【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于射频前端芯片模组封装，具体涉及一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构及模组和封装方法。
技术介绍
1、随着移动通信技术的进步，5g通信技术的广泛应用，终端设备主板空间有限，对器件的集成度提出更高的要求，采用系统级封装的射频前端模组是解决方案之一。不同制程芯片之间的兼容性是系统级封装的关键技术。声表面波滤波器和硅基开关、低噪声放大器的集成是典型的射频前端分集模组。声表面波滤波器进行封装时需保证其芯片表面是空腔结构，非滤波器芯片需要兼容空腔形成工艺，保证可靠性。
2、现有封装工艺，非滤波器芯片采用铜柱锡帽工艺，底部需填充注塑料进行固定，否则会有锡球断裂风险，且与声表面滤波器芯片底部空腔工艺不兼容。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构及模组和封装方法，保证声表面滤波器芯片封装工艺与非滤波器芯片封装工艺不兼容的问题。
2、为达上述目的，本专利技术提供了一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构，包括基板、器件芯片、干膜和注塑料；所述器件芯片至少包括一个声表面波滤波器裸芯片和一个非滤波器裸芯片，所述器件芯片通过锡球焊接倒装于所述基板上并与所述基板上表面之间留有间隙；所述干膜连续贴合在所述器件芯片表面并延伸铺设于所述基板上，使所述器件芯片在所述干膜的包裹下形成空腔，覆盖有所述干膜的所述器件芯片四周及上方填充有注塑料。
3、作为优选，所述声表面波滤波器裸芯片上表面至基板上表面高度比所述非滤波器裸芯片上表面
4、作为优选，所述锡球与所述器件芯片之间通过电镀或钢网印刷焊接。
5、作为优选，所述锡球与所述基板之间采用高温回流焊接。
6、本专利技术还提供了一种多制程芯片模组，所述多制程芯片模组包括上述的一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构。
7、本专利技术还提供了一种多制程芯片封装方法，用于对上述的一种多制程芯片模组进行封装，具体封装步骤如下：
8、s1：通过电镀或钢网印刷将锡球焊接在不同制程的所述器件芯片上；
9、s2：将所述器件芯片倒装在所述基板上，高温回流实现锡焊；
10、s3：把所述干膜贴合在所述器件芯片表面并延伸铺设在所述基板上，通过所述干膜包裹住所述器件芯片使每个所述器件芯片下方与所述基板之间形成空腔；
11、s4：注塑料填充，将所述注塑料紧密填充在覆盖有所述干膜的所述器件芯片的四周及上方。
12、具体的，所述步骤s1中，与所述非滤波器裸芯片焊接的锡球原始直径不小于70μm。
13、具体的，所述步骤s1中，与所述非滤波器裸芯片焊接后的锡球高度不小于60μm。
14、具体的，所述步骤s2中，回流焊后，所述声表面波滤波器裸芯片上表面至基板上表面高度比所述非滤波器裸芯片上表面至基本上表面高度高至少10μm。
15、相对于现有技术，本专利技术具有的有益效果为：
16、1.不同制程的器件芯片采用裸芯片封装，体积可以明显缩小，同时避免了二次封装形式，提高了封装效率。
17、2.器件芯片与基板之间通过锡球回流焊工艺使器件芯片和基板建立电气连接，为兼容声表面波滤波器裸芯片封装工艺，非滤波器裸芯片底部不填充注塑料，采用焊接的锡球原始直径不小于70μm，焊接非滤波器裸芯片后的锡球高度不小于60μm，避免连接非滤波器裸芯片的锡球断裂风险，保证非滤波芯片的可靠性。
18、3.相比于声表面波滤波器裸芯片，非滤波器裸芯片的边缘更加锐利，干膜在注塑过程中更容易被刺破导致注塑料流入底部。回流焊后，控制表面波滤波器裸芯片高度比非滤波器裸芯片高度高至少10μm，能够有效减少覆盖在非滤波器裸芯片的干膜刺破程度，保证非滤波器芯片底部空腔的形成。
19、综上所述，本专利技术提供的一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构及模组和封装方法能够使不同制程的声表面波滤波器裸芯片与非滤波器裸芯片采用相兼容的封装工艺，确保声表面波滤波器裸芯片底部空腔形成并消除非滤波器裸芯片存在的锡球断裂风险，同时避免了二次封装形式，提高了封装效率。
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1.一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构，包括基板、器件芯片、干膜和注塑料，其特征在于，所述器件芯片至少包括一个声表面波滤波器裸芯片和一个非滤波器裸芯片，所述器件芯片通过锡球焊接倒装于所述基板上并与所述基板上表面之间留有间隙；所述干膜连续贴合在所述器件芯片表面并延伸铺设于所述基板上，使所述器件芯片在所述干膜的包裹下形成空腔，覆盖有所述干膜的所述器件芯片四周及上方填充有注塑料。
2.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特征在于，所述声表面波滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度比所述非滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度高至少10μm。
3.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特征在于，所述锡球与所述器件芯片之间通过电镀或钢网印刷焊接。
4.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特征在于，所述锡球与所述基板之间采用高温回流焊接。
5.一种多制程芯片模组，其特征在于，所述多制程芯片模组包括如权利要求1-4任一所述的封装结构。
6.一种多制程芯片封装方法，其特征在于，用于对如权利要求5所述多制
7.根据权利要求6所述的多制程芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，与所述非滤波器裸芯片焊接的锡球原始直径不小于70μm。
8.根据权利要求7所述的多制程芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S1中，与所述非滤波器裸芯片焊接后的锡球高度不小于60μm。
9.根据权利要求6所述的多制程芯片封装方法，其特征在于，所述步骤S2中，回流焊后，所述声表面波滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度比所述非滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度高至少10μm。
...【技术特征摘要】
1.一种连续式干膜覆盖多制程芯片的封装结构，包括基板、器件芯片、干膜和注塑料，其特征在于，所述器件芯片至少包括一个声表面波滤波器裸芯片和一个非滤波器裸芯片，所述器件芯片通过锡球焊接倒装于所述基板上并与所述基板上表面之间留有间隙；所述干膜连续贴合在所述器件芯片表面并延伸铺设于所述基板上，使所述器件芯片在所述干膜的包裹下形成空腔，覆盖有所述干膜的所述器件芯片四周及上方填充有注塑料。
2.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特征在于，所述声表面波滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度比所述非滤波器裸芯片上表面至基板上表面的高度高至少10μm。
3.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特征在于，所述锡球与所述器件芯片之间通过电镀或钢网印刷焊接。
4.根据权利要求1所述的多制程芯片系统级封装结构，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏前亮，李勇，徐军，王雨，朱卫俊，施旭霞，
申请(专利权)人：中电科技德清华莹电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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