一种无介质桥的声表面波滤波器制造技术

本发明专利技术涉及一种无介质桥的声表面波滤波器，包括压电衬底，输入信号端子，输出信号端子以及至少一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件，该滤波器件包括设置在压电衬底上至少三个沿声表面波传播方向的叉指换能器，最外侧的两个叉指换能器单端接地，其余叉指换能器的同端电极以及最外侧的叉指换能器的非接地端均通过引线电连接在一起，每个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件还包括第一反射器和第二反射器，第一反射器和第二反射器分别位于最外侧的两个叉指换能器的两侧。本发明专利技术的纵向耦合声表面波滤波器不需要引线架桥即可实现接地，工艺步骤更少、成本更低，且器件可靠性更高。本发明专利技术的纵向耦合声表面波滤波器在通带高频侧有较好的抑制度。较好的抑制度。较好的抑制度。

【技术实现步骤摘要】
一种无介质桥的声表面波滤波器


[0001]本专利技术涉及一种声表面波滤波器，更具体地说，是涉及一种无介质桥的声表面波滤波器。

技术介绍

[0002]近年来，电子元器件不断小型化，声表面波滤波器的最小体积已经缩小到0.8mm*0.6mm。得益于纵向耦合谐振器型声表面波滤波器(DMS)的体积优势，大量接收端声表面波滤波器(单RX)或者声表面波双工器中的RX部分均以DMS的形式存在(特别是低于1GHz的频段)。
[0003]图2示出了典型DMS的示意性平面图，纵向耦合谐振器202与普通谐振器201串联而成。纵向耦合谐振器202含有3个叉指换能器IDT,分别是207、208和209。叉指换能器207的左边和叉指换能器209的右边设置有反射栅206和210。叉指换能器207与208中间过渡区域设置有窄间距的IDT 211，叉指换能器208与209中间过渡区域设置有窄间距的IDT212.叉指换能器207与209的信号线电连接并与谐振器201串联，形成输入端。叉指换能器208的信号线独立形成输出端。为了压缩滤波器体积，叉指换能器208的接地端往往不在当前位置接地植球，而是引线到芯片外围接地植球，中间用介质213将引线与叉指换能器209的信号线分隔开，以防止短路。
[0004]然而，采用上述技术会带来两方面的问题。一方面，介质桥213会引入电容，将一定程度上恶化DMS的性能，必须把电容量控制到足够小才能减小这种影响。其次，接地引线落在介质桥上会形成突起，金属引线容易断裂，有可靠性风险。此外，在流片环节上，也需要增加环节去制备介质桥，成本上升。另一方面，典型DMS结构的电性能往往会呈现通带高频侧带外抑制较差的特点，称之为横向响应。当滤波器要求通带高频侧有较高矩形系数的时候，典型DMS结构就需要加入谐振器辅助，但问题是加入多个谐振器之后，滤波器带内插入损耗必然会有所牺牲。

技术实现思路

[0005]为了解决上述技术问题，本专利技术的目的在于提供一种无介质桥的声表面波滤波器，该声表面波滤波器具有高矩形度的特点。
[0006]为了实现上述专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0007]一种无介质桥的声表面波滤波器，包括压电衬底，输入信号端子，输出信号端子以及至少一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件，该滤波器件包括设置在所述压电衬底上至少三个沿声表面波传播方向的叉指换能器，最外侧的两个叉指换能器单端接地，其余叉指换能器的同端电极以及最外侧的叉指换能器的非接地端均通过引线电连接在一起，每个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件还包括第一反射器和第二反射器，第一反射器和第二反射器分别位于最外侧的两个叉指换能器的两侧。
[0008]作为优选方案：所有的叉指换能器从一侧开始，顺序编号为1、2、
…
、N，相邻两个叉
指换能器的指间距分别为P1、P2、
…
、PN，则Pi(i＝2、3、
…
、N
‑
1)<Pj(j＝1、N)。
[0009]作为优选方案：不同的所述相邻两个叉指换能器的指间距Pi(i＝2、3、
…
、N
‑
1)相等或者不相等。
[0010]作为优选方案：首末两个叉指换能器的指间距Pj(j＝1、N)相等或者不相等。
[0011]作为优选方案：至少一个叉指换能器中的相邻电极指同相。
[0012]作为优选方案：在纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件的两端，串联至少一个单端口谐振器。
[0013]作为优选方案：所述第一反射器、第二反射器接地或者悬空。
[0014]作为优选方案：每个叉指换能器分为上电极IDT
i上
和下电极IDT
i下
两部分，其中i＝1、2、
…
、N，且N≥3，当N为奇数时，IDT
i上
(i＝1、2、
…
、N
‑
1)电连接到一起接入输入信号端子，IDTi下(i＝2、3、
…
、N)电连接到一起接入输出信号端子，当N为偶数时，IDT
i上
(i＝1、2、
…
、N)电连接到一起形成输入信号端端子，IDT
i下
(i＝2、3、
…
、N
‑
1)电连接到一起接入输出信号端子。
[0015]作为优选方案：所述纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件的最外侧的两个叉指换能器的非接地端，与其它叉指换能器的同端电极电连接在至少一个单端口谐振器的一端。
[0016]作为优选方案：所述的纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件适用于由Al/LiTaO3构成的常规SAW滤波器，由SiO2/Cu/LiNbO3构成的TCSAW滤波器，由Al/LiTaO3/SiO2/Si构成的IHPSAW滤波器。
[0017]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0018]1.本专利技术的纵向耦合声表面波滤波器的接地叉指换能器只存在于滤波器的外侧，不需要引线架桥即可实现接地，工艺步骤更少、成本更低，且器件可靠性更高。
[0019]2.本专利技术的纵向耦合声表面波滤波器在通带高频侧有较好的抑制度，不需要通过谐振器去提升通带高频侧矩形系数，在高矩形度应用场景中具有明显优势。
附图说明
[0020]构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的限定。
[0021]图1所示为本专利技术第一实施例结构的示意性平面图；
[0022]图2所示为典型DMS结构的示意性平面图；
[0023]图3所示为两条曲线图分别对应本专利技术第一实施例与典型DMS结构的频率特性；
[0024]图4所示为两条曲线图分别对应本专利技术第一实施例与典型DMS结构中仅仅含有纵向耦合谐振器型滤波器的频率特性；
[0025]图5所示为本专利技术第二实施例结构的示意性平面图；
[0026]图6所示为两条曲线图分别对应本专利技术第一实施例与第二实施例的频率特性；
[0027]图7所示为本专利技术第三实施例结构的示意性平面图；
[0028]图8所示为两条曲线图分别对应本专利技术第一实施例与第三实施例的频率特性。
具体实施方式
[0029]应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另
有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。
[0030]需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、部件和/或它们的组合。
[0031]此外，在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：包括压电衬底，输入信号端子，输出信号端子以及至少一个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件，该滤波器件包括设置在所述压电衬底上至少三个沿声表面波传播方向的叉指换能器，最外侧的两个叉指换能器单端接地，其余叉指换能器的同端电极以及最外侧的叉指换能器的非接地端均通过引线电连接在一起，每个纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件还包括第一反射器和第二反射器，第一反射器和第二反射器分别位于最外侧的两个叉指换能器的两侧。2.根据权利要求1所述的一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：所有的叉指换能器从一侧开始，顺序编号为1、2、
…
、N，相邻两个叉指换能器的指间距分别为P1、P2、
…
、PN，则Pi(i＝2、3、
…
、N
‑
1)<Pj(j＝1、N)。3.根据权利要求2所述的一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：不同的所述相邻两个叉指换能器的指间距Pi(i＝2、3、
…
、N
‑
1)相等或者不相等。4.根据权利要求2所述的一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：首末两个叉指换能器的指间距Pj(j＝1、N)相等或者不相等。5.根据权利要求1所述的一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：至少一个叉指换能器中的相邻电极指同相。6.根据权利要求1所述的一种无介质桥的声表面波滤波器，其特征在于：在纵向耦合谐振器型声表面波滤波器件的两端，串联至少一个单端口谐振器。7....

【专利技术属性】
技术研发人员：黄亮，肖功亚，王志超，庞旗旗，李勇，朱卫俊，
申请(专利权)人：中电科技德清华莹电子有限公司，
类型：发明
国别省市：