一种声表面波滤波器及滤波元件制造技术

本发明专利技术公开了一种声表面波滤波器及滤波元件，该声表面波滤波器包括：有效孔径区，有效孔径区包括多个电极；多个电极包括多个第一电极和多个第二电极，第一电极与第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸；第一方向与第二方向相交；第一声速区，至少位于有效孔径区且远离有效孔径区中心的一侧；第二声速区，包括沿第二方向位于第一声速区远离有效孔径区中心的一侧；声表面波在第二声速区的传播速度大于在第一声速区的传播速度。采用上述技术手段，声表面波在第二声速区的传播速度大于在第一声速区的传播速度，改变了声表面波横向传播时在边界处的边界条件，将声波能量限制在有效孔径区，并能够抑制横波模式寄生。并能够抑制横波模式寄生。并能够抑制横波模式寄生。

【技术实现步骤摘要】
一种声表面波滤波器及滤波元件


[0001]本专利技术涉及滤波器
，尤其涉及一种声表面波滤波器及滤波元件。

技术介绍

[0002]弹性波(声波)滤波器作为射频前端领域重要的元件之一，特别是在通信领域中的基站和移动终端射频系统中得到广泛应用。近年来，多频段系统被用来提高手机的数据传输速度，由于可以在多个频段进行发送和接收，因此在手机的前端电路中设置了多个通过不同频段的高频信号的滤波装置。在这种情况下，由于前端电路允许的安装空间有限，因此要求多个滤波器件体积小，与相邻频带的隔离度高，通带损耗低。这就对声波滤波器技术提出了更高的要求，低插入损耗、更高频率段应用、低频率温度系数(Temperature Coefficient of Resonant Frequency，TCF)、高Q值等的滤波器特性成了此领域不断突破的目标。
[0003]基于此，温度补偿型声表面波滤波器(Temperature Compensated SAW，TC
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SAW)、薄膜型声表面波滤波器(Film Type SAW，TF/>‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：有效孔径区，所述有效孔径区包括多个电极；多个所述电极包括多个第一电极和多个第二电极，所述第一电极与所述第二电极沿第一方向依次交替设置且均沿第二方向延伸；所述第一方向与所述第二方向相交；第一声速区，至少位于所述有效孔径区且远离所述有效孔径区中心的一侧；第二声速区，包括沿所述第二方向位于所述第一声速区远离所述有效孔径区中心的一侧；声表面波在所述第二声速区的传播速度大于在所述第一声速区的传播速度。2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括衬底；位于所述第一声速区的第一介质层以及位于所述第二声速区的第二介质层；所述第二介质层与所述第一介质层同层相接触，且所述第二介质层的杨氏模量大于所述第一介质层以及所述衬底的杨氏模量；所述第一介质层的杨氏模量小于所述衬底的杨氏模量。3.根据权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于，沿所述第二方向，所述第二声速区的尺寸为Lf，所述第一声速区的尺寸为Ls；沿所述第一方向，所述电极的尺寸为Wi；沿所述第一方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸与任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸相同且均为λ；其中，0.5λ≤Lf≤3.0λ；Wi≤Ls≤3Wi。4.根据权利要求2所述的声表面波滤波器，其特征在于，沿所述声表面波滤波器的厚度方向，所述第一介质层的厚度为Hs，所述第二介质层的厚度为Hf；沿所述第一方向，任意相邻两个所述第一电极之间的尺寸与任意相邻两个所述第二电极之间的尺寸相同且均为λ；其中，10％λ≤Hs≤40％λ；0≤Hf≤40％λ。5.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一声速区包括第一边界与第二边界；所述第二声速区包括第三边界与第四边界，所述第二边界与所述第三边界重合；所述第一边界、所述第二边界、所述第三边界以及所述第四边界的延伸方向均与所述第一方向平行。6.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，沿所述第二方向，所述第一声速区包括第一边界与第二边界；所述第二声速区包括第三边界与第四边界，所述第二边界与所述第三边界重合；所述第一边界、所述第二边界以及所述第三边界均包括延伸方向与所述第一方向相交的边界分部；所述第四边界与所述第一方向平行。7.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一声速区包括第一位置和第二位置，沿所述第一方向，所述第一位置位于所述第二位置靠近所述第一声速区中心的一侧；沿所述第二方向，所述第一声速区在所述第一位置的尺寸大于所述第一声速区在所述第二位置的尺寸。8.根据权利要求7所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一边界和所述第二边界关于所述第一声速区的第一中心轴呈轴对称设置；
所述第一中心轴经过所述第一声速区的中心且沿所述第一方向延伸。9.根据权利要求6所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一声速区包括第一甲声速区和第一乙声速区，所述第二声速区包括第二甲声速区和第二乙声速区，沿所述第二方向，所述第一甲声速区和所述第一乙声速区分别位于所述有效孔径区中心的两侧，所述第二甲声速区位于所述第一甲声速区远离所述有效孔径区中心的一侧，所述第二乙声速区位于所述第一乙声速区远离所述有效孔径区中心的一侧；在任意两个电极的延伸方向上，所述第一甲声速区、所述第二甲声速区、所述第一乙声速区以及所述第二乙声速区的长度之和相同。10.根据权利要求9所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述声表面波滤波器还包括汇流条，沿所述第二方向，所述汇流条位于所述第二声速区远离所述第一声速区的一侧；所述第一电极包括第一电极边界，所述第一电极边界与所述汇流条之间存在间隙，且所述第一电极边界处于所述第一乙声速区和所述第二乙声速区的交界位置；所述第二电极包括第二电极边界，所述第二电极边界与所述汇流条之间存在间隙，且所述第二电极边界处于所述第一甲声速区和所述第二甲声速区的交界位置。11.根据权利要求6所述的声表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜建利，马阳阳，杨清清，胡枭，张露，朱春发，朱军，廖庆嵩，
申请(专利权)人：天通瑞宏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：