一种用于Band1发射频段的SAW滤波器制造技术

本实用新型专利技术涉及声表面波滤波器技术领域，具体涉及一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的若干串联的第一阻抗元谐振器，以及若干用于并联接地的第二阻抗元谐振器。本实用新型专利技术设计的滤波器采用阻抗元谐振器进行串联、并联接地，不需要在串联路径上并联电感，设计简单且制造成本相对较低；滤波器带内插损可以做到

【技术实现步骤摘要】
一种用于Band1发射频段的SAW滤波器


[0001]本技术涉及声表面波滤波器
，特别涉及一种用于Band 1发射频段的SAW滤波器。

技术介绍

[0002]Band1是用于手机通讯的一个频段，它的接收频段为2110
‑
2170MHz，发射频段为1920
‑
1980MHz，发射滤波器需要对接收频段进行抑制。由于接收频段离发射频段较远，一般Band1发射滤波器在设计时常采用在串联谐振器上并联大电感的方式提升带外抑制，但是这会增加设计的复杂度和制造成本。因此，本技术研制了一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，以解决现有技术中存在的问题。

技术实现思路

[0003]本技术目的是：提供一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，以解决现有技术中Band1发射滤波器在设计时常采用在串联谐振器上并联大电感的方式提升带外抑制，进而增加设计的复杂度和制造成本的问题。
[0004]本技术的技术方案是：一种用于Band 1发射频段的SAW滤波器，包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的若干串联的第一阻抗元谐振器，以及若干用于并联接地的第二阻抗元谐振器。
[0005]优选的，若干所述第一阻抗元谐振器配置于串联路径上，所述输入端子与所述输出端子分设于所述串联路径两端；
[0006]若干所述第二阻抗元谐振器配置于并联路径上，每个所述并联路径上具有至少两个所述第二阻抗元谐振器，且每个所述并联路径一端与所述串联路径连接，另一端接地。
[0007]优选的，所述串联路径上具有10个第一阻抗元谐振器，其中在信号传输方向上，在第三个与第四个第一阻抗元谐振器之间、第六个与第七个第一阻抗元谐振器之间、第八个与第九个第一阻抗元谐振器之间、第十个第一阻抗元谐振器与输出端子之间分别具有一个连接节点；
[0008]所述并联路径共设置4条，并分别连接于所述连接节点，每条所述并联路径上具有2个所述第二阻抗元谐振器。
[0009]优选的，所述第一阻抗元谐振器与所述第二阻抗元谐振器由叉指换能器及设置于两端的反射栅组成。
[0010]优选的，所述滤波器制作在42
°
YX或46
°
YX切型钽酸锂衬底上。
[0011]与现有技术相比，本技术的优点是：
[0012]本技术设计的滤波器采用阻抗元谐振器进行串联、并联接地，不需要在串联路径上并联电感，设计简单且制造成本相对较低；滤波器带内插损可以做到
‑
2dB以内，在没有使用线圈电感的情况下带外抑制可以做到
‑
48dB以下。
附图说明
[0013]下面结合附图及实施例对本技术作进一步描述：
[0014]图1为本技术所述的一种用于Band1发射频段的SAW滤波器的电路图；
[0015]图2为本技术所述第一阻抗元谐振器与第二阻抗元谐振器的结构图；
[0016]图3为本技术所述的一种用于Band1发射频段的SAW滤波器对应的插损曲线。
[0017]其中：1、输入端子，2、输出端子，3、第一阻抗元谐振器，4、第二阻抗元谐振器，5、串联路径，6、连接节点，7、并联路径。
具体实施方式
[0018]下面结合具体实施例，对本技术的内容做进一步的详细说明：
[0019]如图1所示，一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，制作在42
°
YX或46
°
YX切型钽酸锂衬底上，包括输入端子1及输出端子2，设置于输入端子1与输出端子2之间的若干串联的第一阻抗元谐振器3，以及若干用于并联接地的第二阻抗元谐振器4。
[0020]若干第一阻抗元谐振器3配置于串联路径5上，输入端子1与输出端子2分设于串联路径5两端；本实施例中，串联路径5上具有10个第一阻抗元谐振器3，其中在信号传输方向上，在第三个与第四个第一阻抗元谐振器3之间、第六个与第七个第一阻抗元谐振器3之间、第八个与第九个第一阻抗元谐振器3之间、第十个第一阻抗元谐振器3与输出端子2之间分别具有一个连接节点6。
[0021]若干第二阻抗元谐振器4配置于并联路径7上，每个并联路径7上具有至少两个第二阻抗元谐振器4，且每个并联路径7一端与串联路径5连接，另一端接地；本实施例中，并联路径7共设置4条，并分别连接于连接节点6，每条并联路径7上具有2个第二阻抗元谐振器4。如图2所示，第一阻抗元谐振器3与第二阻抗元谐振器4由叉指换能器及设置于两端的反射栅组成。
[0022]如图3所示，为用于Band1发射频段的SAW滤波器的插损实测曲线，能够看到带内插损可以做到
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2dB以内，在没有使用线圈电感的情况下带外抑制可以做到
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48dB以下。本技术仅采用阻抗元谐振器(第一阻抗元谐振器3、第二阻抗元谐振器4)进行串联、并联接地，不需要在串联路径5上并联电感，设计简单且制造成本相对较低。
[0023]上述实施例只为说明本技术的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本技术的内容并据以实施，并不能以此限制本技术的保护范围。对于本领域技术人员而言，显然本技术不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本技术的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本技术，因此无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本技术的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本技术内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，其特征在于：包括输入端子及输出端子，设置于输入端子与输出端子之间的若干串联的第一阻抗元谐振器，以及若干用于并联接地的第二阻抗元谐振器。2.根据权利要求1所述的一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，其特征在于：若干所述第一阻抗元谐振器配置于串联路径上，所述输入端子与所述输出端子分设于所述串联路径两端；若干所述第二阻抗元谐振器配置于并联路径上，每个所述并联路径上具有至少两个所述第二阻抗元谐振器，且每个所述并联路径一端与所述串联路径连接，另一端接地。3.根据权利要求2所述的一种用于Band1发射频段的SAW滤波器，其特征在于：所述串联路径上具有10个第一阻抗元谐振器，其中在信号传输方向上...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳世民，
申请(专利权)人：阿尔伯达苏州科技有限公司，
类型：新型
国别省市：