一种黑化钽酸锂晶片的处理方法技术

本发明专利技术目的提供一种黑化钽酸锂的处理方法；一种无氧富锂浓度气氛条件下，高温（居里温度以下）处理钽酸锂、铌酸锂晶片的工艺方法，通过此工艺方法可提高晶片的电导率，迅速消除由于温度变化而产生的表面电荷，不产生电荷累积，达到减弱热释电效应的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种黑化钽酸锂晶片的处理方法
本专利技术属于晶体材料
，具体涉及一种黑化钽酸锂晶片的处理方法。
技术介绍
钽酸锂、铌酸锂晶体都属于应用广泛的压电晶体，钽酸锂分子式LiTaO3简称LT，密度7.46，莫氏硬度5.5，铌酸锂分子式LiNbO3密度4.64，莫氏硬度5，均属三方晶系3m，典型的多功能材料，集压电、铁电、热释电、声光、电光、非线性及光折变等多种优良性能于一身。LT、LN晶体较大的压电系数可以制作低插入损耗的声表面波滤波器（SAW），但是高的光透过和高热释电等性能也给SAW器件制作工艺带来很多不便。特别是随着智能手机高频率器件的发展，器件越来越小，纸条越来越细，高透过率和高热释电性已经成为钽酸锂手机声表面波器件批量生产中存在的极大问题。在SAW器件生产过程中，高热释电系数使得晶片表面很容易形成大量静电荷，这些电荷会在叉指电极间、晶片间、晶片与工装间自发释放。当静电场足够高时，静电荷释放容易损伤晶片（如开裂、裂纹等），烧毁叉指电极，器件频率越高，纸条越细，越容易烧毁晶片表面电极，降低器件良品率。另外未黑化的钽酸锂晶片具有高的透过性，进行光刻时，材料的透光性导致晶片背面形成部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种黑化钽酸锂晶片的处理方法，特征在于：1）将钽酸锂晶片放置到石英片盒中，然后将其放入黑化炉中；2）将锂化合物和硅油按照2:1的重量比放入刚玉坩埚中，然后将其置于黑化炉中；3）关闭炉门，抽真空到1000 pa以下，15小时将炉温从室温升到580℃，并保温4小时；4）然后降温到室温，充气开炉门取出钽酸锂晶片。

【技术特征摘要】
1.一种黑化钽酸锂晶片的处理方法，特征在于：1）将钽酸锂晶片放置到石英片盒中，然后将其放入黑化炉中；2）将锂化合物和硅油按照2:1的重量比放入刚玉坩埚中，然后将其置于黑化炉中；3）关闭炉门，抽真空到1000pa以...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔坤，李勇，宋松，宋伟，温旭杰，朱卫俊，王祥邦，徐慧琴，施旭霞，
申请(专利权)人：中电科技德清华莹电子有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33