组包括若干加热片单元，所述加热片单元为环形，依次进行叠加固定，形成圆筒状，所述退火腔内设有热电偶探针，所述的主炉室一侧设有鼓风机，所述热电偶探针、所述鼓风机以及每组所述加热片单元都分别与PLC编程控制器连接。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅炉退火装置，用于安装在生产单晶硅的主炉室上，以对该主炉室生产的单晶硅进行退火，其特征在于：该单晶硅炉退火装置包括副炉室与加热器，所述副炉室设于所述主炉室的顶部，所述副炉室内部设有退火腔，所述退火腔内设有加热器，所述加热器包括若干加热片组，所述加热片组包括若干加热片单元，所述加热片单元为环形，依次进行叠加固定，形成圆筒状，所述退火腔内设有热电偶探针，所述的主炉室一侧设有鼓风机，所述热电偶探针、所述鼓风机以及每组所述加热片单元都分别与PLC编程控制器连接。2.根据权利要求1所述的单晶硅炉退火装置，其特征在于：所述退火腔设于所述副炉室的...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅坤，肖贵云，陈伟，黄晶晶，李亮，金浩，闫灯周，
申请(专利权)人：晶科能源有限公司，浙江晶科能源有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36