声表面波滤波器及其制造方法技术

本申请涉及半导体器件领域，公开一种声表面波(surface acoustic wave,SAW)滤波器及其制造方法。该滤波器包括：第一衬底、以及设置于第一衬底的叉指换能器(IDT)，IDT包括第一输入输出端、第二输入输出端以及叉指部。SAW滤波器还包括：设置于滤波器晶圆的介质层，介质层覆盖IDT的第一输入输出端以及第二输入输出端，并暴露叉指部；设置于介质层的钝化层；设置于钝化层的键合层；第二衬底，其经由键合层键合至滤波器晶圆；以及由第二衬底和键合层合围空腔。腔。腔。

【技术实现步骤摘要】
声表面波滤波器及其制造方法


[0001]本申请涉及半导体器件领域，特别涉及声表面波(surface acoustic wave,SAW)滤波器晶圆级封装结构和SAW晶片级封装方法。

技术介绍

[0002]声表面波(SAW)器件，例如声表面波谐振器和声表面波滤波器，广泛应用于射频(radio frequency,RF)滤波器等领域。典型的SAW滤波器包括形成于压电基底的多个叉指换能器(interdigital transducers,IDTs)。多个IDTs串联或并联地连接。
[0003]随着声表面波滤波器在现代射频通信系统中的应用越来越多，对声表面波滤波器提出小尺寸、低成本的需求。

技术实现思路

[0004]根据本专利技术的一个方面，本公开实施例提供了一种声表面波(SAW)滤波器。SAW滤波器包括滤波器晶圆，滤波器晶圆包括：第一衬底；以及设置于第一衬底的叉指换能器(IDT)，IDT包括第一输入输出端、第二输入输出端以及叉指部。SAW滤波器还包括：设置于滤波器晶圆的介质层，介质层覆盖IDT的第一输入输出端以及第二输入输出端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：滤波器晶圆，包括：第一衬底，以及叉指换能器，设置于所述第一衬底；其中，所述叉指换能器包括第一输入输出端、第二输入输出端以及叉指部；介质层，设置于所述滤波器晶圆；其中，所述介质层覆盖所述叉指换能器的所述第一输入输出端以及所述第二输入输出端，并暴露所述叉指部；钝化层，设置于所述介质层；键合层，设置于所述钝化层；第二衬底，经由所述键合层键合至所述滤波器晶圆；以及空腔，由所述第二衬底和所述键合层合围而成。2.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述介质层由氧化硅、氮化硅或者以上材料的组合叠层形成。3.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述钝化层覆盖所述介质层的顶面和侧面，以及所述叉指换能器的所述叉指部的顶面和侧面；所述钝化层由氧化硅、氮化硅、氮化铝或以上材料中的两种及以上材料的组合叠层形成；或者所述钝化层的厚度范围从2nm到50nm。4.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述键合层设置于所述钝化层的顶面和侧面；所述键合层由硅形成；或者所述键合层的厚度范围从3nm到50nm。5.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一衬底由钽酸锂或铌酸锂形成。6.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二衬底是硅片，或者所述第二衬底的面向所述滤波器晶圆的至少一个表层由硅形成。7.根据权利要求1所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：第一pad金属层，设置于所述叉指换能器的所述第一输入输出端的上方；以及第二pad金属层，设置于所述叉指换能器的所述第二输入输出端的上方。8.根据权利要求7所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：第一过硅通孔和第二过硅通孔形成于所述第二衬底、所述键合层、所述介质层和所述钝化层，其中，所述第一过硅通孔暴露所述第一pad金属层，所述第二过硅通孔暴露所述第二pad金属层。9.根据权利要求8所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：第一籽晶层，覆盖所述第一过硅通孔的侧面和底部以及围绕所述第一过硅通孔的所述第二衬底顶面的第一部；第二籽晶层，覆盖所述第二过硅通孔的侧面和底部以及围绕所述第二过硅通孔的所述第二衬底顶面的第二部；
第一金属填充层，设置于所述第一籽晶层并填充于所述第一过硅通孔；第二金属填充层，设置于所述第二籽晶层并填充于所述第二过硅通孔；第一镍层，设置于所述第一金属填充层；第二镍层，设置于所述第二金属填充层；第一金层，设置于所述第一镍层；以及第二金层，设置于所述第二镍层。10.根据权利要求9所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：第一焊锡球，设置于所述第一过硅通孔上方，并经由所述第一pad金属层、所述第一金属填充层、所述第一镍层和所述第一金层电连接至所述叉指换能器的所述第一输入输出端；以及第二焊锡球，设置于所述第二过硅通孔上方，并经由所述第二pad金属层、所述第二金属填充层、所述第二镍层和所述第二金层电连接至所述叉指换能器的所述第二输入输出端。11.一种声表面波滤波器，其特征在于，包括：滤波器晶圆，包括：第一衬底，以及叉指换能器，设置于所述第一衬底，其中，所述叉指换能器包括第一输入输出端、第二输入输出端以及叉指部；温度补偿层，设置于所述第一衬底，覆盖所述叉指换能器；以及钝化层，设置于所述温度补偿层；介质层，设置于所述滤波器晶圆，并暴露所述钝化层于所述叉指换能器的所述叉指部上方的一部分；键合层，设置于所述介质层；第二衬底，经由所述键合层键合至所述滤波器晶圆；以及空腔，由所述第二衬底和所述键合层合围而成。12.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述温度补偿层由氧化硅形成。13.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述钝化层由氮化硅、氮化铝、无定型硅或以上材料中的两种及以上材料的组合叠层形成。14.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述介质层由氧化硅、氮化硅或者以上材料的组合叠层形成。15.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述键合层由硅形成，或者所述键合层的厚度范围从3nm到50nm。16.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第一衬底由钽酸锂或铌酸锂形成。17.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，所述第二衬底是硅片，或者所述第二衬底的面向所述滤波器晶圆的至少一个表层由硅形成。18.根据权利要求11所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：
第一pad金属层，设置于所述叉指换能器的所述第一输入输出端的上方；以及第二pad金属层，设置于所述叉指换能器的所述第二输入输出端的上方；第一过硅通孔和第二过硅通孔形成于所述第二衬底、所述键合层、所述介质层和所述钝化层，其中，所述第一过硅通孔暴露所述第一pad金属层，所述第二过硅通孔暴露所述第二pad金属层。19.根据权利要求18所述的声表面波滤波器，其特征在于，还包括：第一籽晶层，覆盖所述第一过硅通孔的侧面和底部以及围绕所述第一过硅通孔的所述第二衬底顶面的第一部；第二籽晶层，覆盖所述第二过硅通孔的侧面和底部以及围绕所述第二过硅通孔的所述第二衬底顶面的第二部；第一金属填充层，设置于所述第一籽晶层并填充于所述第一过硅通孔；第二金属填充层，设置于所述第二籽晶层并填充于所述第二过硅通孔；第一镍层，设置于所述第一金属填充层；第...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：